导电性粒子、导电材料及连接结构体制造技术

本发明专利技术提供一种导电性粒子，其在连接电极间而得到连接结构体的情况下，能够降低电极间的连接电阻、并且能够抑制高温高湿下连接电阻的上升。本发明专利技术的导电性粒子(1)具有基体材料粒子(2)和配置于基体材料粒子(2)的表面上的导电层(3)。导电层(3)含有镍且含有钨及钼中的至少一种金属成分。在导电层(3)整体100重量%中，镍的含量为60重量%以上。在从导电层(3)的外表面沿厚度方向朝向内侧5nm厚度的导电层部分100重量%中，钨及钼的总含量超过5重量%。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种导电性粒子，其在连接电极间而得到连接结构体的情况下，能够降低电极间的连接电阻、并且能够抑制高温高湿下连接电阻的上升。本专利技术的导电性粒子(1)具有基体材料粒子(2)和配置于基体材料粒子(2)的表面上的导电层(3)。导电层(3)含有镍且含有钨及钼中的至少一种金属成分。在导电层(3)整体100重量%中，镍的含量为60重量%以上。在从导电层(3)的外表面沿厚度方向朝向内侧5nm厚度的导电层部分100重量%中，钨及钼的总含量超过5重量%。【专利说明】导电性粒子、导电材料及连接结构体
本专利技术涉及在基体材料粒子的表面上配置有导电层的导电性粒子，更详细而言，涉及例如可以用于电极间的电连接的导电性粒子。另外，本专利技术涉及使用上述导电性粒子的导电材料及连接结构体。
技术介绍
各向异性导电糊及各向异性导电膜等各向异性导电材料已广为人知。对该各向异性导电材料而言，在粘合剂树脂中分散有导电性粒子。上述各向异性导电材料可用于IC芯片和挠性印刷电路基板的连接及IC芯片和具有ITO电极的电路基板的连接等。例如，可以通过在将各向异性导电材料配置于IC芯片的电极和电路基板的电极之间之后进行加热及加压，来实现这些电极的电连接。作为上述导电性粒子的一个例子，在下述专利文献I中公开了一种导电性粒子，其通过在平均粒径I?20 y m的球状基体材料粒子的表面利用非电解镀法形成镍导电层或镍合金导电层而得到。该导电性粒子在导电层的最表层具有0.05?4pm的微小突起。该导电层与该突起实质上连续地相连。现有技术文献专利文献专利文献1:(日本)特开2000-243132号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在使用专利文献I所记载的导电性粒子连接电极间的情况下，有时电极间的连接电阻变高。在专利文献I的实施例中，形成了包含镍和磷的导电层。在由导电性粒子连接的电极及导电性粒子的导电层的表面大多形成有氧化被膜。在使用具有包含镍和磷的导电层的导电性粒子连接电极间的情况下，包含镍和磷的导电层比较柔软，因此，有时无法充分排除电极及导电性粒子表面的氧化被膜，导致连接电阻变高。另外，如果为了降低连接电阻而加大专利文献I所记载的那样的包含镍和磷的导电层的厚度，则有时会因导电性粒子的存在而损伤连接对象部件或基板。此外，由导电性粒子连接电极间而成的连接结构体有时要暴露在高温高湿下。对于专利文献I所记载的那样的现有的导电性粒子而言，可能会在高温高湿下在酸等的影响下而发生导电层变性，导致电极间的连接电阻变高。即，连接结构体暴露于高温高湿下时，可能导致电极间的连接电阻变高，可能无法长时间保持低连接电阻。本专利技术的目的在于提供一种在将电极间连接而得到连接结构体的情况下，能够降低电极间的连接电阻、并且能够抑制在高温高湿下连接电阻的上升的导电性粒子以及使用了该导电性粒子的导电材料及连接结构体。解决问题的方法根据本专利技术的宽泛方面，可提供一种导电性粒子，其具有基体材料粒子和配置于该基体材料粒子表面上的导电层，上述导电层包含镍且包含钨和钥中的至少一种金属成分，在上述导电层整体100重量％中，镍的含量为60重量％以上，在从上述导电层的外表面沿厚度方向朝向内侧5nm厚度的导电层部分100重量％中，钨及钥的总含量超过5重量％。在本专利技术的导电性粒子的某个特定方面中，在从上述导电层的外表面沿厚度方向朝向内侧5nm厚度的导电层部分100重量％中，钨及钥的总含量为10重量％以上。