本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，包括顺序排列的半导体堆叠层

本申请公开了一种发光二极管，包括基板、结构层和发光台面，基板上表面配置有发光区和环绕于发光区之外的切割区；结构层铺设在发光区和切割区上；位于发光区处的结构层上配置有发光台面，发光台面包括第一外延层；切割区包括在发光台面周向上间隔布置的第...

本发明提供一种具有高可靠性的发光二极管芯片，包括半导体外延叠层，从上至下依次包括第一导电类型半导体层、发光层以及第二导电类型半导体层；一凹陷区域位于半导体外延叠层的边缘，至少贯穿第一导电类型半导体层和发光层；电极配置在凹陷表面上；以半导...

本发明公开了一种发光二极管器件及发光元件，不仅适用于垂直结构的发光二极管器件，还适用于水平结构、高压结构等其他系列的发光二极管器件。该发光二极管器件包括基板以及位于基板的上表面的多个台面结构，该台面结构包括位于发光区域的发光二极管台面和...

本发明提供一种发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极、第二接触电极和第一金属结构，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层...

本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底，外延结构和欧姆接触层，而外延层又包括N型半导体层、有源层和P型半导体层，P型半导体层远离有源层的一端具有向上凸起的脊形部。其中，脊形部靠近欧姆接触层一侧的上表面含有Sn原子。本申请通过将Sn原子引...

本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底、外延结构和第一阻挡层，外延结构包括自下而上层叠设置的第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层和第二限制层。其中，第二限制层和部分第二波导层被设置为沿远离衬底的方向竖直延伸的凸起，以形成脊形部，并...

本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种激光器芯片，其包括基底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、绝缘层、N型电极和P型电极，N型半导体层位于基底的上表面，有源层位于N型半导体层上，有源层包括在N型半导体层上依次层叠的第一波导层、量子阱...

本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件和显示器，微发光二极管包括外延层和介质层；外延层包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层，且具有相对设置的第一表面和第二表面，第一半导体层位于外延层靠近第一表面的一侧；外延层配置有台面，台...

本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种激光器芯片，其包括绝缘层、N型电极、P型电极和依次层叠的基底、N型高掺杂层、N型半导体层、有源层、P型半导体层。有源层包括在N型半导体层上依次层叠的第一波导层、量子阱层和第二波导层，绝缘层覆盖N型高...

本实用新型公开了一种发光装置及光源模组，该发光装置包括封装基板、共晶柱、焊线柱以及半导体激光元件。其中，封装基板的安装面包括固晶区以及电性连接区，固晶区以及电性连接区之间相互电隔离。共晶柱设置于所述封装基板的固晶区，焊线柱设置于所述封装...

本发明公开了一种发光装置、发光装置制备方法以及光源模组，所述的发光装置包括封装支架以及至少一个半导体激光元件。封装支架包括封装基板以及包围封装基板的安装面的侧壁，该侧壁以及封装基板将封装支架构成一个具有开口式碗杯型腔体。封装基板的安装面...

一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法，包括：提供支架、LED芯片以及封装罩体，该LED芯片设在支架上，于支架上设有凹槽结构及非凹槽区域，封装罩体选用含氟树脂，该含氟树脂覆盖LED芯片、支架的上表面以及凹槽结构。采用含氟树脂作为封装罩体...

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管阵列、发光装置及其制造工艺，以弹性电连接层作为受力基板，在半导体层序列上设置间隙，使得半导体层序列分割为若干独立发光二极管构成的发光二极管阵列，间隙自第一半导体层外露的表面延伸至电连接...

本申请提供了一种半导体激光器封装结构及激光投影设备，包括至少一个发光镜组，每个发光镜组包括依次排列的发光芯片、准直镜组以及反射棱镜，其中，准直镜组的高度不低于反射棱镜。通过将准直镜组设置在反射棱镜与发光芯片之间，发光芯片的出射光会经过准...

本申请提供一种LD封装结构，其包括基板，基板的正面设置有固晶区，用于焊接固定LD芯片，LD芯片在第一方向上发射激光；导热围坝，导热围坝形成在基板的正面，在基板的正面围成空腔，固晶区形成在空腔中并且与导热围坝形成连续结构；电性连接区，位于...

本发明公开了一种发光二极管，包括金属基板、设置在金属基板上方的半导体层序列，半导体层序列至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层和位于两者之间的有源层组成，还包括第一电极和第二电极，第一电极与第一类型半导体层电连接，第二电极与第二类型半...

本发明提出一种微LED外延结构，该外延结构至少包括N型层、发光层、P型层。其中发光层包括n个周期的量子阱结构，每一个周期的量子阱结构包括阱层和势垒层，其中n1个周期的量子阱结构定义为第一发光区，n2个周期的量子阱结构定义为第二发光区，n...

本发明涉及一种微发光组件、显示装置及其制作方法，包括：至少一支撑结构，所述支撑结构由介质层和/或半导体层构成桥臂结构；半导体层序列；所述半导体层序列通过桥臂与基板直接或者间接接触固定，支撑结构还包括突出部，突出部从基板向支撑结构延伸，突...

本发明公开了一种激光二极管及其制造方法，在本发明的一个实施例中的激光二极管包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；形成在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层在顶部形成有脊；形成在所述脊的上方的第二电极接触层；形成在所述脊的侧...