本发明涉及自稳定固定导通时间控制设备。一些设备和相关方法关联到具有固定导通时间的降压衍生开关模式电源，该电源经配置后可大致维持稳定状态的平均开关周期，后者的时间间隔为负载瞬态开始和电感器电流回到稳定状态之间。在一示例中，时间间隔可包括负...

本发明有些设备和相关方法与封装电路模块适配电感元件并通过旁路开关与电感器构成并联配置的主动操作电导调制设备相关。在说明性示例中，旁路开关可以是一个由两个反串联连接的金属氧化物半导体场效应晶体管组成的可控双向开关。在某些具体体现形式中，封...

本公开提供一种充电器，该充电器包含用于散热的一导热板、以及一晶体管。该晶体管包含一第一脉动电压位准的一漏极终端，以及一第二脉动电压位准的一源极终端。该第二脉动电压电平低于该第一脉动电压电平。其中，该源极终端连接至该导热板，该导热板位在一...

一种配置在印刷电路板(PCB)上的高压转换器包括一个双扩散金属氧化物半导体(DMOS)封装，DMOS封装由一个引线框和一个主DMOS芯片构成。引线框包括一个电连接到主DMOS芯片栅极电极的栅极段，一个电连接到主DMOS芯片的源极电极的源...

超级结功率半导体器件包括一个带有超级结结构的端接区，其击穿电压高于有源晶胞区的击穿电压。在一个实施例中，端接区包括超级结结构，其立柱电荷低于形成在有源晶胞区中的超级结结构的立柱电荷。在其他实施例中，超级结功率半导体器件引入带有倾斜侧壁的...

一种超级结功率半导体器件包括一个带有超级结结构的端接区，其击穿电压高于有源晶胞区的击穿电压。在一个实施例中，端接区包括超级结结构，其立柱电荷低于形成在有源晶胞区中的超级结结构的立柱电荷。在其他实施例中，超级结功率半导体器件引入带有倾斜侧...

本发明涉及多功能三象限电桥。一些装置和相关方法关联产生三象限电桥的降压衍生开关模式电源；该电桥由并联于电感器的旁路开关形成。在一示例中，旁路开关经配置后，可响应平均负载需求的减小，在第一模式下运行，接通旁路开关以在高端和低端开关均断开的...

一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底、一个第二导电类型的本体区、一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，形成在本体区中的一个轻掺杂源极区和一个重掺杂源极区，以及一个沟槽接...

一转换装置包含：一驱动装置，设置为由一充电信号充电连接端，且由一放电信号放电该连接端，以产生一驱动信号；一滤波装置，耦接至该连接端以根据该驱动信号产生一输出电压；以及控制装置，耦接至该连接端，用以接收该驱动信号以产生一控制信号；其中该驱...

本发明是一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括屏蔽沟槽栅极结构和超级结结构的组合，在含有漂流区中交替的n‑掺杂和p‑掺杂立柱的外延层内。在一个示例中，栅极沟槽形成在n‑掺杂立柱中和n‑掺杂立柱上方，n‑掺杂立...

一种用于开关调制器的控制电路，配置了固定频率稳定接通时间控制体系，引入一个参考电压产生器，产生参考电压斜坡，在几乎整个开关周期上变化。在一个实施例中，参考电压从每个工作周期开始时的初始电压值开始向开关周期的终点不断增大，在每个开关周期结...

一种半导体封装和半导体晶圆，分开半导体晶圆，形成多个半导体封装。半导体晶圆具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。半导体封装具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一...

一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个有源晶胞区，有源晶胞区包括多个超级结沟槽功率MOSFET，肖特基二极管区包括多个肖特基二极管，形成在具有超级结结构的漂流区中。每个集成的肖特基二极管都包括一个肖特基接...

本发明公开了一种用于电压转换装置的次级单元与初级单元之间传递反馈信号的隔离耦合结构，包括：一第一介电层，第一介电层包括一第一表面以及与第一表面相背的一第二表面；一第一耦合线圈，设置于第一表面，第一耦合线圈于第一表面围合形成一内部区域；一...

本发明提出一种瞬变电压抑制器器件，包括一个P‑N结二极管和一个可控硅整流器，集成在一个半导体层的横向器件结构中。横向器件结构包括半导体区域的多个条形结构，沿半导体层主表面上的第一方向水平排布，限定了条形结构之间的电流传导区。可控硅整流器...

本发明涉及高浪涌瞬变电压抑制器。其中，一种双向瞬态电压抑制器配置成一个NPN双极晶体管，引入优化的集电极‑基极结，实现了雪崩模式击穿。在某些实施例中，双向瞬变电压抑制器配置成一个NPN双极晶体管，引入单独优化的集电极‑基极和发射极‑基极...

一种智能电源模块(IPM)具有第一、第二、第三和第四个芯片焊盘、第一、第二、第三、第四、第五和第六个金属‐氧化物‐半导体场效应晶体管(MOSFET)、一个连接杆、一个金属块、多个垫片、多个引线和一个成型封装。成型封装包装了第一、第二、第...

本发明的各个方面提出了一种功率半导体器件，耦合到流通负载电流的负载上，包括一个电源开关，其第一端耦合到负载上，以及一个控制器耦合到电源开关的控制端。控制器包括一个栅极驱动电路，用于在正常的开关操作中控制电源开关的控制端；一个过电压检测电...

本发明涉及引入外延层场阑区的反向传导IGBT及其制备方法。提供的一种反向传导的绝缘栅双极晶体管RC‑IGBT，包括一个具有基极区的半导体本体，半导体本体中引入一个场阑区，其中基极区和场阑区都利用外延工艺制成。另外，外延层场阑区由改良掺杂...

一种半导体器件包括一个具有基极区的半导体本体，半导体本体中引入一个场阑区，其中基极区和场阑区都利用外延工艺制成。另外，外延层场阑区由改良掺杂结构构成，实现了半导体器件改良的软切换性能。在一些实施例中，形成在场阑区中的改良掺杂结构包括变化...