在这些实施例中，半导体装置包括具有n型掺杂的阱结构的基板，以及形成于基板上的外延硅锗鳍状物。外延硅锗鳍状物具有下侧部分与上侧部分。下侧部分的锗含量小于上侧部分的锗含量。通道由外延硅锗鳍状物所形成。栅极形成于外延硅锗鳍状物上。掺杂的源极/...

本发明描述了切割栅极结构的方法以及形成的结构。在一个实施例中，结构包括有源区上方的第一和第二栅极结构以及栅极切割填充结构。第一和第二栅极结构平行延伸。有源区包括横向地设置在第一和第二栅极结构之间的源极/漏极区。栅极切割填充结构具有第一和...

一种鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法被提供。此鳍式场效晶体管装置结构包括形成于基板之上的鳍式结构；形成于鳍式结构之上的栅极介电层；形成于栅极介电层之上的栅极电极层；以及形成于栅极电极层之上的栅极接触结构。此栅极接触结构包括形成于栅极电...

本揭露提供一种具有减少的寄生电容的鳍状场效晶体管装置。所述鳍状场效晶体管装置包括具有至少一鳍的半导体基材和横跨此至少一鳍的栅极结构。所述栅极结构包括二个栅极堆叠、栅极隔离结构和二个间隙壁。所述栅极隔离结构是设于栅极堆叠之间并与栅极堆叠相...

一种方法包括提供结构，其中，该结构含有衬底、衬底上方的栅极结构、以及与栅极结构相邻的含有硅锗(SiGe)的源极/漏极(S/D)部件。该方法还包括将镓(Ga)注入到S/D中；在第一温度的条件下实施第一退火工艺以再结晶SiGe；在第一退火工...

一种晶体管包括衬底上的栅极结构，其中衬底包括栅极结构下方的信道区。晶体管还包括衬底中的源极，其邻近栅极结构的第一侧。晶体管还包括衬底中的漏极，其邻近栅极结构的第二侧，其中栅极结构的第二侧相对于栅极结构的第一侧。晶体管还包括邻近源极的第一...

本揭露实施方式揭示垂直存储单元及使用其的记忆装置。在一个实例中，揭示在基板上方的后端层上形成的存储单元。存储单元包括：第一电极、第二电极及磁穿隧接面。第一电极具有安置在后端层上方的侧壁及底表面。第二电极具有与后端层接触的侧壁及底表面。磁...

本公开实施例关于具有将光同调地朝影像感测器反射的横向共振结构的半导体装置。半导体装置包括影像感测单元配置于基板中。射线吸收区配置于基板中及影像感测器上，并包含具有特征尺寸与外侧边界的凸状物阵列。包含多个深沟槽隔离结构的共振结构位影像感测...

本发明实施例涉及一种具有在前段制程工艺期间形成的焊盘结构的图像传感器及其形成方法。可以在形成背侧深沟槽隔离结构和金属栅格结构之前形成焊盘结构。在图像传感器件的背侧上形成开口以暴露嵌入式焊盘结构并形成电连接。

提供图像传感装置的形成方法。方法包括提供基板。基板具有正面与背面，且基板具有光接收区与装置区。方法包括分别形成第一晶体管与第一源极/漏极结构于光接收区与装置区中。第一晶体管包括第一栅极结构、光传感结构、与第二源极/漏极结构，第一栅极结构...

本发明实施例公开一种非易失性存储器单元。在一个实例中，所述非易失性存储器单元包括：衬底；第一氧化物层，位于所述衬底之上；浮动栅极，位于所述第一氧化物层之上；第二氧化物层，位于所述浮动栅极之上；以及控制栅极，至少局部地位于所述第二氧化物层...

本公开实施例提供静态随机存取存储器结构。静态随机存取存储器结构包括复数第一井区、复数第二井区、一第三井区、复数第一井拾取区、复数第二井拾取区以及复数存储器单元。第一井区具有第一掺杂类型并形成在半导体基底内。第二井区具有第二掺杂类型并形成...

本发明实施例涉及具有高迁移率的集成电路元件以及形成集成电路元件的系统。一种集成电路元件包含：第一鳍片结构，其在第一方向上放置在衬底上；第二鳍片结构，其放置在所述衬底上且在所述第一方向上对准；第三鳍片结构，其放置在所述衬底上且在所述第一方...

一种半导体元件，例如鳍式场效应晶体管装置包含鳍片，设置在鳍片侧表面处的磊晶层，设置在磊晶层和鳍片上的接触。接触包含磊晶接触部分和设置在磊晶接触部分上的金属接触部分。磊晶接触部分的掺杂浓度高于磊晶层的掺杂浓度。

描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍、位于衬底上的第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括绝缘衬垫和位于绝缘衬垫上的填充材料。绝缘衬垫邻接第一鳍...

描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二...

本公开实施例提供鳍式场效晶体管装置结构，其包含鳍结构形成于基底上，以及第一栅极结构形成于鳍结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一盖层形成于第一栅极结构上，以及第一蚀刻停止层位于第一盖层和第一栅极结构上。鳍式场效晶体管装置结构还包含第一...

本发明的一些实施例揭露一种半导体结构。所述半导体结构包含：第一标准单元；和第二标准单元；其中沿着第一方向的所述第一标准单元的单元宽度大体上相同于沿着所述第一方向的所述第二标准单元的单元宽度，且沿着垂直于所述第一方向的第二方向的所述第一标...

一种制作集成电路装置的方法。设计集成电路装置的方法包括接收集成电路装置的初始设计，所述初始设计包括集成电路组件的功能群组的选择及位置、具有用于向组件供电的多层导电线的电源网格以及对不同层的导电线进行内连的具有一种或多种初始大小的通孔。所...

一种叠对记号结构包括位于芯片上的第一周期性结构，第一周期性结构包括位于芯片上的第一层材料。叠对记号结构还包括位于邻近于第一周期性结构的芯片的区域内的第二周期性结构，第二周期性结构包括设置在芯片上的第二层材料。叠对记号结构还包括位于芯片上...