【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器的形成方法、图像传感器及电子设备
本申请实施例涉及半导体器件及其制造领域，涉及但不限于一种图像传感器的形成方法、图像传感器及电子设备。
技术介绍
图像传感器是将光信号转换成电信号的器件。近年来，随着计算机和通信产业的快速发展，在诸如数字照相机、便携式摄像机、游戏机、安保摄像机、医用微型摄像机和机器人等的各种设备中，对于图像传感器的应用范围逐渐增大，并且对于图像传感器的性能也有了更大的需求。然而，图像传感器像素单元之间的信号串扰问题是影响图像传感器性能的主要因素之一。目前，为了减少图像传感器像素单元之间的信号串扰，通常是通过形成深沟道隔离或者形成P型隔离，以隔离开两个相邻的像素单元。但是，采用深沟道隔离和P型隔离的方法，在解决像素单元之间的信号串扰问题时均不能达到理想的效果。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种图像传感器的形成方法、图像传感器及电子设备，能够有效解决图像传感器像素单元之间的信号串扰问题。本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种图像传感器的形成方法，包括：获取具有介质层的像素晶圆衬底；在所述像素晶圆衬底上形...
【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：获取具有介质层的像素晶圆衬底；在所述像素晶圆衬底上形成具有所述介质层的图像传感器。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：获取具有介质层的像素晶圆衬底；在所述像素晶圆衬底上形成具有所述介质层的图像传感器。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述像素晶圆衬底上形成具有所述介质层的所述图像传感器，包括：在所述像素晶圆衬底上形成具有所述介质层的像素器件；将所述像素器件与载体晶圆进行键合处理，以形成具有所述介质层的图像传感器。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在将所述像素器件与载体晶圆进行键合处理之后，所述方法还包括：对键合处理后的像素器件进行晶背减薄处理。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述像素晶圆衬底还包括第一体硅层和第二体硅层；对应地，所述获取具有介质层的像素晶圆衬底，包括：对所述第一体硅层进行表面氧化处理，形成所述介质层；在所述介质层之上键合所述第二体硅层，以形成所述像素晶圆衬底。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述像素晶圆衬底上形成具有所述介质层的像素器件，包括：在所述第一体硅层中形成第一深沟道隔离和第一像素单元；在所述第二体硅层中形成第二深沟道隔离和第二像素单元，以形成所述像素器件；其中，所述第一深沟道隔离与所述第二深沟道隔离一一对应，且所述第一像素单元与所述第二像素单元一一对应。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对键合处理后的像素器件进行晶背减薄处理，包括：完全去除所述键合处理后的像素器...
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