本发明涉及单向低电容浪涌保护器件，包括第一PIN管和第二PIN管，第一TVS管和第二TVS管和GTO管，中，其第一PIN管的阳极作为第一引出端S1；第一PIN管的阴极与第二PIN管的阳极相连，且与GTO管的阳极相连；第二PIN管的阴极与...

本发明涉及一种低导通电阻阻断型浪涌保护器件，具有小触发电流应用下的低导通电阻特性，至少包括第一、第二、第三耗尽型场效应晶体管Q1、Q2、Q3，第一、第二可变电阻元件、第一、第二电阻构成串联结构的导通路径，形成电路模块，其中，Q1的漏极与...

本发明涉及一种双向低压穿通瞬态电压抑制二极管，所述的二极管自下而上由五个区域构成硅片，硅片正面和背面均形成有金属电极，五个区域包括：第一区域为ｎ型掺杂的ｎ＋衬底；第二区域为ｐ型掺杂的ｐ＋埋层；第三区域为ｐ型掺杂的ｐ－外延层；第四区域为ｐ...

本发明一种集成低压低电容ＴＶＳ器件及其制造方法，由低电容二极管和低压ＴＶＳ管串联构成，二极管通过Ｎ＋隔离墙和Ｐ型埋层与ＴＶＳ管悬浮隔离，ＴＶＳ管自上而下依次由Ｎ＋发射区、Ｐ＋基区、Ｐ－基区、Ｎ＋埋层和Ｎ型衬底构成；二极管自上而下依次由Ｐ...

本发明涉及低电容电压可编程ＴＶＳ器件及其制造方法，由闩锁通路和限压保护通路构成，在闩锁通路上，ＰＮＰ三极管和ＮＰＮ三极管构成闩锁结构，输入端接ＰＮＰ三极管的发射极，ＰＮＰ三极管的集电极接ＮＰＮ三极管的基极，ＰＮＰ三极管的基极接ＮＰＮ三极...

本发明涉及一种新型的阻断型浪涌保护器件，所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述的浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极串联，其中，所述的第一耗尽型场效应晶...

本发明涉及一种新型的双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，第一、第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相串联，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源...

本发明涉及半导体器件双向低压瞬态电压抑制器件的领域，具体为低电容双向ＥＳＤ保护器件及其制备方法。一种低电容双向ＥＳＤ保护器件，由低电容二极管和低压ＴＶＳ管串联构成，其特征在于：包括四个导向二级管和一个ＴＶＳ管，四个导向二级管分布在ＴＶＳ...

本发明涉及一种高分子基体双面表面贴装型静电防护器件及其制备方法，包括基板、内电极、芯材，端部设有的端电极，其中，所述的基板包括上下两块，在上、下基板之间夹有一块半固化片，半固化片上设有通孔，上基板、半固化片、下基板依次叠置，上、下基板上...

本发明涉及一种高分子半导体材料及其在电子线路静电放电防护器件中的应用，为一种瞬时脉冲抑制器件，包括基板、内电极、端电极和外侧的包封层，所述的内电极中部开设有狭缝，狭缝中充满高分子半导体材料，所述狭缝的宽度为０．０１～０．１ｍｍ，所述的高...