本申请涉及半导体器件的制造领域，具体地涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器包括：半导体衬底；第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述半导体衬底上；第一离子注入区域，位于所述第一掺杂层内，其中，所述第一离子注入区域的注入离子与所述第一...

本发明提供一种堆叠图像传感器及其制备方法，堆叠图像传感器包括：光电二极管晶圆，光电二极管晶圆内形成有光电二极管；逻辑晶圆，键合于光电二极管晶圆上，逻辑晶圆内形成有图像传感器电路结构；硅通孔互连结构，位于光电二极管晶圆及所述逻辑晶圆内，且...

本公开涉及一种掩模及其配置方法、光刻系统和光刻方法。该掩模包括：第一掩模图案和第二掩膜图案。第一掩模图案对应于通过光刻工艺将在晶圆上形成的目标图案，该第一掩模图案包括沿第一方向延伸的一个或多个第一条状图形。第二掩模图案包括沿与第一方向成...

本发明提供了一种半导体电镀设备，半导体电镀设备，包括：腔体，用于容纳电镀液；基座，用于承托晶圆并为所述晶圆与外部电源的阴极电连接提供媒介；以及阳极，设于所述腔体内且所述阳极的工作表面与所述晶圆的电镀面相对设置；导电环，安装于所述基座，与...

本申请提供一种堆叠式图像传感器及其形成方法，所述形成方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆的第一面形成有图像传感器，所述第一晶圆的第二面形成有第一金属互连结构；提供第二晶圆，所述第二晶圆的第一面形成有逻辑电路以及第二金属互连结构；键合所述...

本申请提供一种晶圆组件及其形成方法。所述晶圆组件包括器件晶圆，所述器件晶圆具有第一器件面；承载层，位于所述第一器件面上，其中，所述承载层包括以SP3键结合的碳原子。本申请所述的晶圆组件以及晶圆组件的形成方法，使所述承载层承载并支撑所述器...

一种半导体衬底的修复方法，包括：提供半导体衬底；使用含有氯元素的氧化性混合气体对所述半导体衬底的表面进行预处理，以使所述半导体衬底的表面被所述氧化性混合气体氧化生成硅氯叁键结构。本发明方案可以有效地钝化界面，修复晶圆表面缺陷，有效降低暗...

本公开涉及一种堆叠型背照式图像传感器及其制造方法。一种堆叠型背照式图像传感器，包括：逻辑晶片和堆叠在所述逻辑晶片之上的像素晶片，其中所述逻辑晶片包括半导体基底和位于所述半导体基底上的逻辑器件，其中所述半导体基底中设置有导热件，用于将所述...

本申请涉及半导体制造领域，具体地涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有感光元件和浮置扩散区，所述半导体衬底表面形成有传输栅结构，用于控制光电荷从所述感光元件到所述浮置扩散区的传输；氧化层，...

一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括逻辑区，所述逻辑区包括相邻的第一区和第二区；在所述逻辑区第一区的第二面表面形成遮挡结构；在所述遮挡结构表面形成抗反射层；在所述抗反射层的侧壁表...

本申请涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底表面；感光元件，所述感光元件包括位于所述半导体衬底内的第一感光元件以及位于所述外延层内的第二感光元件，所述第二感光元件延伸至第一感光元件。本...

一种三维堆栈式CIS及其形成方法，所述方法包括：提供逻辑晶圆，所述逻辑晶圆的正面具有逻辑金属互连结构；在所述逻辑金属互连结构的表面形成焊球；提供承载晶圆，将所述承载晶圆与所述逻辑晶圆的正面通过第一键合层进行键合，所述第一键合层覆盖所述焊...

本发明提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构中，在沟槽的底部和侧壁依次形成第一氧化硅层、生长控制层，然后刻蚀去除所述沟槽底部的所述生长控制层，接着在暴露出的所述第一氧化硅层和保留的所述生长控制层上形成第二氧化层以填充所述沟槽，由于所述...

本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种晶圆测试系统及晶圆测试方法。所述晶圆测试方法包括：当探针都与晶圆接触形成针痕后，获取针痕的图像；根据所述图像判断所述针痕是否在预设区域内；当所述针痕超出预设区域时，计算所述探针需要调整的距离，根据...

本发明提供了一种半导体结构的热处理方法，包括：离子注入步骤，对半导体结构进行离子注入，形成离子注入结构；微波退火步骤，对半导体结构进行微波退火，其中，离子注入结构由比半导体结构其他部分具有更高微波吸收性能的极性材料制得。通过以上方式，该...

本发明涉及半导体测试技术领域，提供了一种探针卡，包括：电路板；多个探针，与电路板连接，探针包括至少一个第一探针和至少一个第二探针；偏移部，与多个探针耦合，响应于第一探针加载有或者将加载测量信号而第二探针未加载或者未将加载测量信号，偏移部...

本发明涉及一种像素电路，包括：第一至第六MOSFET；光电二极管(PD)，其正极接地；三极管，其发射极与第五MOSFET的栅极连接，其集电极接地。此外，本发明还涉及一种运行像素电路的方法。通过本发明，可以显著提高像素电路的电子‑电压转换...

本发明提供了一种半导体设备及作业方法，所述半导体设备包括：晶圆固定平台，用于在工艺过程中固定晶圆；所述晶圆固定平台上设有将所述晶圆容纳于指定平面内指定位置上的晶圆放置位；晶圆翻转装置，用于将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转。本发明通过...

本实用新型提供了一种半导体装置，包括：与外部环境隔离的隔间；过滤外部空气并向所述隔间内输送洁净空气的过滤单元，设置于所述隔间上；连通所述隔间和外部环境的可开启或关闭的排风口，设置于所述隔间上；连接所述过滤单元和所述排风口的联动模块，所述...

一种图像传感器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括若干相互分立的像素区、以及位于相邻像素区之间的隔离区，且相邻像素区和隔离区沿第一方向排列；在所述基底表面形成隔离材料膜；刻蚀部分所述隔离材料膜，直至暴露出基底表面，在基底表...