【技术实现步骤摘要】
一种低电容双向带负阻TVS器件
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种带有TSS(Thyristor),又称为电涌抑制晶闸管的低电容TVS(TransientVoltageSuppressors)器件及其制造方法。
技术介绍
随着电子信息技术的发展,半导体器件日趋小型化,高密度和多功能化,尤其是便携式的消费电子产品对主板面积有严格的要求,同时还要求器件响应时间快一满足高速数据线路的传输,又要保证受到多次电压及电流的瞬态干扰后器件不会劣化以保证电子设备应有的品质。瞬态电压抑制器(TVS)是一种用于电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,正可以很好的解决这些问题。它具有箝位系数很小,体积小,响应快,漏电流小,可靠性高等优点。因而在电压瞬变和浪涌的防护上得到广泛应用。对于高频电路的保护,则需要低电容或者超低电容TVS(LCTVS),以减少寄生电容对电路的干扰,降低高频电路信号的衰减。TVS浪涌能力随芯片版面的增大而增大,但是随之带来的负面影响就是随着版面的增大电容会越来越大。随着科技的发展我们对低电容,大浪涌,小漏电的TVS器件需求迫在眉睫。为了满足对大浪涌能力,低电容的需求。本专利技术提供了一种使用TVS和TSS串联封装的方法,来保证器件在大浪涌能力(8/201KV以上)的情况下整个器件电容小(小于20PF)。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术采用下面的技术方案:一种带有串联TSS的双向TVS器件,包括上下叠合的一低电容TSS芯片和一TVS芯片,所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起,且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS ...
【技术保护点】
1.一种带有串联TSS的双向TVS器件,其特征在于,包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片,所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起,且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。
【技术特征摘要】
1.一种带有串联TSS的双向TVS器件,其特征在于,包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片,所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起,且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。2.根据权利要求1所述的带有串联TSS的双向TVS器件,其特征在于,所述的低电容TSS芯片是指芯片电容小于20PF的芯片。3.根据权利要求1所述的带有串联TSS的双向TVS器件,其特征在于,所述TVS器件是指电容范围为1-20PF,抗浪涌能力达到1KV以上的TVS器件。4.根据权利要求1所述的带有串联TSS的双向TVS器件,其特征在于,所述中间的框架可以替换为铜片。5.根据权利要求1-4任意一项所述的带有串联TSS的双向TVS器件的制备方法,其特征在于,其包括:步骤A:把TVS芯片与下框架用焊料进行粘结;步骤B:在TSS芯片与上框架用焊料进行粘结;步骤C:进行回流焊焊接;步骤D:依次把TVS芯片与TSS芯片叠合,器件中间插入框架或铜片并使用焊片进行连接;步骤E:回流焊进行焊接;步骤F:...
【专利技术属性】
技术研发人员:单少杰,苏海伟,魏峰,王帅,杨琨,赵德益,赵志方,
申请(专利权)人:上海长园维安微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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