本发明公开了一种伪负阻型低残压TVS器件及其制备方法，其特征在于，包括采用薄片负阻工艺与辐照改性工艺。TVS器件在防护雷击浪涌时，较低的残压有利于更好的保护后级电路。高的浪涌能力有利于适用更高浪涌等级要求。且负阻稳定点不能低于工作电压(...

本实用新型公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本实用新型改变了背面金属...

本实用新型公开了一种可实现高耐压的ESD保护器件，其特征在于：包括衬底、第一外延层、埋层注入、第二外延层、第二外延层的掺杂区，以及穿过第一外延层和第二外延层到达衬底的深槽，器件正面开孔溅射金属形成正面电极，器件背面衬底减薄后蒸发金属形成...

本发明公开了一种提高N衬底单向负阻型TVS芯片封装良率的胶水，其成分配比如下：银粉70‑85wt％；改性环氧树脂7.5‑15wt％；碳酸酯7.5‑15wt％。本发明开发的新型胶水具有阻抗更小、散热更好、流通性更低的优点，同时采用刷胶工艺...

本实用新型公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件，其包括：一个GND‑IO路径上横向的PNPN结构和一个IO‑GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本实用新型分别利用横...

本发明公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本发明改变了背面金属图形工艺...

本发明公开了一种浅槽结构N衬底单向骤回TVS器件，包括N衬底TVS芯片和基岛，所述N衬底TVS芯片背面粘合在所述基岛上，其特征在于：所述N衬底TVS芯片背面P区与背面氧化层之间挖有浅槽，槽内填充有不含铅的绝缘材料填充物。本发明增加了背面...

本发明公开了一种大功率单向TVS器件，其特征在于：在硅片上进行双面版图设计，其中：硅片正面版图包括P+区、N+区、接触孔、正面阴极金属；N+区在中心区域，P+区围绕N+区呈环状结构，同时P+区与N+区之间存在间隔；接触孔只打开正面N+区...

本发明公开了一种小型化高功率密度TVS器件及其制造方法，其包括：所述器件包括两个完全相同的TVS芯片，且该两个芯片按照轴对称且晶向对准的方式键合在一起，键合后芯片上下两面金属化且通过锡焊连接固定框架。本发明两个芯片通过Bonding设备...

本实用新型公开了一种集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件，采用芯片集成的设计方法将超低电容且具有大骤回特性的TVS和共模电感有效结合。本实用新型的集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件结构可以有效的将多路TVS和共模滤波器分立方案优化...

本发明公开了一种具有双向大骤回SCR特性超低电容的TVS器件及其制造方法，其包括：一个GND‑IO路径上横向的PNPN结构和一个IO‑GND路径上纵向的PNPN结构，二者通过深槽隔离，每个PNPN结构都有一个降容二极管并联。本发明分别利...

本发明公开涉及一种梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器(TVS)结构，该集成型的半导体保护器件包括由衬底材料、外延层、N型掺杂和P型掺杂构成的半导体主体，其不同掺杂浓度构成的瞬态抑制二极管TVS和开关管均为纵向结构，其中TVS面积决定器件的...

本发明公开了一种低电容双向带负阻TVS器件及其制备方法，包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。传统T...

本发明公开了一种带有反并联二极管的双向TVS器件及其制备方法，包括一P型硅衬底，所述P型硅衬底正面均设有N型掺杂区域和P型掺杂区域，所述P型硅衬底正面的N型掺杂区域做金属引出，所述P型硅衬底背面的N型掺杂区域和P型掺杂区域做互连金属引出...

本发明提供了一种两通路TVS器件，其包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。传统TVS器件是单路器件，通过单芯片或者两颗芯片或者多颗芯片串联叠加实现，无法在得到大浪涌能力的同时对两路电...

本实用新型提供了一种两通路TVS器件，其包括三颗TVS芯片，其中两颗TVS芯片并联后与第三颗TVS芯片串联组成所述两通路TVS器件。传统TVS器件是单路器件，通过单芯片或者两颗芯片或者多颗芯片串联叠加实现，无法在得到大浪涌能力的同时对两...

本实用新型公开了一种低电容双向带负阻TVS器件及其制备方法，包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。传...

本实用新型公开了一种高功率密度TVS器件，其包括：所述器件包括两个完全相同的TVS芯片，且该两个芯片按照轴对称且晶向对准的方式键合在一起，上下两面金属化且通过锡焊连接固定框架。本实用新型两个芯片通过设备实现预键合，高温N2氛围下退火，进...

本发明公开了一种可实现高耐压的ESD保护器件，其特征在于：包括衬底、第一外延层、埋层注入、第二外延层、第二外延层的掺杂区，以及穿过第一外延层和第二外延层到达衬底的深槽，器件正面开孔溅射金属形成正面电极，器件背面衬底减薄后蒸发金属形成背面...

本发明公开了一种集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件，采用芯片集成的设计方法将超低电容且具有大骤回特性的TVS和共模电感有效结合。本发明的集成超低电容大骤回TVS的共模滤波器件结构可以有效的将多路TVS和共模滤波器分立方案优化为集成方...