【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法
本专利技术一般涉及包括布置在柔性衬底上的堆叠层的铁电存储单元,其中所述堆叠包括电活性部分和用于保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层,并且其中所述电活性部分包括底部电极层和顶部电极层和分离所述电极的至少一个铁电存储材料层。
技术介绍
传统上,铁电存储单元典型地提供在刚性的衬底上,诸如硅。然而,电子学也日益使用在非传统的应用领域中并且用于产生电子的新技术出现,这里使用柔性衬底是期望的或甚至要求的。例如,这是印刷电子学的例子,这里从制造、应用领域和/或成本角度方面考虑,使用柔性衬底可能是期望的或甚至要求的。在非常简单的成分的情况下,印刷电子学可代替传统的电子学,其通过印刷技术可被较便宜地实现;然而,目标通常是传统的电子学因为技术和成本的原因并不合适的新应用领域。印刷电子学的应用涉及,例如,信息可在其中被存储的标签和标识。在这样的应用中,并且原则上在任何电子装置中,存储成分的有效性是决定性的。本申请人提供可通过印刷过程实现的存储技术,例如在WO2006/135246中描述的。存储器基于铁电材料作为存储物质,特别是铁电聚合物材料。这种存储材料被证明在延长的时间期间上是可再写的和双稳态的。每个存储单元具有像电容的结构,这里存储单元被定位在一对电极之间并且这里存储单元经由将电极连接到电子驱动器或探测电路的导体是可存取的。例如后者可定位在存储器阵列的外围上或单独的模块上。基于这种应用,存储设备可包括从一个单独的存储单元到布置在矩阵阵列中的数百万个单元。一些基本的单元结构和阵列布置示意性地显示在图1a-d中。应当指出,未 ...
【技术保护点】
一种铁电存储单元(1),包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4),其中所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护所述电活性部分免于划伤和磨损的保护层(11),其中所述电活性部分包括底部电极层(5)和顶部电极层(9)以及在所述电极之间的至少一个铁电存储材料层(7),其中所述堆叠还包括布置在所述顶部电极层(9)和所述保护层(11)之间的缓冲层(13),所述缓冲层(13)适于至少部分地吸收发生在所述保护层(11)中的横向尺寸改变(ΔL)并且因此防止所述尺寸改变(ΔL)被转移到所述电活性部分(4a)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种铁电存储单元(1),包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4),其中所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护所述电活性部分免于划伤和磨损的保护层(11),其中所述电活性部分包括底部电极层(5)和顶部电极层(9)以及在所述电极层之间的至少一个铁电存储材料层(7),其中所述堆叠还包括布置在所述顶部电极层(9)和所述保护层(11)之间的缓冲层(13),所述缓冲层(13)适于至少部分地吸收发生在所述保护层(11)中的横向尺寸改变(ΔL)并且因此防止所述横向尺寸改变(ΔL)被转移到所述电活性部分(4a),其中所述缓冲层(13)由密合材料制成并且具有厚度(H),使得当所述保护层的所述横向尺寸改变(ΔL)引起在所述缓冲层(13)的面对所述保护层(11)的顶部部分(13a)中的横向尺寸变形时,在所述顶部部分(13a)中的所述横向尺寸变形导致在面对所述电活性部分(4a)的底部部分(13b)中的实质上较少的横向尺寸变形,由此,所述缓冲层(13)适于至少部分地吸收所述横向尺寸改变(ΔL),所述顶部部分和所述底部部分之间的横向变形的不同对应于吸收的横向尺寸改变,其中所述顶部电极层(9)包括面向所述保护层(11)的顶表面,且其中所述缓冲层(13)沿着所述铁电存储单元内的所述顶部电极层的整个顶表面延伸。2.根据权利要求1所述的铁电存储单元(1),其中至少部分地吸收所述横向尺寸改变包括吸收所述横向尺寸改变至少99%、或至少95%、或至少90%、或至少80%、或至少50%、或至少30%。3.根据权利要求1或2所述的铁电存储单元(1),其中所述缓冲层包括具有低于30摄氏度的玻璃化温度Tg的材料。4.根据权利要求3所述的铁电存储单元(1),其中所述缓冲层包括具有低于25摄氏度的玻璃化温度Tg的材料。5.根据权利要求3所述的铁电存储单元(1),其中所述具有玻璃化温度Tg的材料是包括具有低于30摄氏度的玻璃化温度Tg的至少一种材料成分的杂化材料。6.根据权利要求5所述的铁电存储单元(1),其中所述具有玻璃化温度Tg的材料是包括具有低于25摄氏度的玻璃化温度Tg的至少一种材料成分的杂化材料。7.根据权利要求1所述的铁电存储单元(1),其中所述缓冲层(13)包括选自以下项中的任一种的材料或两种或多于两种材料的混合:硅橡胶、天然橡胶、聚丙二醇、聚醋酸乙烯酯和丙烯酸酯基树脂。8.根据权利要求1所述的铁电存储单元(1),其中所述铁电存储材料层(7)包括有机的铁电存储材料。9.根据权利要求8所述的铁电存储单元(1),其中所述铁电存储材料层(7)包括聚合物的铁电存储材料。10.根据权利要求1所述的铁电存储单元(1),其中通过硬化所述保护层或通过所述铁电存储单元的操作温度范围的温度差能够引起所述保护层(11)的所述横向尺寸改变(ΔL)。11.根据权利要求1所述的铁电存储单元(1),其中所述电活性部分(4a)和/或所述缓冲层(13)已被印刷在所述柔性衬底上。12.根据权利要求1所述的铁电存储单元(1),其中所述保护层直接粘接到所述缓冲层。13.根据权利要求1所述的铁电存储单元(1),其中所述保护层(11)包括保护膜和将所述保护膜粘接到所述缓冲层(13)的粘合剂,所述粘合剂的材料被硬化。14.根据权利要求1所述的铁电存储单元(1),其中所述保护层(11)是保护膜并且所述缓冲层(13)形成将所述保护膜粘接到所述堆叠(4)的其余部分的粘合剂。15.根据权利要求10所述的铁电存储单元(1),其中所述操作温度范围为-10摄氏度到+50摄氏度。16.一种铁电存储单元(1),包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4),其中所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护所述电活性部分免于划伤...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·卡尔松,欧勒·乔尼·哈格尔,雅各布·尼尔森,P·布罗姆斯,
申请(专利权)人:薄膜电子有限公司,
类型:
国别省市:
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