德淮半导体有限公司专利技术

德淮半导体有限公司共有1239项专利

  • 该实用新型涉及一种颗粒物吸附装置及晶圆处理设备,其中颗粒物吸附装置包括:机械手臂,用于伸至晶圆放置位的上方,晶圆放置位用于放置晶圆;金属网格,安装至机械手臂,用于跟随机械手臂运动至晶圆放置位上方,以吸附晶圆放置位上表面的颗粒物;电源,与...
  • 该实用新型涉及一种晶圆盒传输设备,包括:晶圆装载台,包括:底座,用于放置待传输的晶圆盒;封闭式货箱,设置于底座表面,用于放置待传输的晶圆;气体传输装置,连通至封闭式货箱,包括:柔性边框,安装至气体传输装置的入口外侧,用于防止晶圆盒进入气...
  • 该实用新型涉及一种晶圆清洗装置,包括:清洗腔,用于清洗晶圆,且清洗腔内设置有晶圆放置位,用于放置晶圆,且晶圆放置位能够绕晶圆放置位的中心轴转动,以甩脱放置至晶圆放置位的晶圆表面的清洗液;清洗液收容设备,设置于清洗腔内,包括:清洗液收容壁...
  • 该实用新型涉及一种晶圆寻边装置及晶圆刻蚀设备,其中所述晶圆寻边装置包括:旋转台,用于放置晶圆,并用于驱动放置于所述旋转台的晶圆绕一竖直轴旋转,使晶圆表面设置的定位部在竖直方向上对准预设的定位点;刷头,安装至所述旋转台一侧,朝向所述旋转台...
  • 本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置包括:清洗槽;支撑台,位于所述清洗槽内,具有用于承载晶圆的承载面;至少一喷嘴,在沿垂直于所述承载面的方向上,所述喷嘴设置于所述支撑台上方,用于向所述清洗槽内喷射...
  • 该实用新型涉及一种机械手臂及晶圆处理设备,其中所述机械手臂包括:手臂本体,设置有晶圆放置位,用于放置晶圆;冷却管,安装至所述手臂本体,并铺设至所述晶圆放置位上表面,用于冷却所述晶圆放置位上表面放置的晶圆;冷却液源,用于提供冷却液,并连通...
  • 该实用新型涉及一种反应腔室和晶圆处理设备,其中所述反应腔室包括:窥镜,安装至所述反应腔室的腔体壁,用于查看所述反应腔室内部,包括:物镜,设置于所述反应腔室内部;目镜,设置于所述反应腔室外部。上述反应腔室和晶圆处理设备在腔体壁上设置有窥镜...
  • 该实用新型涉及一种化学品槽和晶圆处理设备,其中化学品槽包括:槽体,用于盛放化学品;补水管路,连通至槽体,用于向槽体内通入水;排酸管路,连通至槽体,用于排出槽体内的化学品;第一磁性堵头,设置到补水管路的入口,用于在磁力的作用下堵住补水管路...
  • 该实用新型涉及一种半导体器件处理设备,用于对半导体器件进行氮离子掺杂,包括:腔体,用于放置半导体器件;还包括:氮离子浓度检测单元,包括法拉第杯,设置在所述腔体内半导体器件放置到的位置,用于检测半导体器件进行氮离子掺杂时的氮离子浓度。本实...
  • 本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种密封垫。所述密封垫包括:基板,所述基板中具有至少一第一通孔,所述第一通孔用于一连接件穿过,所述连接件用于连接两个装置;两个挡板,两个所述挡板分布于所述基板的相对两侧,且沿垂直于所述基板的方向...
  • 本实用新型提供一种承载台及采用该承载台的光刻胶涂布设备,其中,清洗系统能够对内壳体的外侧壁及外壳体的内侧壁进行定期清洗,降低承载台的内壳体及外壳体的替换频率,大大提高了光刻胶涂布设备的工作效率。
  • 一种蝶阀和气体控制装置,其中所述蝶阀包括阀体、阀叶和特氟龙挡块,其中所述阀体中具有管路通道,所述阀叶位于管路通道中,特氟龙挡块位于管路通道管壁上,所述特氟龙挡块在阀叶旋转到垂直于管壁的延伸方向时,与阀叶接触,从而将管路通道封闭。本实用新...
  • 一种便携式电动扳手,包括:手柄、夹具部件、旋转夹具部件、旋转控制装置,其中,所述夹具部件固定于所述手柄的顶端,所述夹具部件上设置有第一矩形开口,所述夹具部件中还具有弧形开槽,弧形开槽与矩形开口贯通,所述旋转夹具部件位于弧形开槽内,旋转控...
  • 一种研磨头和化学机械研磨装置,其中所述研磨头包括:吸附膜,所述吸附膜用于吸附晶圆;外部装置,所述外部装置包括本体部和与本体部连接的环形侧壁部,所述吸附膜位于本体部表面,且被环形侧壁部环绕;位于侧壁部中的吹气装置,所述吹气装置包括气体喷嘴...
  • 该实用新型涉及一种气体混合设备,包括:腔体,用于进行气体的混合;压力控制器,连通至所述腔体,用于调控腔体内的压力;温控单元,包括加热套,安装至所述腔体,用于调控腔体内的温度;至少两块导流板,卡设于所述腔体内,设置在所述腔体的入口和出口之...
  • 本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。提供了一种图像传感器,包括:像素;以及位于相邻像素之间的隔离结构,所述隔离结构被配置成将从所述隔离结构的外部入射到所述隔离结构的辐射中的超过50%的辐射能量的辐射反射到所述隔离结构的外部。
  • 一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:半导体衬底;多个网格状的格栅结构,位于所述半导体衬底的表面,每个格栅结构具有至少一个第一格栅开口以及多个第二格栅开口;多个滤色镜结构,每个滤色镜结构包括至少一个PDAF滤色镜以及多个单光滤...
  • 一种基板的制造方法,包括:提供半导体基板,半导体基板包括第一绝缘层和第二绝缘层以及设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的中间层;在半导体基板中形成开口,开口至少穿过第二绝缘层和中间层并延伸到第一绝缘层中;在半导体基板上形成金属层,金属层至少...
  • 一种铝互连结构及其形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面依次形成有金属材料层和图案化的掩膜层,所述金属材料层包括含铝金属材料层;刻蚀所述金属材料层;去除所述图案化掩膜层;在25℃到40℃的温度条件下去离子水清洗所述铝...
  • 本发明提供了一种外延设备的反应腔室的清洁方法,其特征在于,包括以下步骤:沉积物去除步骤,去除所述反应腔室内的界面上的沉积物;含碳半导体层形成步骤,在经由所述沉积物去除步骤处理后的所述反应腔室内的界面上形成含碳半导体层;本征半导体层形成步...