【技术实现步骤摘要】
本专利技术的至少一种实施例涉及一种超辐射发光二极管，尤其涉及一种基于超辐射发光二极管的参数生成方法。
技术介绍
1、超辐射发光二极管(superluminescent diodes，sld)是众多领域亟需的关键器件，其中，inp基超辐射发光二极管是1.3μm波段sld最典型的器件之一。超辐射发光二极管具有大功率、宽光谱、小发散角、低偏振性等特点，在光纤传感以及其他领域得到了广泛的应用，例如可以应用于光纤陀螺仪、光学相干层析成像技术、光时域反射仪、光波分复用系统等。其中，光纤陀螺仪(optical fiber gyro，fog)大规模应用直接带动了sld的发展，与机械陀螺、惯性陀螺、激光陀螺以及核磁谐振陀螺等其它类型的角速度传感器相比，fog具有效率更高、重量更轻、尺寸更小、抗振动能力强、抗干扰能力强以及抗噪声等优点。作为高精度光纤传感系统的核心光电部件，sld的性能直接决定着fog的精度及稳定性。
2、在sld应用于fog等系统时，sld本身的温度变化对系统的影响很大，可能会影响系统中其它部件的性能表现。同时，这也对sld本身的使用寿命有很大的影响。所以，对inp基超辐射发光二极管进行热电耦合多物理场仿真有着很大的意义。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种基于超辐射发光二极管的参数生成方法，以期解决上述问题至少之一。
2、本专利技术提供一种基于超辐射发光二极管的参数生成方法，包括创建与超辐射发光二极管对应的固体传热模块；基于第一温度参数和半导体模
3、根据本专利技术上述实施例提供的基于超辐射发光二极管的参数生成方法，第一温度参数作为初始温度，通过固体传热模块和半导体模块的耦合仿真，获得半导体模块的第二温度参数和电学参数中的至少一种，以获得超辐射发光二极管的性能表现。
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1.一种基于超辐射发光二极管的参数生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的参数生成方法，其特征在于，所述半导体模块包括第一半导体模型或所述半导体模块包括第一半导体模型和第二半导体模型。
3.根据权利要求2所述的参数生成方法，其特征在于，在所述物理参数包括所述第二温度参数和所述电学参数的情况下，
4.根据权利要求2或3所述的参数生成方法，其特征在于，所述第二半导体模型是根据所述第一半导体模型得到的，
5.根据权利要求4所述的参数生成方法，其特征在于，所述第一半导体模型包括多薄层结构；
6.根据权利要求4所述的参数生成方法，其特征在于，所述根据预定网格划分策略，对所述原始第一半导体模型进行网格划分，得到所述第一半导体模型，包括：
7.根据权利要求1～3中任一项所述的参数生成方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1～3中任一项所述的参数生成方法，其特征在于，所述固体传热模块的热源为总热源，所述固体传热模块的尺寸与所述半导体模块的尺寸匹配，所述固体传热模块的热传导为热阻。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，其上存储有可执行指令，该指令被处理器执行时使处理器执行根据权利要求1～8中任一项所述的参数生成方法。
...【技术特征摘要】
1.一种基于超辐射发光二极管的参数生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的参数生成方法，其特征在于，所述半导体模块包括第一半导体模型或所述半导体模块包括第一半导体模型和第二半导体模型。
3.根据权利要求2所述的参数生成方法，其特征在于，在所述物理参数包括所述第二温度参数和所述电学参数的情况下，
4.根据权利要求2或3所述的参数生成方法，其特征在于，所述第二半导体模型是根据所述第一半导体模型得到的，
5.根据权利要求4所述的参数生成方法，其特征在于，所述第一半导体模型包括多薄层结构；
6.根据权利要求4所述的参数生...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭满清，张学琛，郭文涛，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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