本发明提供一种使环戊二烯单烷基化的方法，其利用环戊二烯卤化镁和烷基或芳基磺酸盐的金属盐作为共反应物与烷基卤化物烷基化反应物。所述方法提供用于使环戊二烯单烷基化的容易方法，其中转化率高达约96％且对单烷基化的选择性(高于较高程度的烷基化，...

本申请案涉及连接器和包括连接器的流体连接组合件。一种流体连接组合件包含多个管道，其具有第一敞开端和与所述第一敞开端相对的第二敞开端；和多个连接器。所述连接器中的每一个包含至少两个连接器部分，其中所述至少两个连接器部分中的每一个从所述连接...

一种物件包含用于容纳一或多个衬底或光罩的衬底容器。所述衬底容器具有外壳，其包含一或多个侧壁、封闭端、开放端及由所述一或多个侧壁及所述封闭端界定的内部空间。所述容器进一步具有经配置以封闭所述外壳的所述开放端的门。所述门包含具有密封耦合部分...

提供用于通过烷氨基硅烷与某些经取代的酰基碘的反应制备例如H2SiI2和HSiI3的非常需要的碘硅烷的方法。在一个实施例中，双(二乙氨基)硅烷与苯甲酰碘反应以产生二碘硅烷。基)硅烷与苯甲酰碘反应以产生二碘硅烷。

本实用新型描述静电卡盘，所述静电卡盘包括：陶瓷层，其包括上表面及下表面；电极，其在所述下表面处；以及电介质层，其在所述陶瓷层与所述电极之间。与所述电极之间。与所述电极之间。

本发明大体上提供用于介电表面，如PETEOS、SiO2、热氧化物、氮化硅、硅等的高pH清洁组合物。本发明的组合物提供优越表面润湿、粒子和有机残留物的分散，并且防止经分散的残留物在清洁期间再沉积和再附聚以提供优良清洁和低缺陷率。洁和低缺陷...

本发明提供一种用于清洁微电子装置衬底的组合物。所述组合物可用于清洁具有暴露的钴、钼、铜、钼、钨和电介质表面的过程中微电子装置衬底。也提供一种清洁此类装置的方法和包含所述组合物的组分中的一或多者的试剂盒。含所述组合物的组分中的一或多者的试...

本申请案涉及一种化学机械平坦化CMP垫调节器组合件，所述CMP垫调节器组合件包含包括至少一种聚合物及至少一种添加剂的背板。所述至少一种添加剂以足以导致背板具有磁性性质、颜色性质、结构性质或其任何组合中的至少一者的量存在。所述CMP垫调节...

描述储存和分配系统和相关方法，其用于储存和从容器选择性分配试剂气体锗烷，在所述容器中所述试剂气体保持与储存容器的内部的固体吸附介质呈吸附关系，且其中所述方法和分配系统提供所述试剂气体从所述储存容器的分配，其中在所分配试剂气体中含有含量减...

一种晶片容器包含：舱；门；具有顶壁的晶片匣；底板；及偏置构件。所述舱包含侧壁、封闭端及开放端。当由所述门关闭时，所述底板位于所述门与所述晶片匣之间且所述偏置构件经压缩于所述晶片匣与所述舱的所述封闭端之间。一种用于将晶片匣固定于封闭舱的内...

一种晶片容器包含：舱；门；具有顶壁的晶片匣；底板；及偏置构件。所述舱包含侧壁、封闭端及开放端。当由所述门关闭时，所述底板位于所述门与所述晶片匣之间且所述偏置构件经压缩于所述晶片匣与所述舱的所述封闭端之间。一种用于将晶片匣固定于封闭舱的内...

本实用新型涉及一种深度过滤器，其特征在于，所述深度过滤器包括串联的两个或更多个层，其中至少一个层包含聚芳酰胺纤维、合成助滤剂及聚合物粘合剂。滤剂及聚合物粘合剂。滤剂及聚合物粘合剂。

本实用新型描述用于过滤液体的过滤器组合件。用于过滤液体的所述过滤器组合件包含过滤器壳体及安置于所述过滤器壳体的经围封空间中的滤筒。所述过滤器壳体包含附装到碗状物以形成所述经围封空间的盖。所述盖包含用于所述经围封空间的流体入口端口、流体出...

本实用新型涉及一种定向气体扩散器及设备。所述定向气体扩散器，其特征在于所述定向气体扩散器包括：细长壳体，所述壳体包括：入口端；封闭端；长度，其在所述入口端与所述封闭端之间；开口，其在所述壳体的正面上沿着所述长度延伸；及通道，其在所述入口...

提供了相对于存在的低k介电层选择性地蚀刻硬掩模层和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。更具体地，本发明涉及一种相对于低k介电层选择性地蚀刻氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。可能存在于微电子装置上的其它材料不应被所述组合...

本发明描述离子植入装置、系统及方法，且特定来说，本发明描述一种可用于产生铝离子束的离子源。的离子源。的离子源。

本发明描述用于从其中锗烷(GeH4)与包含沸石咪唑骨架的固体吸附剂介质保持吸附关系的容器选择性地施配所述锗烷作为试剂气体的存储及施配系统以及相关方法。存储及施配系统以及相关方法。存储及施配系统以及相关方法。

本实用新型涉及涂覆有抗裂氟退火膜的制品。提供与具有优异的抗等离子体蚀刻性且可延长RIE组件的使用寿命的涂层相关的制品。制品具有真空兼容衬底及覆盖所述衬底的至少一部分的保护膜。所述膜包括含钇的氟化金属氧化物，其中使用AC电源沉积氧化钇。所...

本发明提供适用于蚀刻，即移除，已掺杂有例如硼、氯或氮的元素的非晶碳硬掩模的组合物及方法。所述组合物利用浓硫酸、水及至少一种氧化剂。在所述方法的操作中，即使在存在例如二氧化硅、氮化硅、氮化钽及多晶硅的层的情况下，所述组合物也以良好选择性来...

本申请实施例涉及一种高压过滤器，其包含：第一壳体及第二壳体，其具有互补渐缩表面；垫圈，其位于所述渐缩表面之间；过滤器元件，其居中地安置于所述壳体内；及压缩轴环，其装配在所述第二壳体上方且旋拧到所述第一壳体上。还提供制成且使用高压过滤器的...