中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有3329项专利

  • 一种制备氮化镓基纳米环结构的方法,包括:在GaN外延片上旋涂一层聚合物,进行第一次纳米压印;压印结束后移去第一块纳米压印模板,使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形;去除图形凹槽底部的聚合物;将聚合物图形转移到GaN外延片上,并对G...
  • 本公开提供一种混合集成可调谐激光器及光子芯片,该混合集成可调谐激光器包括:半导体光放大器,用于发出光并使所传输的光获得增益;硅基锥形耦合波导,与半导体光放大器键合相连,通过两端的锥形波导结构产生模场分布变化使所传输光进行光场耦合;第一硅...
  • 本公开提供了一种配置有旁路二极管的光伏组件,包括:电池阵列,其包括串联的多个太阳能电池片,所述多个太阳能电池片排列成M行N列的阵列,相邻的两行电池片串联共形成M/2个电池串,所述M/2个电池串依次串联;一组旁路二极管,包括串联的M/2个...
  • 本发明提供了一种离心聚焦式广角度抗振动空间光通信接收机,包括:N个聚光模块,用于接收携带有数据信号的光信号,并将所述光信号汇聚到各聚光模块的焦曲面,N>1;N个探测器,各探测器的一个顶角分别位于各聚光模块的焦点处,用于探测所述聚光模块汇...
  • 一种宇称‑时间对称原理的光电振荡器,包括:激光器及与其连接的偏振控制器;双偏振马赫增德尔调制器及与其依序连接的用于储存能量的长光纤、掺饵光纤放大器及光分束器;该光分束器分为两路,一路依序连接有可调光延时线、第一光电探测器、第一电放大器及...
  • 本发明提供了一种分子束外延生长长波红外InAs/InAsSb超晶格界面的优化方法,其中,包括以下步骤:A、获取外延生长的基准温度以及测定生长程序所需要的各源炉束流及温度值;B、根据基准温度将GaSb衬底的温度进行调节,准备运行长波红外I...
  • 本公开提供了一种用于激光夜视的图像计算匀化增强方法,包括:步骤A,通过激光夜视系统获取针对标准白板的多帧灰度图像;步骤B,对标准白板的多帧灰度图像求平均值,计算激光夜视系统的光强分布;以及步骤C,将激光夜视系统得到的目标图像除以激光夜视...
  • 用于外差干涉测振系统的信号解调装置和方法
    一种用于外差干涉测振系统的信号解调装置和方法。该信号解调方法包括:产生载波调制模拟信号s(t)和AOM驱动信号fAOM;将模拟信号s(t)转换为数字信号s(n);产生单位正交信号I0和Q0,并与s(n)混频,得到正交信号IS和QS;对混...
  • 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法
    一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法,该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺,低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等,最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶...
  • 基于Ga2O3衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法
    一种基于Ga2O3衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法,该紫外LED的结构自下而上依次包括β‑Ga2O3衬底、低温AlN缓冲层、AlGaN应力释放层、n型AlGaN层、多量子阱有源区、p型AlGaN层、p型GaN层以及反射镜层;并在反射...
  • 3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法
    本发明提供了一种3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器(APD)及其制作方法,该红外波段APD包括自上而下叠置的减反膜层、P+型InSb电极接触层、作为吸收层的N型InSb层、作为倍增层的P型外延Si层、和N+型Si层,其中,N型InS...
  • 地下矿区人员定位系统及方法
    一种地下矿区人员定位系统,包括多个定位信号发射接收模块,每一该模块包括:包含一矿灯的发射单元,用于发射具有调制信号的光波,每一个具有调制信号的光波彼此调制信号不同;一接收单元,用于接收用户终端的位置信息,并将该信息传输至中央控制模块;用...
  • 一种基于马赫增德尔调制器进行四级脉冲幅度调制的方法:将激光输入马赫增德尔调制器,第一光耦合器将所输入的激光处理为等光强的两束激光后分别输出到上调制臂和下调制臂,所述上调制臂包括波导、掺杂区以及上臂驱动电极,所述下调制臂包括波导、掺杂区以...
  • 本公开提供了一种基于模斑转换结构的超辐射发光二极管,包括:n‑InP衬底;无源波导层,设置于n‑InP衬底上;有源区,设置于无源波导层上,用于发射激光,包括应变量子阱和设置于应变量子阱上的势垒层;波导结构,设置于有源区上,所述波导结构包...
  • 本发明公开了一种单晶金刚石的生长方法,该方法包括:在衬底表面生长金刚石支撑层;在金刚石支撑层表面生长中间缺陷阻挡层;以及在中间缺陷阻挡层表面生长金刚石表面层。该方法在衬底上生长一层厚的金刚石支撑层,金刚石支撑层以较高的生长速率生长;在金...
  • 本发明公开了基于时域泰伯效应的加密、解密通信装置和保密通信系统,属于光通信技术领域。该加密通信装置包括:主动锁模激光器、强度调制器、正色散器件;该解密通信装置包括:负色散器件、光探测器。本发明利用任意色散的色散介质,从而达到将光信号脉冲...
  • 一种InGaN/GaN异质外延结构及生长方法,外延结构包括:一衬底,该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓;一GaN层,其生长在衬底上;一InGaN有源区,其生长在GaN层上;一GaN层,其生长在InGaN有源区上。本发明可以...
  • 本发明提供了一种硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法,硅基雪崩光电探测器阵列的器件主体结构为在SiO2/Si复合衬底上形成有外延Si层的晶片结构,该晶片结构是通过键合技术而形成的外延Si/SiO2/Si材料结构,基于该晶片结构的硅基雪崩光...
  • 一种太阳电池阻抗测量系统
    本发明提供了一种太阳电池阻抗测量系统,包括:控制模块、阻抗测量模块、量程切换模块,其中,控制模块用于协调各个模块之间稳定工作,控制各个模块完成各自对应的功能,实现系统控制与数据传输;阻抗测量模块用于对太阳电池进行阻抗测量,并将测量数据传...
  • 本实用新型涉及一种线电压补偿电路、控制电路及LED驱动电路,该线电压补偿电路包括:第一开关、第二开关、第三开关及第一电容;其中,所述第一开关的第一端与第二开关的第一端相连接,并且同时连接至所述线电压补偿电路的输入端;第一开关的第二端与第...
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