基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法技术

本公开提供了一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法，该环栅场效应晶体管包括：N型掺杂的氧化镓衬底；柱状沟道，形成于氧化镓衬底，适用于为电流流动提供通道；第一绝缘层，设置在氧化镓衬底上环绕于柱状沟道周围的区域；栅极介质层，设置在第一绝缘层上，并延伸至包围柱状沟道的侧面区域；栅极金属层，设置在栅极介质层上，呈环状包围栅极介质层，适用于控制柱状沟道中的电流流动；第二绝缘层，设置在栅极金属层上，具有贯通至栅极金属层的电极孔，电极孔以柱状沟道为中心呈环状；栅极，设置在第二绝缘层上并贯穿电极孔，与栅极金属层接触；源极，设置在柱状沟道顶部；以及漏极，设置在氧化镓衬底的底部。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体电子器件的，具体地，涉及一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，为了提高集成电路的功能密度和性能，半导体器件的尺寸不断缩小，摩尔定律面临的挑战也越来越大。并且出现了一系列问题，其中之一是短沟道效应，即当沟道长度减小到一定程度时，电流容易从源极流向漏极，导致漏电现象的发生。短沟道效应的影响使漏电现象更加明显，而栅极对沟道的控制能力也随之减弱，无法有效地控制沟道内的电流，阻碍了器件尺寸的进一步缩小，从而限制了芯片晶体管密度的提升。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开提供了一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管及其制备方法，以至少部分解决上述技术问题。

2、为了解决上述技术问题，本公开提供的技术方案如下：

3、作为本公开的一个方面，提供了一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管，包括：

4、n型掺杂的氧化镓衬底；

5、柱状沟道，形成于n型掺杂的氧化镓衬底，适用于为电流流动提供通道；>

6、第一绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，

8.一种如权利要求1至7中任一项所述的基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管的制备方法，包括：

9.根据权利要求8所述的制备方法，其中，

10.根据权利要求9所述的制...

【技术特征摘要】

1.一种基于氧化镓衬底的环栅场效应晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊晓燕，马驰骋，张逸韵，李志聪，王军喜，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：