一种碳化硅颗粒表面原位自生碳纳米管的方法技术

技术编号：9984643 阅读：215 留言：0更新日期：2014-05-01 08:21

本发明专利技术提供了一种在微米级碳化硅粉体表面原位生长多壁碳纳米管的方法，首先对碳化硅粉体进行氧化、酸洗、碱洗表面处理，去除表面的氧化硅及其它杂质；然后采用化学共沉积的方法在碳化硅表面包裹一层均匀分布的纳米催化剂颗粒，再将上述粉体放入石英管式炉中，利用化学气相沉积的方法在碳化硅表面原位催化裂解制备碳纳米管。本发明专利技术能够实现碳纳米管在微米级碳化硅表面的均匀分布，解决了碳纳米管容易团聚的困难，为制备高性能多尺度复合材料提供了基础。本发明专利技术的方法简单，可行性高；所制得的碳纳米管在碳化硅表面分散均匀且量可控。