阻断型浪涌保护器件制造技术

本发明专利技术涉及一种新型的阻断型浪涌保护器件，所述的浪涌保护器件包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述的浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极串联，其中，所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与模块输出端相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一电阻连接，第一电阻再与模块输入端相连。本发明专利技术可形成类似于可重置保险丝的可变电阻电路，实现如保险丝阻断浪涌一样的作用，且可无限次重复阻断复位，阻断型浪涌保护器件与负载串联，使能够特定地保护单个负载，并且能够应用于高带宽的系统，同时实现过电压和过电流保护。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及半导体浪涌保护器件的领域，为一种阻断型浪涌保护器件。
技术介绍
电源浪涌或瞬态过压定义为电子线路中出现显著超出设计值的电压。它主要有雷 击、电力线搭接、电力线感应、或者地弹。当浪涌足够高，瞬态过压可以对计算机、电话等电 子设备造成严重的损害。它同样也会造成设备寿命减少。 瞬态电压浪涌抑制器限制了电力浪涌耦合到设备的能量，从而保护电子设备不被 损害。这类的产品包括，浪涌保护晶闸管、氧化物压敏电阻和雪崩二极管。这两种类型的器 件都是并联在被保护电路，瞬态电流会从它们提供的并联通路流出。这类并联保护存在较 多问题，包括(l)与具体的浪涌类型有关，需要选择繁多的型号匹配；(2)会限制系统带宽 (容性负载限制它们只能用于低带宽的应用)；(3)需要多个元件构成的复杂设计，导致高 的失效率；(4)经常需要较大的空间；(5)针对保护设计方案而言，单位成本高。 目前得益于不间断电源供应器(UPS)的引入，家用电脑、卫星接收和其他家庭应 用设备的已经拥有更为安全的保护。但是，计算机和其他数据系统通过数据线与外部世界 相连，这些数据线工作在非常低的电压信号而且非常敏感。不幸的是，由于并联保护存在的 较多问题，目前的浪涌保护技术仍然不能给予这类系统足够的安全保证。结果是，众多公司 在生产率降低和损害设备的修复上付出了昂贵的代价。 阻断型浪涌保护器件(Blocking Surge Protector)，以下简称BSP，是一项颠覆性 技术，它提供了一种全新的浪涌保护方法。与传统的旁路瞬态保护器将能量从负载转移的 工作原理不同，BSP与负载串联，从而使它能够特定地保护单个负载。当它达到他的触发阈 值后，它会改变状态，然后使浪涌重定向经气体放电管等初级防护通路流过，从而"阻断"进 入被保护设备的瞬态浪涌。 阻断型浪涌保护器件(BSP)的全新的浪涌保护原理解决了传统浪涌保护器件存 在的问题(l)能够适用多种浪涌类型，不存在繁杂的选型；(2)串联应用，不影响系统带 宽，可应用于高速数据系统的保护；(3)应用设计简单，降低保护设计的失效率；(4)同时 实现过流过压防护，替代多个器件的功能，相应减小了空间占用；(5)针对保护设计方案而 言，单位成本降低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于为被保护系统提供一种阻断型浪涌保护器件 (BSP)，该器件类似于可重置保险丝的可变电阻电路模块，不仅可以实现保险丝阻断浪涌的 作用，而且还可以重复阻断复位。 本专利技术解决上述技术问题所采取的技术方案是一种阻断型浪涌保护器件，包括 第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连，构成串联结构， 其中，所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与模块输出端相连； 第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一电阻连接，第一电阻再与 模块输入端相连。 其原理为在正常工作情况下两个耗尽型场效应晶体管均导通，整个电路模块表 现为小电阻的"短路"状态，类似于熔丝正常工作下的特性；当输入端进入正向浪涌，两个场 效应晶体管的漏源电阻增大，相互反馈形成夹断，最终输入端到输出端形成高阻状态，整个 电路模块表现为高阻的"阻断"状态，类似于熔丝的熔断状态，从而"阻断"正向浪涌经过浪 涌保护电路模块进入被保护系统。 在上述方案的基础上，作为本专利技术的一个改进，所述的浪涌保护器件还包括第二 电阻，第二电阻的两端分别与第二耗尽型场效应晶体管的源极和漏极相连。第二电阻能够 在所述两个耗尽型场效应晶体管都关断后，为它们的源极提供稳定的电位，避免该节点在 阻断型浪涌保护器件(BSP)"阻断"状态下处于浮空，保证BSP的瞬态响应不受该节点存储 电荷的影响。 