一种铝基强诱电体薄膜的制造方法技术

技术编号：9991846 阅读：121 留言：0更新日期：2014-05-02 07:00

本发明专利技术公开了一种铝基强诱电体薄膜的制造方法，本发明专利技术的工艺流程为：一级化成→二级化成→三级化成→一级馈电→四级化成→五级化成→六级化成→二级馈电→去极化→一级修补→烘干→退火→二级修补→烘干→二次退火→防水和修补→烘干。本发明专利技术改变了馈电槽位置，从而将一级馈电和二级馈电的工序后移，使加载电压更为稳定与合理，并对馈电槽液成分的局限性实现了突破，更有利于水合氧化铝膜的去除、析氢量的减少并节约了电能；退火前加入烘干步骤，将有效避免游离态水与结合态水的分别处理，避免高温下水与铝箔的反应影响诱电体薄膜的致密性；新增多次修补与多次退火，更有利于诱电体薄膜缺陷的先暴露后修复，联合打造高品质的致密诱电体薄膜。