【技术实现步骤摘要】
堆叠式图像传感器及其形成方法
本申请涉及半导体制造领域，具体来说，涉及一种堆叠式图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通信产业的发展，对高性能图像传感器的需求不断增长，这些高性能图像传感器广泛用于诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安防摄像机、医用微型照相机之类的各种领域。随着CMOS工艺的不断推进和发展，晶体管数量越来越多，导致互连尺寸越来越小，采用3D集成的芯片堆叠技术，将有助于大大减小布线长度、缩短信号延迟，降低功耗，同时又可以缩小芯片尺寸，从而提高器件的系统性能。对于形成有图像传感器的像素晶圆，用于封装的焊盘大多形成在所述像素晶圆的像素区域，以将所述像素晶圆电连接至集成电路板。然而，所述焊盘占用像素晶圆中像素区域的面积，阻碍图像传感器分辨率的提高。除此之外，所述像素晶圆与逻辑晶圆键合后，通过所述逻辑晶圆的非键合面封装至集成电路板，在逻辑晶圆的非键合面与集成电路板之间通过合成树脂进行封闭。若所述焊盘设置在像素晶圆的像素区域，所述像素晶圆和逻辑晶圆工作时，由于合成树脂的热传导性很差...
【技术保护点】
1.一种堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆的第一面形成有图像传感器，所述第一晶圆的第二面形成有第一金属互连结构；提供第二晶圆，所述第二晶圆的第一面形成有逻辑电路以及第二金属互连结构；键合所述所述第一晶圆的第二面与所述第二晶圆的第一面；在所述第二晶圆的第二面形成第一通孔连接结构和第二通孔连接结构，其中，所述第一通孔连接结构贯穿所述第二晶圆并延伸至所述第一晶圆，与所述第一金属互连结构电连接，所述第二通孔连接结构位于所述第二晶圆内并与所述第二金属互连结构电连接。
【技术特征摘要】
1.一种堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆的第一面形成有图像传感器，所述第一晶圆的第二面形成有第一金属互连结构；提供第二晶圆，所述第二晶圆的第一面形成有逻辑电路以及第二金属互连结构；键合所述所述第一晶圆的第二面与所述第二晶圆的第一面；在所述第二晶圆的第二面形成第一通孔连接结构和第二通孔连接结构，其中，所述第一通孔连接结构贯穿所述第二晶圆并延伸至所述第一晶圆，与所述第一金属互连结构电连接，所述第二通孔连接结构位于所述第二晶圆内并与所述第二金属互连结构电连接。2.如权利要求1所述的堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二晶圆的第二面形成第一通孔连接结构和第二通孔连接结构的方法包括：减薄所述第二晶圆的第二面；在所述第二晶圆的第二面刻蚀所述第二晶圆形成第一通孔和第二通孔，其中，所述第二通孔暴露所述第二金属互连结构的局部；刻蚀所述第一通孔至贯穿所述第二晶圆，并继续刻蚀至暴露所述第一金属互连结构的局部；在所述第一通孔和所述第二通孔内填充导电材料形成所述第一通孔连接结构和所述第二通孔连接结构。3.如权利要求2所述的堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一通孔连接结构内填充的导电材料为铜或钨，所述第二通孔连接结构内填充的导电材料为铜或钨。4.如权利要求1所述的堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第二晶圆的第二面形成焊垫，所述焊垫电连接所述第一通孔连接结构和第二通孔连接结构。5.如权利要求4所述的堆叠式图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二晶圆的第二面形成焊垫的方法包括：在所述第二晶圆的第二面表面形成第三绝缘层；刻蚀所述第三绝缘层形成开口，所述开口暴露所述第一通孔连接结构和所述第二通孔连接结构的端部以及所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：方欣欣，夏春秋，李春杰，方明旭，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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