蚀刻剂组合物制造技术

提供了相对于存在的低k介电层选择性地蚀刻硬掩模层和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。更具体地，本发明专利技术涉及一种相对于低k介电层选择性地蚀刻氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。可能存在于微电子装置上的其它材料不应被所述组合物基本上去除或腐蚀。或腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻剂组合物


[0001]本专利技术涉及一种在其它材料存在下选择性地蚀刻氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物和方法。

技术介绍

[0002]光致抗蚀剂掩模常在半导体行业中用于对如半导体或电介质的材料进行图案化。在一种应用中，光致抗蚀剂掩模用于双镶嵌工艺，以在微电子装置的后端金属化中形成互连件。双镶嵌工艺涉及在覆盖金属导体层(如铜层)的低k介电层上形成光致抗蚀剂掩模。随后根据光致抗蚀剂掩模蚀刻低k介电层，以形成暴露金属导体层的通孔和/或沟槽。通孔和沟槽，通常称为双镶嵌结构，通常使用两个光刻步骤来定义。随后，在将导电材料沉积至通孔和/或沟槽中以形成互连件之前，从低k介电层去除光致抗蚀剂掩模。
[0003]随着微电子装置的尺寸减小，达成通孔和沟槽的临界尺寸变得更困难。因此，使用金属硬掩模提供更好的通孔和沟槽轮廓控制。金属硬掩模可由钛或氮化钛制成，并且在形成双镶嵌结构的通孔和/或沟槽后，通过湿式蚀刻工艺去除。至关重要的是，湿式蚀刻工艺使用的去除化学试剂有效去除金属硬掩模和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物，而不影响下方低k介电材料。换句话说，相对于低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组合物，其包含：a.溶剂组合物，包含：i.水；ii.水混溶性有机溶剂；iii.N
‑
甲基吗啉
‑
N
‑
氧化物；和iv.二甲砜；b.氧化剂；c.螯合剂；d.腐蚀抑制剂；e.至少一种蚀刻剂或pH调节剂。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述水混溶性溶剂选自二乙二醇单丁醚和二乙二醇单乙醚或其混合物。3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述氧化剂是过氧化氢。4.根据权利要求5所述的组...

【专利技术属性】
技术研发人员：许家荣，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：