【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域,具体涉及半导体浪涌保护器件的领域,为一种阻断型浪涌保护器件。
技术介绍
电源浪涌或瞬态过压定义为电子线路中出现显著超出设计值的电压。它主要有雷 击、电力线搭接、电力线感应、或者地弹。当浪涌足够高,瞬态过压可以对计算机、电话等电 子设备造成严重的损害。它同样也会造成设备寿命减少。 瞬态电压浪涌抑制器限制了电力浪涌耦合到设备的能量,从而保护电子设备不被 损害。这类的产品包括,浪涌保护晶闸管、氧化物压敏电阻和雪崩二极管。这两种类型的器 件都是并联在被保护电路,瞬态电流会从它们提供的并联通路流出。这类并联保护存在较 多问题,包括(l)与具体的浪涌类型有关,需要选择繁多的型号匹配;(2)会限制系统带宽 (容性负载限制它们只能用于低带宽的应用);(3)需要多个元件构成的复杂设计,导致高 的失效率;(4)经常需要较大的空间;(5)针对保护设计方案而言,单位成本高。 目前得益于不间断电源供应器(UPS)的引入,家用电脑、卫星接收和其他家庭应 用设备的已经拥有更为安全的保护。但是,计算机和其他数据系统通过数据线与外部世界 相连,这些数据线工作在非 ...
【技术保护点】
一种阻断型浪涌保护器件,其特征在于:包括第一耗尽型场效应晶体管、第二耗尽型场效应晶体管以及第一电阻,所述浪涌保护器件的第一耗尽型场效应晶体管的源极与第二耗尽型场效应晶体管的源极相连,构成串联结构,其中,所述的第一耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输入端相连,栅极与模块输出端相连;第二耗尽型场效应晶体管的漏极与模块输出端相连,栅极与第一电阻连接,第一电阻再与模块输入端相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:苏海伟,张关保,张婷,吴兴农,李星,
申请(专利权)人:上海长园维安微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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