本发明的实施例涉及用于支撑电子和/或微机电系统(MEMS)设备的柔性基板的多层阻挡层。设备包括：基板、第一金属氮化物层、在第一金属氮化物层之上的第一氧化物层、在第一氧化物层之上的第二金属氮化物层和第二氧化物层、以及在第一氧化物层之上或在...

本发明公开了一种电子装置，包括连续性传感器和被配置为检测和报告物品、容器或产品包装的连续性状态的电路。连续性传感器包括其上具有第一和第二线圈的第一基底，以及其上具有第三线圈的第二基底。第一线圈具有电连接至其的集成电路。第一基底是物品、容...

本发明公开了一种具有密封装置和附接在其上的基底的瓶子，以及将基底附接至瓶子的方法。方法包括将基底放置在瓶子上，瓶子具有断裂线，以及所述基底具有无线通信装置，其具有天线、集成电路、以及其上的感测线。方法还包括将包括天线的所述基底的第一部分...

公开了一种包括通信装置和连续性传感器的智能标签及其制造和使用方法。智能标签包括具有优先撕裂方向的衬底、天线或显示器、集成电路、以及感测线，感测线被配置为感测或确定放置有通信装置或固定/粘合有通信装置的容器的连续状态。该感测线具有至少一个...

公开了一种制造电子设备（300，300’）的方法和系统（200）、用于该电子设备的可固化导电粘合剂、以及电子设备（300，300’）。该方法包括将导电胶印刷到基板（310、360）上的迹线末端的焊盘上，将具有非标准尺寸和/或形状(例如，...

公开了一种无线（例如近场或射频）通信设备，及其制造和使用的方法。所述无线通信设备包括接收器和/或发射器、在其上具有天线的基板、集成电路、以及一个或多个连续性传感器。所述天线接收和/或反向散射无线信号。所述集成电路处理所述无线信号和/或由...

本发明公开了一种电子装置及其制造方法。制造电子装置的方法包括在第一衬底上形成第一金属层，在第二衬底上形成集成电路或离散的电子元件，在集成电路或离散的电子元件的输入和/或输出端子上形成电连接器，在第一金属层上形成第二金属层，第二金属层改善...

本发明公开了一种电子装置及其制造方法。制造电子装置的方法包括在第一衬底上形成第一金属层，在第二衬底上形成电气装置，在电气装置的输入和/或输出端子上形成电连接器，第二金属选择性沉淀在至少部分的第一金属层上，通过接触所述电连接器至第二金属来...

公开了无线通信装置和其制造和使用方法。所述无线通信装置包括在其上具有天线和/或电感的衬底，与所述天线和/或电感交叠的图案化铁氧体层，和连接到所述天线和/或电感的电容器。所述无线通信装置可还包括集成电路，其包括接收器，其配置用于转换第一无...

本发明公开了一种包括湿度传感器的标签或智能标签及其制造和使用方法。标签或智能标签包括基底或背板，其上具有电池或天线，湿度传感器，和集成电路。该集成电路与所述湿度传感器和所述天线或电池进行电通信，并且被配置为处理来自湿度传感器与被监测环境...

本发明公开了一种无线（例如，近场或RF）通信设备及其制造方法。制造无线通信设备的方法包括：在第一衬底上形成集成电路，在所述集成电路的输入和/或输出端子上印刷柱状凸点，在第二衬底上形成天线，并电连接所述天线端部至所述柱状凸点。所述天线被配...

公开了一种无线(例如近场或射频)通信设备，及其制造和使用的方法。所述无线通信设备包括接收器和/或发射器、在其上具有天线的基板、集成电路、以及一个或多个连续性传感器。所述天线接收和/或发送或广播无线信号。所述集成电路处理所述无线信号和/或...

[问题]提供一种制造用于能够在衬底上形成的硅氢化物氧化物涂覆膜的含氧硅氢化物有机溶剂(涂覆液)的方法。使用含氧硅氢化物的有机溶剂不需要在涂覆衬底时将涂覆液放置在非氧化气氛中，或者不需要在涂覆之后对衬底进行热处理，因为在涂覆之前硅氢化物氧...

为了提供用于硅烷的聚合抑制剂，其在加热蒸馏时加入时，能够使得硅烷进行高度提纯，因为即使进行了加热蒸馏也未形成聚合物，且环状硅烷可作为单体存在。为了提供包含通过使用聚合抑制剂来获得高纯度环状硅烷(特别为高纯度环戊硅烷)并聚合环状硅烷而获得...

公开了一种无线(例如近场或射频)通信设备，及其制造和使用的方法。所述无线通信设备包括接收器和/或发射器、在其上具有天线的基板、集成电路、以及一条或多条保护线。所述天线接收和/或发送或广播无线信号。所述集成电路处理所述无线信号和/或由该处...

本申请涉及具有横向尺寸改变吸收缓冲层的电子部件及其生产方法。公开电子部件(1)和包括一个或多个这样的部件(1)的电子设备(100)。电子部件(1)包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4)。所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护电活性...

本申请涉及含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法。铁电存储单元(1)和包括一个或多个这样的单元(1)的存储设备(100)。铁电存储单元包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4)。所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护电活性...

[问题]本发明提供使用重均分子量大的聚硅烷制成涂布型聚硅烷组合物，在涂布于基板并烧成后而得到导电性高且良好的硅薄膜。[解决方案]所述聚硅烷具有5000～8000的重均分子量。聚硅烷为环戊硅烷的聚合物。硅膜是将聚硅烷溶解于溶剂而成的聚硅烷...

一种制造方法，其为由式(3)表示的环状硅烷的制造方法，该制造方法包括以下工序：(A)工序：使由式(1)表示的环状硅烷化合物在卤化铝的存在下在环己烷中与卤化氢反应，得到含有由式(2)表示的环状硅烷化合物的溶液，接着将该溶液进行蒸馏而得到由...

铁电存储单元（1）和包括一个或多个这样的单元（1）的存储设备（100）。铁电存储单元包括布置在柔性衬底（3）上的层的堆叠（4）。所述堆叠包括电活性部分（4a）和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层（11）。所述电活性部分包括底部电极...