恩特格里斯公司专利技术

恩特格里斯公司共有447项专利

  • 本申请案涉及气体处理设备。描述包含预热器的气体处理系统,其用于处理气体的流动,使气体流动到接触介质(例如,净化介质、催化剂、吸附剂),且描述相关方法。且描述相关方法。且描述相关方法。
  • 描述滤筒及涉及滤筒的过滤设备,所述滤筒包含筒支撑件,所述筒支撑件包含定心表面、螺旋股或两者。滤筒包括筒远端及筒近端和筒支撑件。筒支撑件在筒远端与筒近端之间延伸。筒支撑件包括螺旋股。螺旋股包含沿着螺旋股的螺旋路径延伸的长度,径向方向上的厚...
  • 一种气体储存和分配容器包含储存器皿、第一气体压力调节器和第二气体压力调节器。所述储存器皿配置成容纳加压气体。所述气体储存和分配容器具有用于排放所述加压气体的排放流动路径。所述第一气体压力调节器设置在所述储存器皿内,并且所述第二气体压力调...
  • 本申请涉及一种具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物。特别的,本申请提供了一种从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的衬底去除所述ARC材料及/或蚀刻后残留物的液体去除组成物及方法。所述组成物在...
  • 本申请涉及一种抵抗应力引发裂口的形成的衬里,所述衬里包括形成为能够保持液体的衬里的膜,所述膜包括:对气体的第一障壁层;对气体的第二障壁层;至少一个额外材料层,其留有间隙地安置于第一障壁层与第二障壁层之间,其中至少一个额外材料层由选自由茂...
  • 本申请涉及一种半导体衬底载运容器及一种前开式晶片传送盒。所述半导体衬底载运容器经配置使得半导体衬底可经由相对于前开口定位的后开口从所述容器的内部空间接取及移除或插入到所述内部空间中,所述前开口也准许通过其来移除及插入。经由所述后开口的所...
  • 本申请的实施例涉及多级气体取样阱和对含硫物质污染物的检测。一种气体取样阱包含第一级和第二级。所述第一级包含与含硫物质反应以产生酸性气体的金属盐。所述第二级被配置成接收在所述第一级中产生的所述酸性气体。所述第二级中的吸附衬底吸附所述酸性气...
  • 本申请涉及多孔聚(环烯烃)膜。本公开提供了某种多孔膜,其包含环状聚烯烃聚合物,例如聚(降冰片烯)。在一个实施例中,将聚(降冰片烯)聚合物溶解于四氢呋喃中,浇铸成薄膜且经历溶剂诱导的相分离以提供多孔过滤膜(即,薄膜)。膜)。膜)。
  • 本实用新型涉及一种过滤器及包括所述过滤器的串联排气过滤器装置。本实用新型提供在一次性串联输液系统中有用的经改进的排气过滤器。在第一方面中,本实用新型提供一种过滤器,其包括:(i)包括含氟聚合物膜的层;及(ii)包括至少两个透气性热塑性聚...
  • 本申请涉及一种静电放电缓解阀。本公开提供缓解流体回路中的静电电荷的操作性组件。说明性实施例包含隔膜阀,所述隔膜阀提供流体控制并允许静电荷在这些隔膜阀接地时耗散。制并允许静电荷在这些隔膜阀接地时耗散。制并允许静电荷在这些隔膜阀接地时耗散。
  • 描述滤筒、过滤设备及涉及滤筒的相关方法,所述滤筒包含筒支撑件,所述筒支撑件包含定心表面、螺旋股或两者。螺旋股或两者。螺旋股或两者。
  • 本申请案涉及用于试剂的存储及输送的容器及方法,且特定来说,本申请案涉及一种用以容纳试剂材料的存储容器。所述存储容器包含:容器,其具有底部、顶部、所述顶部处的出口、从所述底部延伸到所述顶部的侧壁、所述出口处的阀,以及由所述底部、所述顶部及...
  • 一种递送系统包含:手持式电动升降机,其经配置以提升至少一个汽化器容器;及机柜,其经配置以固持所述至少一个汽化器容器。所述升降机包含长形桅杆、附接到所述桅杆的效应器、经配置以移动所述升降机的处置器,及至少一个脚轮。所述效应器由电源控制以沿...
  • 本发明揭示一种衬底容器,其包含界定内部空间的壳体及具有进口及气体分配表面的歧管。所述壳体包含前开口、底壁及后壁。所述歧管附接到所述底壁且更靠近所述前开口而非所述后壁。所述气体分配表面经配置以将净化气体分配到所述内部空间中。一种净化开口衬...
  • 一种递送系统包含:手持式电动升降机,其经配置以提升至少一个汽化器容器;及机柜,其经配置以固持所述至少一个汽化器容器。所述升降机包含长形桅杆、附接到所述桅杆的效应器、经配置以移动所述升降机的处置器,及至少一个脚轮。所述效应器由电源控制以沿...
  • 本申请涉及包括含碳材料的液体纯化膜和其形成方法。提供了多孔聚合滤膜,所述膜包含在其中混合有至少一种含碳材料的聚合物。所述膜能够从液体组合物去除痕量的各种杂质,包括金属离子、酸、碱和有机污染物。碱和有机污染物。碱和有机污染物。
  • 本发明提供一种方法,用于(a)蚀刻Al2O3、HfO2、ZrO2、W、Mo、Co、Ru、SiN或TiN的膜,或(b)将钨沉积于选自Al2O3、HfO2、ZrO2、W、Mo、Co、Ru、Ir、SiN、TiN、TaN、WN及SiO2的膜的表...
  • 本申请涉及具有氟化钇涂层的衬底,以及制备和使用所述衬底的方法。描述衬底,其包含:高纵横比表面和非高纵横比表面、至少两个涂层,一个涂层位于高纵横比表面处且第二涂层位于非高纵横比表面处,且具有氟化外表面;制备这些涂层的方法;以及包含所述涂层...
  • 本申请涉及用于在等离子体系统中使用的室组件的表面涂层。本发明公开了用于等离子体组件的表面涂层,所述表面涂层的益处是针对侵蚀性(例如,基于氟的)等离子体环境中的化学和等离子体物理侵蚀的稳固性。与其他已知的表面处理相比,所述涂层还提供用于活...
  • 本申请案涉及一种液体过滤设备。描述液体过滤器设备,其包含:外壳;内部,其在所述外壳内;筒组合件(另称为“滤筒”),其容纳于所述外壳内;及通气孔,其允许气态流体从所述外壳的内部释放到所述外壳的外部。内部释放到所述外壳的外部。内部释放到所述...