在上述方案的基础上，作为本专利技术的又一个改进，所述的浪涌保护器件还包括反 馈分压器，反馈分压器并联于第二耗尽型场效应晶体管的漏极和源极之间，反馈分压器中 间节点与第一耗尽型场效应晶体管的栅极相连，第一耗尽型场效应晶体管的栅极经该反馈 分压器与模块输出端相连。利用所述反馈分压器减小了阻断型浪涌保护器件在"短路"状 态下的串联电阻，降低了正常工作情况下BSP对被保护系统的信号电压及功耗的影响。 在上述方案的基础上，所述反馈分压器由第三电阻和第四电阻构成，第三电阻和 第四电阻在第二耗尽型场效应晶体管源极和漏极之间并联。 在上述方案的基础上，所述的第一、第二耗尽型场效应晶体管为金属氧化物半导 体场效应晶体管(MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)及静电感应场效应晶体管(SIT)中的 一种。 具体的，所述的第一耗尽型场效应晶体管优选为金属氧化物半导体场效应晶体管 (M0SFET)。 进一步，所述的第一耗尽型场效应晶体管为高压金属氧化物半导体场效应晶体管 (HV M0SFET)。 在上述方案的基础上，所述的第二耗尽型场效应晶体管为结型场效应晶体管 (JFET)。 在上述方案的基础上，所述浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的导电沟道 类型与所述第二耗尽型场效应晶体管的导电沟道类型相反。 在上述方案基础上，提供针对第一、第二耗尽型场效应晶体管类型及其导电沟道 类型的具体方案 —、当浪涌保护器件用于阻断正向浪涌时，所述第一耗尽型场效应晶体管为耗尽 型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NM0SFET)，进一步优选高压耗尽型N沟道金属 氧化物半导体场效应晶体管(HVNMOSFET)，所述第二耗尽型场效应晶体管为耗尽型P沟道 结型场效应晶体管(PJFET);通过高压耗尽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(HV NM0SFET)的漏极与浪涌保护器件(BSP)模块输入端相连，能够保证BSP "阻断"时可以承受4几百伏的高压。考虑到耗尽型P沟道结型场效应晶体管(PJFET)相比其他耗尽型P沟道场 效应晶体管具有更为优越的通态性能及更宽的夹断电压范围，因此选择耗尽型PJFET与耗 尽型HV NMOSFET串联，保证了 BSP在"短路"状态下更小的串联电阻和在发生"阻断"时与 耗尽型HV NMOSFET相互反馈形成更快的关断。 二、当浪涌保护器件用于阻断反向浪涌时，所述第一耗尽型场效应晶体管为耗尽型P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二耗尽型场效应晶体管为耗尽型N沟道结型场效应晶体管。 本专利技术的有益效果是 本专利技术是一种与大多数浪涌保护器件不同的半导体器件，无需电源供应，其行为与可重置的熔丝相似，因为他可以在纳秒级时间内触发并与脆弱的电子设备断开连接，直到瞬态浪涌过去后恢复常态，与传统的旁路瞬态保护器将能量从负载转移的工作原理不同，阻断型浪涌保护器件与负载串联，从而使它能够特定地保护单个负载； 由于本专利技术的浪涌保护器件可以串联在被保护线路上，因此能够用于高带宽的系统，而传统器件无论是压敏电阻、晶闸管还是雪崩二极管等并联保护器件都无法应用于这些系统； 本专利技术的应用方法简单，便于保护设计，同时实现过电压和过电流保护，需要更少 的元件和更小的空间，能够替代多种类型的器件，相对单位成本更低。附图说明 图1为本专利技术实施例1的电路结构原理图。 图2为本专利技术实施例2的电路结构原理图。 图3为本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻断型浪涌保护器件，其特征在于：包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻，所述浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连，构成串联结构，其中，所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连，栅极与模块输出端相连；第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连，栅极与第一电阻连接，第一电阻再与模块输入端相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏海伟，张关保，张婷，吴兴农，李星，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]