中国工程物理研究院电子工程研究所专利技术

中国工程物理研究院电子工程研究所共有528项专利

  • 本发明公开了一种用于黑障区高速无线通信的太赫兹无线发射机,按照信息的发送方向依次包括组帧模块、纠错编码模块、交织模块、符号映射模块、成型滤波模块、数模转换器(DAC)、I/Q混频器、带通滤波器(BPF)、功率放大器(PA),PA的输出端...
  • 本发明公开了一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法,所述多脊型半导体激光器包括衬底及其上面包括下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层等在内的外延结构;外延结构上包含多个脊型部,每个脊型部从外延层顶部到达有源层以下,脊型...
  • 本发明提供了一种提高氮化镓基电子器件可靠性的方法,包括:在氮化镓基电子器件制备过程中,外延生长氮化镓层后,将氟原子掺杂入氮化镓层中,然后在保护气氛中热处理,形成氟掺杂的氮化镓层;在氟掺杂的氮化镓层上外延形成势垒层,继续制备氮化镓基电子器...
  • 本发明公开了具备高电磁作用力的微电磁执行器,包括永磁体和微线圈,其特征在于:所述微线圈由若干个相同的矩形铜线圈并排形成平面微线圈,每两个矩形铜线圈之间的间距均相同;所述永磁体由若干磁条拼接而成,每两个相邻磁条的磁化方向均不同。在上述微线...
  • 本发明公开了一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法,包括步骤:GaN基激光器外延片上沉积SiO2掩膜;使用纳米压印技术在基片表面制备均匀的布拉格光栅,光刻技术制作条形图样,形成脊型与光栅的复合结构;刻蚀GaN,经条形光刻胶与光栅...
  • 本发明公开了一种小型便携式电控多用途冲击器。所述冲击器包括:控制盒以及冲击台体;所述控制盒内设有PLC控制器;所述PLC控制器用于控制所述冲击台体运动;所述冲击台体包括底座、丝杠组件、导向套、电磁吸铁安装架、电磁吸铁、落锤组件以及步进电...
  • 本申请涉及探测技术领域,尤其是涉及等离子体光场探测装置和系统。该装置包括:依次连接的透镜、光传感器、微处理器和存储器;其中,所述透镜用于接收并汇聚等离子体产生的光场信号;光传感器,用于将所述经过汇聚的光场信号转换为模拟电信号,发送所述模...
  • 本申请涉及探测技术领域,尤其是涉及等离子体电磁场探测装置和系统。该装置包括:依次连接的微带天线、微处理器和存储器;其中,上述微带天线用于接收等离子体产生的电磁场信号;以及将该电磁场信号转换为模拟电信号,发送该模拟信号;其中,上述等离子体...
  • 本发明公开了一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法,本发明属于薄膜结构处理技术领域,包括清洗步骤、覆胶步骤、曝光步骤、显影步骤、镀膜步骤和剥离步骤,是一种利用斜蒸发处理薄膜结构的方法,以实现微纳尺寸特定、参数可控的侧面薄膜的蒸镀,而满足实际需...
  • 本发明公开了一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器,利用交换偏置多层膜中铁磁/非磁薄膜和/或铁磁/反铁磁薄膜的超快自旋流注入与逆自旋霍尔效应产生太赫兹波。同时利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应产生的交换偏置磁场,固定钉扎铁磁薄膜的磁化强度...
  • 本发明公开了一种采用载体支撑实现多层基板三维堆叠的方法,该方法使用单块基板作为电路和元器件的载体;在基板上根据散热需求及力学支撑需求选择位置焊接支撑载体,支撑载体的材料需根据所述基板的热力学性质进行匹配;然后在支撑载体上表面放置焊料,焊...
  • 本发明提供一种GaN基材料的凹槽制备方法,其制备步骤包括:在特定结构的氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻非凹槽区域;刻蚀非凹槽区域并去除光刻胶;将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀;所述氮化镓基材料的结构自下而上包括:外延衬底、GaN缓...
  • 本发明提供一种GaN基p型栅结构的制备方法,其步骤包括:在氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻待刻蚀区域图形;采用干法刻蚀以光刻胶为掩膜,刻蚀暴露区域的GaN cap层和~90%厚度的p型栅层,去除剩余光刻胶;对处理后的氮化镓基材料进行氧化...
  • 本发明公开了一种太赫兹偏振调控器件,所述太赫兹偏振调控器件包括介电超结构和衬底;所述介电超结构为全介质材料的介电超结构,所述介电超结构包括周期性分布的柱状介电单元;所述柱状介电单元的长轴长度与待调整太赫兹波长的比值处于第一预设区间中;短...
  • 本发明涉及一种用于在大体积陶瓷元件焊盘上焊接镀银铜线的辅助夹具,属于定位夹具技术领域。该辅助夹具,包括支架本体、第一压紧机构和第二压紧机构;第一压紧机构与支架本体连接,第一压紧机构用于将陶瓷元件压紧于支架本体,以使陶瓷元件处于第一位置;...
  • 本发明公开了一种测控系统的下位机缓存数据更新方法,包括以下步骤:上位机建立缓存使用状态记录表;记录每个UDP下载帧;设置一个用于预计结束时间的变量A;更新变量A并写入表M中;测试流程开始;上位机获得当前测试时间,记为变量B;计算剩余维持...
  • 本发明提供了一种起爆接口装置及起爆方法,涉及起爆的技术领域,用于将起爆信号传输至战斗部弹上系统,包括电压比较模块和引爆模块,所述电压比较模块包括电压调节电路和比较电路,所述电压调节电路与所述比较电路连接,所述引爆模块与所述比较电路连接;...
  • 本发明公开了一种陀螺仪模态反转零位自校正方法及系统。该方法包括:采用虚拟激励法对目标陀螺仪、参考陀螺仪的刻度因子进行校准,得到校准后的目标陀螺仪和参考陀螺仪;获取校准后的目标陀螺仪处于正常工作状态时和处于模态反转态时输出的角速率信号;利...
  • 本实用新型公开了一种便携式的半导体器件加热控温装置,包括加热单元、控温单元和计算机,加热单元与控温单元之间通过远程控制线缆连接,控温单元与计算机之间通过数据通讯线缆连接;所述加热单元包括样品台和加热底座,加热底座上安装有加热管,样品台中...
  • 本实用新型公开了一种半槽式天线型芯片‑波导传输过渡结构,包括天线和基板,所述天线用于与基板衔接的一边依次设置有集成端、耦合腔区域和耦合缝,天线通过集成端与基板连接集成呈一体,耦合腔区域紧邻集成端,耦合腔区域的开口朝向基片,耦合缝紧邻耦合...
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