一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构制造技术

本实用新型专利技术公布了一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。本实用新型专利技术改变了背面金属图形工艺，缩小了背面金属尺寸，这样在划片时不会划到背面金属，避免了Ag絮的产生，从而降低了短路风险，提高了封装良率。

【技术实现步骤摘要】
一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构
本技术属于半导体芯片封装工艺
，具体涉及一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构。
技术介绍
目前手机及其附属产品作为当下最受关注的行业，整个集成电路行业的中心都在朝着手机及其附属产品行业偏移：最先进的芯片工艺、最高端的制造工艺和最高效的组装技术等都在向手机行业靠拢。随着芯片工艺技术、高速快充技术、超薄超轻要求不断提高，可靠性面临着重大的挑战，EOS和ESD、surge的失效越来越多，返修率也在急剧增加，这样就使得整个电路系统中过压保护就变得至关重要。在手机等消费电子充电电路中，要求浪涌残压超低的单向器件才能满足保护需求，为了满足正负向浪涌残压超低的要求，同时兼容市场主流的N衬底芯片的要求，N衬底的单向骤回TVS器件就成了最有效的方案。在保护充电IC芯片时，配合OVP器件能够达到正向浪涌残压和负向浪涌残压超低的效果，对后端各类IC芯片能够起到优秀的保护作用。目前绝大部分电源和充电端口的保护都趋向于选择单向N衬底的保护器件，随着手机、平板及周边配件等消费类电子设备出货量日益剧增，电池容量原来越大，导致充电电流、充电电压越来越高，各本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述载体的面积且不延伸至载体边沿。

【技术特征摘要】
1.一种超大芯片面积N衬底单向骤回TVS器件结构，包括TVS芯片和载体，所述TVS芯片和载体在长度和宽度上的尺寸一致，其特征在于，所述TVS芯片背面阳极金属的面积小于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏亚兵，王允，蒋骞苑，苏海伟，赵德益，叶毓明，李亚文，张利明，吴青青，冯星星，杜牧涵，赵志方，
申请(专利权)人：上海长园维安微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31