在本专利技术的导电性粒子的其它特定方面中，在上述导电层的厚度方向上，钨和钥中的至少一种上述金属成分以及镍的分布不均，上述导电层的外侧部分的上述金属成分含量高于上述导电层的内侧部分的上述金属成分含量。在本专利技术的导电性粒子的另一特定方面中，在上述导电层整体100重量％中，钨及钥的总含量超过5重量％。在将10重量份的本专利技术的多个导电性粒子在100重量份的5重量％柠檬酸水溶液中于25°C浸溃了 I分钟时，溶出的镍离子浓度以导电性粒子的每单位表面积计为IOOppm/cm2以下。在本专利技术的导电性粒子的其它特定方面中，上述导电层通过使用还原剂的非电解镀镍形成，上述导电层不含有源自上述还原剂的成分，或含有源自上述还原剂的成分且在上述导电层整体100重量％中源自上述还原剂的成分含量为5重量％以下。在本专利技术的导电性粒子的其它特定方面中，上述导电层含有硼。优选在上述导电层整体100重量％中，硼的含量为0.05重量％以上且4重量％以下。在本专利技术的导电性粒子的另一特定方面中，上述导电层不含有磷，或上述导电层含有磷且在上述导电层整体100重量％中磷的含量低于0.5重量％。在本专利技术的导电性粒子的其它特定方面中，上述导电层在外表面具有突起。本专利技术提供一种导电材料，其含有上述的导电性粒子和粘合剂树脂。本专利技术提供一种连接结构体，其具备:第一连接对象部件、第二连接对象部件、以及连接该第一、第二连接对象部件的连接部，该连接部由上述的导电性粒子形成，或由含有该导电性粒子和粘合剂树脂的导电材料形成。专利技术的效果在本专利技术的导电性粒子中，在基体材料粒子的表面上配置有导电层，上述导电层含有镍且含有钨和钥中的至少一种金属成分，在上述导电层整体100重量％中，镍的含量为60重量％以上，在从上述导电层的外表面沿厚度方向朝向内侧5nm厚度的导电层部分100重量％中，钨及钥的总含量超过5重量％，因此，在使用本专利技术的导电性粒子连接电极间而得到连接结构体的情况下，能够降低电极间的连接电阻。并且，即使连接结构体暴露于高温高湿下，也不易发生连接电阻的增高。【专利附图】【附图说明】图1为剖视图，示出了本专利技术第一实施方式的导电性粒子。图2为剖视图，示出了本专利技术第二实施方式的导电性粒子。图3为剖视图，示出了本专利技术第三实施方式的导电性粒子。图4为正面剖视图，示意性地示出了使用了本专利技术第一实施方式的导电性粒子的连接结构体。符号说明I…导电性粒子Ia…突起2…基体材料粒子3…导电层3a…突起4…芯物质5…绝缘物质11…导电性粒子I Ia…突起12…第二导电层`13…导电层13a…突起21…导电性粒子22…导电层51…连接结构体52…第一连接对象部件52a…上表面52b…电极53…第二连接对象部件53a…下表面53b…电极54…连接部【具体实施方式】以下，对本专利技术的详情进行说明。本专利技术的导电性粒子具有基体材料粒子和配置于该基体材料粒子表面上的导电层。上述导电层含有镍且含有钨和钥中的至少一种金属成分。在上述导电层整体100重量％中，镍的含量为60重量％以上。在从上述导电层的外表面沿厚度方向朝向内侧5nm厚度的导电层部分100重量％中，钨及钥的总含量超过5重量％。在本专利技术的导电性粒子中，上述导电层具有特定的上述组成，因此，在将本专利技术的导电性粒子用于电极间的连接的情况下，能够降低电极间的连接电阻。另外，具有特定的上述组成的导电层比较硬。因此，在连接电极间时，能够有效地排除电极及导电性粒子表面的氧化被膜，由此也能降低电极间的连接电阻。另外，在本专利技术的导电性粒子中，外侧表面附近的钨及钥的总含量比较多。由此，例如导电层的耐酸性变高。因此，即使上述连接结构体暴露于高温高湿下，也可降低酸等的影响。其结果，电极间的连接电阻不易上升，可长时间保持低连接电阻。与之相对，特别是在从上述导电层的外表面沿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈敬三，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：
国别省市：