中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有3372项专利

  • 本发明公开了一种可重构集成微波光子射频前端器件,包括上行链路和下行链路,上行链路和下行链路共用光载波,用于实现一体化的微波光子信号产生及处理;其中,上行链路包括第一光有源器件、第一光无源器件、第二光功分器和第一校正算法单元;下行链路,包...
  • 本发明公开了一种啁啾采样光栅量子级联激光器,属于半导体光电器件技术领域。该啁啾采样量子级联激光器包括:衬底,下波导层,下限制层,有源层,上限制层,啁啾采样光栅,上波导层,高掺接触层。其中,在所述上限制层的上表面具有啁啾采样光栅。与传统均...
  • 本发明提供了一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的侧墙栅电极接触位于主沟槽侧壁,沟槽底部形成源电极金属接触,并集成肖特基金属接触,第一象限正向导通时,电子自下而上流经沟槽侧壁反型层,形成与传统沟槽型...
  • 一种距离选通三维成像自适应双边参考修复的方法,包括如下步骤:步骤1:首先根据距离选通相邻的二维空间切片图像,分别用A、B帧表示,设定3D阈值,并利用三维反演算法获得待修复的原始深度图像;步骤2:其次将原始深度图像与A帧图像采用自适应双边...
  • 本公开提供了一种基于受激布里渊散射的可调谐光电振荡器的弱信号探测系统包括:可调谐激光器(1)、相位调制器(2)、高非线性光纤(3)、环行器(4)、掺铒光纤放大器(5)、光滤波器(6)、光电探测器(7)、功分器(8)、耦合器(9)、电放大...
  • 本公开提出一种激光熔覆层与基体结合强度的测试方法,包括:制作圆形试样,试样包括基体及基体上的激光熔覆层;在基体上形成一第一孔,第一孔为圆孔,与圆形试样同轴,圆孔深度等于基体厚度;在基体上形成多个第二孔,多个第二孔关于第一孔对称,且各第二...
  • 一种双模激光器THz泵浦源的制作方法,包括如下制作步骤:利用选择区域外延生长技术或对接生长技术在衬底上获得增益区量子阱的材料、放大器区量子阱的材料及调制器区量子阱的材料;利用量子阱混杂技术或对接生长技术,在衬底上获得获得光栅区的材料及相...
  • 一种片上集成傅里叶锁模激光器,包括半导体光放大器、微波光子滤波器、分束器、光隔离器和片上集成光延时线,共同形成光学环路来产生光学谐振,其中,半导体光放大器在注入电流时自发辐射光场,在光隔离器的作用下在光学环路中单向传播,通过调节微波光子...
  • 本发明涉及半导体微电子技术领域,具体为公开了一种基于多孔外延模板的高效紫外发光二极管及其制作方法。该发明是通过电化学腐蚀、光电化学腐蚀、光催化腐蚀或金属催化腐蚀获得多孔外延模板,然后在此模板上外延LED结构。通过这种方法不但能提高外延层...
  • 本公开提供一种超窄单通带微波光子滤波器,以缓解现有微波光子滤波器技术方案难以实现3dB带宽MHz量级以下单通带滤波的技术问题,所述微波光子滤波器包括:可调谐激光器;第一光耦合器,用于将激光器输入的激光分束;单边带调制模块;单边带抑制载波...
  • 本发明提供了一种高端面反射率窄反射带宽的SOI平面波导布拉格光栅及其制作方法,该光栅能有效进行窄带滤波,减小背面反射,实现高的端面反射率,提高波导与光纤的耦合效率;同时,能够实现SOI波导光栅制作过程中高精度的对准以及制备,保证光栅在脊...
  • 一种非对称模式扩展小发散角半导体激光器,包括:衬底;缓冲层,形成于衬底之上;模式扩展层,形成于缓冲层之上;空间层,形成于模式扩展层之上;N型限制层,形成于空间层之上;下波导层,形成于N型限制层上;有源区,形成于下波导层上;上波导层,形成...
  • 一种基于锑化物的可见光‑中红外探测器及其制备方法,所述可见光‑中红外探测器的各功能层从衬底沿外延生长方向依次是:衬底、缓冲层、中波通道欧姆接触层、中波通道吸收层、两个隧穿层、可见光通道吸收层、可见光通道欧姆接触层以及盖层。本发明的基于锑...
  • 本发明提供了一种荧光成像系统,包括点光源阵列模块(1)、光学透镜系统(2)、滤光片组(3)、显微物镜(4)、载物台(5)、成像透镜(6)、光电探测器(7)和同步控制系统(8),其中:所述点光源阵列模块(1)发射的光经所述光学透镜系统(2...
  • 一种激光清洗用、具有返回光监测功能的光纤输出端头,包括:石英端帽;主输出光纤,一端与石英端帽熔接;辅助探测光纤,与主输出光纤一起熔接在石英端帽的同一端或与主输出光纤包层熔接在一起;聚焦透镜,安装于辅助探测光纤的另一端,用于聚集待加工件返...
  • 本公开提供了一种应用于穿戴式设备的心电信号特征区域检测方法;该应用于穿戴式设备的心电信号特征区域检测方法包括:计算输入心电信号的小波分解系数WT(n);利用经验模态分解法处理所述小波分解系数WT(n),确定包含有心电信号中能量分布信息的...
  • 本发明提供一种垂直结构的发光二极管(LED)芯片的制备方法,该方法主要是通过电化学或光电化学腐蚀或光辅助电化学腐蚀的方法将LED外延层中的牺牲层腐蚀成多孔结构,使得牺牲层上下外延层之间的结合强度变得非常弱,能够很容易的剥离掉。相较激光剥...
  • 一种多波段可见光至近红外的焦平面探测器的制备方法,包括:步骤1:在一InP衬底上依次生长牺牲层、N接触层、光吸收层和帽层;步骤2:从帽层的一侧向下刻蚀,刻蚀深度达到N接触层,便于电极引出;步骤3:在接触层和帽层上生长图形金属电极,并在电...
  • 本发明公开了一种机光一体锁、钥匙和锁匙,属于智能锁技术领域。该锁匙包括钥匙和锁两部分,钥匙端包括齿纹和第一光通信单元,其中第一光通信单元包括:第一传输模块和第一处理模块;锁端包括:锁芯和第二光通信单元,所述的第二光通信单元包括:第二传输...
  • 本发明提供了一种蓝光LED与绿光、红光OLED相结合的全彩显示结构及制备方法,将LED显示与OLED显示的优势相结合实现全彩显示,既解决绿光LED发光效率低,红光LED的GaAs材料体系与蓝光、绿光LED的GaN材料体系很难兼容等问题,...
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