【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法，其步骤为：以人造石墨粉、活性炭粉、鳞片石墨粉中的一种为碳源，以硅粉、无定形态氧化硅粉末、纳米级氧化硅粉末中的一种或任意几种为硅源，将碳源和硅源充分混合后置于微波炉的谐振腔中，将微波谐振腔抽真空，然后利用微波辐照加热碳源和硅源形成的混合物，保温反应，得到SiC/SiO2同轴纳米线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王继刚，黄珊，
申请(专利权)人：张家港市东大工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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