双向阻断型浪涌保护器件制造技术

本发明专利技术涉及一种新型的双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，第一、第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相串联，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。本发明专利技术形成类似可重置保险丝的可变电阻电路，可无限次重复阻断复位，双向阻断型浪涌保护器件还可实现正反向浪涌的阻断，提升阻断型浪涌保护器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及半导体浪涌保护器件的领域，为一种双向阻断型浪涌保护器件。
技术介绍
电源浪涌或瞬态过压定义为电子线路中出现显著超出设计值的电压，它主要有雷 击、电力线搭接、电力线感应、或者地弹。当浪涌足够高，瞬态过压可以对计算机、电话等电 子设备造成严重的损害。它同样也会造成设备寿命减少。 瞬态电压浪涌抑制器限制了电力浪涌耦合到设备的能量，从而保护电子设备不被 损害。这类的产品包括，浪涌保护晶闸管、氧化物压敏电阻和雪崩二极管。这两种类型的器 件都是并联在被保护电路，瞬态电流会从它们提供的并联通路流出。这类并联保护存在较 多问题。它们包括(1)与具体的浪涌类型有关，需要选择繁多的型号匹配；(2)会限制系统 带宽(容性负载限制它们只能用于低带宽的应用)；(3)需要多个元件构成的复杂设计，导 致高的失效率；(4)经常需要较大的空间；(5)针对保护设计方案而言，单位成本高。 目前得益于不间断电源供应器(UPS)的引入，家用电脑、卫星接收和其他家庭应 用设备的已经拥有更为安全的保护。但是，计算机和其他数据系统通过数据线与外部世界 相连，这些数据线工作在非常低的电压信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向阻断型浪涌保护器件，由耗尽型场效应晶体管和电阻构成，其特征在于：包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管、第三耗尽型场效应晶体管、第一电阻以及第二电阻，所述的第一耗尽型场效应晶体管的源极及第二耗尽型场效应晶体管的源极分别与第三耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相连，构成串联结构，其中，第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一耗尽型场效应晶体管的源极相连；第三耗尽型场效应晶体管的栅极与第一电阻、第二电阻均相连，第一电阻的另一端与模块输入端相连，第二电阻的另一端与模块输出端相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏海伟，张关保，张婷，吴兴农，李星，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]