本发明的各个方面提出了一种用于低压或中压器件的超级结沟槽MOSFET器件及其类似器件的制备方法。依据本发明的各个方面，该超级结沟槽MOSFET器件包含一个有源晶胞区和一个端接区，端接区位于有源晶胞区外围。有源晶胞区包含带有超级结结构的器...

一种用于电子器件数据引脚的双向瞬态电压抑制器（TVS）电路在某些实施例中，包含两组转向二极管和一个二极管触发的箝位器件。在其他实施例中，一种用于电子器件数据引脚的双向瞬态电压抑制器（TVS）电路包含两组转向二极管和，每组都带有一个与转向...

一种智能电源模块(IPM)具有第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET、拉杆、集成电路IC、多个引线和一个模塑封装。第一个MOSFET连接到第一个芯片焊盘上。第二...

带有改良FOM的可扩展的SGT结构。一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管包括一个在衬底上方的外延层、一个本体区、一个形成在本体区和外延层中的沟槽，以及一个或多个源极区，形成在本体区的顶面中以及沟槽侧壁附近。屏蔽电极形成在沟槽底部，栅极电极形成在屏...

一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底，一个第二导电类型的本体区，一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，一个轻掺杂源极区和一个形成在本体区中的重掺杂源极区，以及一个延伸到...

本发明提出一种SMPS系统，包括一个SMPS和一个电感电流传感器件。该SMPS包括一个HS开关和一个串联在一起的LS开关，以及一个输出滤波器，输出滤波器包括一个电感器和一个电容器，耦合到由HS和LS开关形成的开关节点上。电感电流由电感器...

本发明提供一种高浪涌双向瞬态电压抑制器。将一种瞬态电压抑制器（TVS）配置成一个NPN双极晶体管，包括单独优化的集电极‑基极和发射极‑基极结，都带有雪崩模式击穿。TVS器件利用一个含有轻掺杂基极区的基极制成，基极区的边界由一对较重掺杂的...

一种用于驱动电源开关的控制器引入一个硬接通禁用电路，当电源开关维持在高电压值时，防止电源开关接通。硬接通禁用电路包括一个硬接通检测电路和一个保护逻辑电路。硬接通禁用电路用于根据检测指示信号，闭锁系统输入信号或者将系统输入信号传递到电源开...

一种智能电源模块包括一个电源开关、一个续流器件以及一个引入了栅极驱动电路和一个或多个电源开关保护电路的控制器电路。在一个实施例中，电源开关是一个绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件，续流器件是一个PN结二极管，将控制器电路配置成半导体集成电...

一种用于检测开关模式电源(SMPS)的电流检测电路，其中SMPS具有一个第一开关、一个第二开关和一个输出滤波器，第一开关和第二开关串联耦合，输出滤波器包括一个电感器和一个电容器，耦合到第一和第二开关形成的开关节点上，电流检测电路具有一个...

一种用于驱动电源开关的控制器，引入了一个保护电路，保护电源开关不受过电压或功率过冲等情况影响。保护电路包括一个故障检测电路和一个保护栅极驱动电路。配置故障检测电路监控电源开关上的电压，产生故障检测指示信号，配置保护栅极驱动电路，产生栅极...

通过检测次级绕组的正电流冲程作为同步整流器关断触发器，一种反激变换器配置强迫式零电压开关(ZVS)时间控制。在开关周期快结束时，接通同步整流器开关，或者延长接通时间，在次级绕组电流上形成电流波纹。反激变换器的控制电路检测次级绕组电流上的...

通过检测次级绕组的正电流冲程作为同步整流器关断触发器，一种反激变换器配置强迫式零电压开关(ZVS)时间控制。在开关周期快结束时，接通同步整流器开关，或者延长接通时间，在次级绕组电流上形成电流波纹。反激变换器的控制电路检测次级绕组电流上的...

本发明涉及一种开关电路，包括导电类型相同的一个第一MOS晶体管和一个第二MOS晶体管，并联在开关电路的第一端和第二端之间，第一和第二MOS晶体管具有各自的栅极端，耦合到控制端上，以接收控制信号，接通或断开第一和第二MOS晶体管。第一MO...

一种电源模块具有一个引线框、一个第一电源芯片、一个第二电源芯片、多个单列直插式引线、一个栅极驱动和保护集成电路（IC）、多个接合引线以及一个成型封装。第一和第二电源芯片贴在引线框的顶面上。多个单列直插式引线具有一个高压电源引线、一个低压...

一种智能电源模块具有第一、第二、第三和第四芯片焊盘，第一、第二、第三、第四、第五和第六晶体管，连接杆、低压IC、高压IC、第一、第二和第三升压二极管、多个引线和一个模压封装。第一晶体管连接到第一芯片焊盘上。第二晶体管连接到第二芯片焊盘上...

本发明的各个方面提出了一种沟槽MOSFET器件的制备方法，包括在半导体衬底中，利用掩膜，同时制备一个窄沟槽和一个宽沟槽，以限定窄沟槽和宽沟槽，在半导体衬底上方制备一个绝缘层，带有填满窄沟槽的第一部分，以及部分填充宽沟槽的第二部分，从宽沟...

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)氮化镓(GaN)双向闭锁器件包括一个异质结结构，包括两个不同带隙的第一半导体层和第二半导体层相交接，从而将交界面层制成一个二维电子气(2DEG)层。HEMT GaN双向闭锁器件还包括一个第一源极/漏极电...

在一个公共芯片上的MOSFET和静电放电(ESD)保护器件，包括一个带有源极、栅极和漏极的MOSFET，以及一个ESD保护器件，用于实现二极管功能，偏置后防止电流通过公共芯片从源极流至漏极。

本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种晶圆级芯片尺寸封装结构及其制备方法，可通过在上层环氧树脂浇灌之前，先对晶圆进行预切割，并一直切到下面保护膜层中，但不切透该保护膜层，然后再进行环氧树脂浇灌以及后续制程，进而在两种不同材料结合...