The invention provides a semiconductor device and a power conversion circuit. Semiconductor devices include semiconductor substrates, gate electrodes, drain electrodes and source electrodes. The gate electrode, drain electrode and source electrode are formed on the semiconductor substrate. The area of source electrode is larger than that of gate electrode and drain electrode. Part of the source electrodes are convex and set between the gate electrodes and the drain electrodes. The semiconductor device and the power supply conversion circuit of the invention can maintain various characteristics of switch switching and switch switching at high speed.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及电源转换电路
本专利技术与半导体装置有关，尤其是关于在半导体基板上形成有栅极电极、源极电极及漏极电极的半导体装置及电源转换电路。
技术介绍
随着便携式电子装置朝向小型化与薄型化发展的趋势，在智能型手机或平板电脑等便携式电子装置中所内建的封装基板及电源转换用的半导体装置势必也会被要求小型化与薄型化。现有技术是由密封半导体元件的密封树脂的侧面往另一侧采用露出导线的导线架(Leadframe)型封装。然而，当使用焊锡(solder)在封装基板上安装导线架型封装时，由于焊锡形成于导线架型封装的侧面，使得导线架型封装需要较大的封装面积，因而阻碍封装基板与便携式电子装置的小型化与薄型化。为了解决上述问题，业界开发出一种晶片尺寸封装(ChipSizePackage,CSP)，由于其可在下面形成的电极熔接焊锡而进行表面黏着，故可缩小封装面积并促进封装基板与便携式电子装置的小型化。在专利文献1(美国专利第7,781,894号)、专利文献2(美国专利第8,148,233号)及专利文献3(美国专利第7,049,194号)中述及在半导体基板上形成有各电极的金氧半场效晶体管(M...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，上述半导体装置包括：一半导体基板，具有彼此相对的一第一主面及一第二主面，且在上述半导体基板上形成有一栅极区域、一漏极区域及一源极区域；一栅极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述栅极区域；一漏极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述漏极区域；一源极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述源极区域，上述源极电极的面积大于上述栅极电极的面积与上述漏极电极的面积；以及一覆盖绝缘层，设置于上述半导体基板的上述第一主面，且上述覆盖绝缘层至少部分地覆盖上述栅极电极、上述漏极电极及上述源极电极；其中，上述栅极电极的一栅极露...
【技术特征摘要】
2017.06.19 JP 2017-1199321.一种半导体装置，其特征在于，上述半导体装置包括：一半导体基板，具有彼此相对的一第一主面及一第二主面，且在上述半导体基板上形成有一栅极区域、一漏极区域及一源极区域；一栅极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述栅极区域；一漏极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述漏极区域；一源极电极，设置于上述半导体基板的上述第一主面且耦接上述源极区域，上述源极电极的面积大于上述栅极电极的面积与上述漏极电极的面积；以及一覆盖绝缘层，设置于上述半导体基板的上述第一主面，且上述覆盖绝缘层至少部分地覆盖上述栅极电极、上述漏极电极及上述源极电极；其中，上述栅极电极的一栅极露出部从上述覆盖绝缘层露出，上述源极电极的一源极露出部从上述覆盖绝缘层露出，上述漏极电极的一漏极露出部从上述覆盖绝缘层露出，部分的上述源极电极设置于上述栅极电极与上述漏极电极之间，上述源极露出部设置于上述栅极露出部与上述漏极露出部之间。2.根据权利要求1所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：白井伸幸，松浦伸悌，
申请(专利权)人：力祥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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