本发明的实施例提供了一种存储器架构及其操作方法。存储器架构包括：多个单元阵列，每个单元阵列均包括多个位单元，其中，多个单元阵列中的每个位单元均使用相应的可变电阻介电层以在第一和第二逻辑状态之间转换；以及控制逻辑电路，连接至多个单元阵列，...

本揭露实施例提供一种半导体机台管理方法，用于透过电子装置管理多台半导体机台。在此方法中，多台半导体机台分别透过多个控制主机控制，且多个控制主机与电子装置是连接于多电脑切换器。此方法包括：透过切换器装置接收控制多台半导体机台的各控制主机的...

本揭露提供用于监测受测试装置中的瞬态时间的电路。电路包括电性耦接到受测试装置的瞬态边缘削波器电路。所述瞬态边缘削波器电路被配置成去除受测试装置的电压波形的超过阈值范围的电压电平以产生经削波电压波形。所述电路还包括电性耦接到瞬态边缘削波器...

本发明实施例提供了具有不对称的源极/漏极结构的半导体器件和形成方法。在一个实例中，半导体器件包括位于衬底上的第一组鳍结构上的第一组源极/漏极结构、位于衬底上的第二组鳍结构上的第二组源极/漏极结构、以及分别位于第一组鳍结构和第二组鳍结构上...

本揭露实施例涉及半导体结构及用于制造半导体结构的方法。本揭露提供一种半导体结构，其包含逻辑区及存储器区。所述存储器区包含：第N金属层的第一第N金属线；磁性穿隧结MTJ，其在第一第N金属线上方；碳基层，其介于所述第一第N金属线与所述MTJ...

本发明一些实施例揭露一种存储器装置以及存储器装置制造方法。所述存储器装置包含：第一存储器单元，其包含：第一晶体管；第二晶体管；及第一电容器；第二存储器单元，其包含：第三晶体管；第四晶体管；及第二电容器；第三存储器单元，其包含：第五晶体管...

本发明实施例涉及半导体装置及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体装置包含电容装置、第一导电通孔及第二导电通孔。所述电容装置包含第一导电板、第一绝缘板、第二导电板、第二绝缘板及第三导电板。所述第一导电通孔电耦合到所述第一导电板及...

本发明提供了通过物理汽相沉积(PVD)工艺形成导电填充材料(例如，导电部件)的方法。在一个实施例中，在衬底上形成导电填充材料的方法包括在第一时间段内将衬底保持在第一范围内的第一衬底温度，同时在衬底上形成导电填充材料的预层，向衬底提供热能...

一种半导体制造设备，包含一装载腔室、一夹持装置、一驱动机构以及一气帘装置。装载腔室是配置以储存一或多个半导体元件。夹持装置是配置以夹持半导体元件。驱动机构是连接夹持装置，且驱动机构是配置以驱动夹持装置将至少一半导体元件于装载腔室与一处理...

一种离子布植机及离子布植机腔室的制造方法。此离子布植机包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上。第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表...

本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS...

本发明实施例涉及磁阻式随机存取存储器结构及其制造方法。一种磁阻式随机存取存储器结构，所述磁阻式随机存取存储器结构包含阵列区域及毗邻于所述阵列区域的逻辑区域。所述逻辑区域包含底部电极通路、位于所述底部电极通路上方的磁阻式穿隧结层、位于所述...

半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的至少一个凸块结构。至少一个凸块结构包括设置在衬底上方的由金属形成的柱，该金属相对于铜或铜合金与焊料相比具有更低的可焊性。焊料合金形成在比铜或铜合金具有更低的可焊性的金属的上表面正上方并且与金属的上表面...

半导体结构包括：半导体基板，具有主动区域；场效元件，设置在半导体基板上，场效元件包括具有在第一方向中定向的伸长形状的栅极堆叠；第一金属层，设置在栅极堆叠上方，第一金属层包括在与第一方向正交的第二方向中定向的第一金属线；第二金属层，设置在...

本公开部分实施例提供一种当道工艺检查方法。上述检查方法包括沿着两个相反方向，形成多个测试结构在一半导体晶圆上。每一测试结构包括一目标特征以及形成在目标特征上方的一样本特征。沿着上述两个相反方向，测试结构内的目标特征与样本特征间的偏移距离...

本申请的实施例提供一种封装结构。封装结构包括第一凸块结构形成于基板之上，焊料接合点形成于第一凸块结构之上，以及第二凸块结构形成于焊料接合点之上。第一凸块结构包括第一柱状层形成于基板之上，以及第一阻障层形成于第一柱状层之上。第一阻障层具有...

方法包括在衬底上沉积目标层；通过将离子注入到目标层中来减少入射到目标层上的光的反射，从而产生离子注入的目标层；在离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；使用光刻工艺将光刻胶层暴露于光，其中目标层在光刻工艺期间减少在离子注入的目标层和光刻胶层之间...

光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底...

一种半导体器件包括：第一鳍结构和第二鳍结构，设置在衬底上，分别平行于轴延伸；第一栅极部件，横穿第一鳍结构以覆盖第一鳍结构的中心部分；第二栅极部件，横穿第二鳍结构以覆盖第二鳍结构的中心部分；第一间隔件，包括：第一部分，包括两个层，两个层分...

一种缺陷检查方法包括：从缺陷扫描器接收缺陷图，其中所述缺陷图包括半导体工件的至少一个缺陷位置；以所述半导体工件的参考基准位置对所述缺陷图进行注释；确定所述半导体工件的图像数据内的探测基准位置；基于所述探测基准位置与所述参考基准位置的比较...