本揭露有关于一种加热装置。此加热装置包含承载平台及复合加热环。此承载平台是用以承载晶圆，且复合加热环设置于承载平台及晶圆之间。其中，复合加热环是沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载平台...

本发明的实施例涉及提供包括栅极电介质的高压晶体管(HVT)的方法和结构，其中，在设置在衬底内的沟槽内设置栅极电介质的至少部分。在一些方面，可以通过沟槽深度来控制栅极氧化物厚度。通过提供具有形成在沟槽内的栅极电介质的HVT，本发明的实施例...

本发明实施例涉及一种能够使用小覆盖区接收高压的高压电阻器件以及相关的制造方法。在一些实施例中，高压电阻器件具有包括第一掺杂类型的第一区的衬底和布置在第一区上方的衬底内并具有第二掺杂类型的漂移区。具有第一掺杂类型且横向接触漂移区的主体区；...

提供一种半导体装置的形成方法，包括：将第一掩模层上方的多个第一心轴图案化。方法还包括：形成第一间隔层在第一心轴的侧壁和顶部上。方法还包括：移除第一间隔层的水平部分，其中第一间隔层的剩余垂直部分形成第一间隔物。方法还包括：在移除第一间隔层...

通过提供导热片于蚀刻腔体中的介环以及静电吸盘之间而改善了蚀刻均匀度。上述导热片提供了连续的被动热路径，以将热从介环以及晶片端缘散逸至静电吸盘。上述导热片有助于将接触或靠近晶片的各种元件的温度控制在较为一致的温度。由于温度可能会影响蚀刻速...

一种用于阻止迹线上凸块结构中的邻近的金属迹线桥接的方法和器件。实施例包括确定封装元件的热膨胀系数(CTE)和处理参数。然后分析设计参数并可以基于封装元件的CTE和处理参数修改设计参数。本发明提供了迹线上凸块结构的迹线布局方法。

提供了用于半导体器件的改进导电部件和用于形成该部件的技术。在示例性实施例中，该半导体器件包括衬底，其上形成有栅极结构。栅极结构包括：栅极介电层，设置在衬底上；生长控制材料，设置在栅极结构的侧面上；以及栅电极填充材料，设置在生长控制材料上...

一种光掩模包括：图案区；以及多个缺陷，位于所述图案区中。所述光掩模进一步包括：第一基准标记，位于所述图案区之外，其中所述第一基准标记包括所述光掩模的识别信息，所述第一基准标记具有第一大小及第一形状。所述光掩模进一步包括：第二基准标记，位...

本发明实施例提供一种烘烤设备及烘烤方法。烘烤设备包括一加热板。烘烤设备还包括一第一导引衬套。第一导引衬套围绕加热板设置。烘烤设备还包括一第二导引衬套。第二导引衬套位于加热板与第一导引衬套之间。一气流流道定义于第一导引衬套与第二导引衬套之...

本揭露实施例涉及一种噪声检测电路。该噪声检测电路包含：第一晶体管，其经配置以接收时钟信号的经延迟版本；第二晶体管，其经配置以接收参考时钟信号的经延迟版本；和锁存电路，其在第一节点处耦合到所述第一晶体管且在第二节点处耦合到所述第二晶体管，...

本发明实施例涉及一种测定生物分子特征的半导体装置。一种半导体装置包含电路层及纳米孔层。所述纳米孔层形成于所述电路层上且形成有穿过其的孔。所述电路层包含电路单元，所述电路单元经配置以驱动生物分子穿过所述孔且检测与所述纳米孔层的电阻相关联的...

一种平台旋转装置，包括耦合至一平台的旋转器组件。此旋转器组件在第一模式操作时，基于电能输入而增加平台的旋转动能，以及在第二模式操作时，此旋转器组件减少平台的旋转动能，并且基于平台的减少的旋转动能而产生电能输出。一能量储存装置，电性耦合至...

本发明实施例涉及一种静电放电保护电路。一种静电放电ESD保护电路，其耦合于第一供电总线与第二供电总线之间。所述ESD保护电路包含：检测电路；上拉电路，其耦合到所述检测电路，所述上拉电路包括至少一第一n型晶体管；下拉电路，其耦合到所述上拉...

提供一种在外延的源极/漏极的成长制程中结合横向蚀刻以形成硅锗源极/漏极区的方法，举例来说，此方法可包含在基底上形成多个鳍，这些鳍中的每一个具有第一宽度，可在这些鳍上形成硅锗源极/漏极区，其中每一个硅锗源极/漏极区具有与第一宽度相同方向的...

提供一种光传感装置的结构及制造方法。此光传感装置包含半导体基底和在半导体基底中的光感测区域。光传感装置也包含在半导体基底上方且与光感测区域对齐的滤光元件。滤光元件具有第一部分及第二部分，且第一部分位于第二部分与光感测区域之间。光传感装置...

一种装置包括第一电容器及并联连接到所述第一电容器的第二电容器。所述第一电容器包括半导体区及第一多个栅极堆叠。所述第一多个栅极堆叠包括：多个栅电介质，位于所述半导体区之上且接触所述半导体区；以及多个栅电极，位于所述多个栅电介质之上。所述第...

本发明的实施例提供了一种包括SRAM单元的半导体器件。SRAM单元包括第一至第五有源区。第一至第四有源区分别包括第一至第四晶体管的沟道区和源极/漏极(S/D)区，并且第五有源区包括第五和第六晶体管的沟道区和S/D区。SRAM单元还包括被...

本揭示案是为一种可配置式加热装置，其包括比较器及可配置式加热器的装置。比较器用以比较在光子元件中传输的光的传输相位与参考相位以生成相位差。可配置式加热器相对于光子元件设置并包括多个加热器段，其中操作中的加热器段的数量基于相位差而微调。

一种沟槽结构，包括顶部金属层；在顶部金属层上的碳化硅(SiC)层；覆盖碳化硅层的第一钝化层；以及覆盖第一钝化层的第二钝化层。沟槽结构还包括第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁、第二侧壁、以及顶部金属层一起形成沟槽。第一侧壁及第二侧壁中的至少一者...

本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包括于鳍结构上方形成第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。于第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构上方形成硬遮罩图案层。第一虚设栅极结构从硬遮...