The structure and manufacturing method of an optical sensor device are provided. The optical sensing device comprises a semiconductor substrate and a photosensitive region in the semiconductor substrate. The optical sensing device is also included in a filter element above the semiconductor substrate and aligned with the light sensing area. The filter element has the first part and the second part, and the first part is located between the second part and the light sensing region. The optical sensing device is also included in a light shielding element above the semiconductor substrate and next to the first part of the filter element. In addition, the optical sensing device includes a dielectric element on the light shielding element and next to the second part of the filter element. The top width of the shading element is larger than the bottom width of the dielectric element.
【技术实现步骤摘要】
光传感装置
本专利技术实施例是关于半导体制造技术，特别是有关于光传感装置的结构及制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业经历快速成长。集成电路在材料与设计上的技术进步已产生出许多代的集成电路。每一代的集成电路相较于前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路进化的过程中，功能密度(即每一个芯片区中互相连接的装置数量)总体上增加，同时几何大小(即使用一制造程序可生产的最小构件(或导线))缩小。此尺寸缩减制程一般而言提供增加生产效率以及降低相关成本等优点。随着由缩减几何大小所得到的优势，直接地使集成电路装置改良。前述其中一种集成电路装置为影像传感装置。希望能够形成具有更高性能与可靠度的影像传感装置。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供光传感装置，其包含半导体基底，位于半导体基底中的光感测区域，位于半导体基底上且与光感测区域对齐的滤光元件，其中滤光元件具有第一部分及第二部分，且第一部分位于第二部分与光感测区域之间，遮光元件位于半导体基底上且在滤光元件的第一部分旁边，以及介电元件位于遮光元件上且在滤光元件的第二部分旁边，其中遮光元...
【技术保护点】
1.一种光传感装置，包括：一半导体基底；一光感测区域，位于该半导体基底中；一滤光元件，位于该半导体基底上且与该光感测区域对齐，其中该滤光元件具有一第一部分及一第二部分，且该第一部分位于该第二部分与该光感测区域之间；一遮光元件，位于该半导体基底上且在该滤光元件的该第一部分旁边；以及一介电元件，位于该半导体基底上且在该滤光元件的该第二部分旁边，其中该遮光元件的一顶部宽度大于该介电元件的一底部宽度。
【技术特征摘要】
2017.06.27 US 15/634,1481.一种光传感装置，包括：一半导体基底；一光感测区域，位于该半导体基底中；一滤光元件，位于该半导体基底上且与该光感测区域对齐，其中该滤光元件具有一第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑允玮，朱益兴，黄胤杰，周俊豪，李国政，黄薰莹，陈信吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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