一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法，具体步骤包括：将衬底用超声法洗净并烘干保存；将薄膜晶体管阵列的生长在衬底上；将非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方以真空蒸镀的方式生成薄膜；将电子封闭层铺设到非晶硒半导体材料上；将X射线半导体安装在电子封闭层上；将绝缘层铺设在X射线半导体上；将电机层安装在绝缘层上。通过上述方式，本发明专利技术一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法使得薄膜与衬底具有足够的结合力，图像的清晰度更高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法，具体步骤包括：将衬底用超声法洗净并烘干保存；将薄膜晶体管阵列的生长在衬底上；将非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方以真空蒸镀的方式生成薄膜；将电子封闭层铺设到非晶硒半导体材料上；将X射线半导体安装在电子封闭层上；将绝缘层铺设在X射线半导体上；将电机层安装在绝缘层上。通过上述方式，本专利技术一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法使得薄膜与衬底具有足够的结合力，图像的清晰度更高。【专利说明】一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法
本专利技术涉及平板探测器的制造方法，尤其涉及一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法。
技术介绍
在工业及医疗行业中X射线探测器被广泛的应用，作为X射线探测器必不可少的闪烁体部分也越来越重要。对于一些新型的医用闪烁体，制备单晶时十分困难，发展多晶陶瓷闪烁体是目前最重要的研究方向，多晶陶瓷闪烁体具有成本低、加工性能好，易于进行性能裁剪等优点，是目前医用闪烁体的首选。在新的X射线诊断用探测器中，人们正在研发采用有源矩阵的平面探测器。在这种平面探测器中，利用闪烁层将探测到的X射线变换为可见光或荧光，再通过非晶硅光电二极管等光电变换元件将这一荧光变换成信号电荷，进而将信号电荷转换为数字信号而输出图像，然而往往薄膜与衬底的结合力不够，而且图像的清晰度较差。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法，具体步骤包括: (1)将衬底用超声法洗净并烘干保存； (2)将薄膜晶体管阵列的生长在衬底上； (3)将非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方以真空蒸镀的方式生成薄膜； (4)将电子封闭层铺设到非晶硒半导体材料上； (5)将X射线半导体安装在电子封闭层上； (6)将绝缘层铺设在X射线半导体上； (7)将电机层安装在绝缘层上。在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(I)中所述衬底的材料为玻璃、光纤面板和光纤锥中的任意一种。在本专利技术一个较佳实施例中，步骤(3)中所述薄膜的厚度为0.4-0.6mm，大小为40mmX48mm。本专利技术的有益效果是:本专利技术一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法使得薄膜与衬底具有足够的结合力，图像的清晰度更高。【具体实施方式】下面对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。本专利技术实施例包括:一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法，具体步骤包括: (1)将衬底用超声法洗净并烘干保存； (2)将薄膜晶体管阵列的生长在衬底上； (3)将非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方以真空蒸镀的方式生成薄膜； (4)将电子封闭层铺设到非晶硒半导体材料上； (5)将X射线半导体安装在电子封闭层上； (6)将绝缘层铺设在X射线半导体上； (7)将电机层安装在绝缘层上。步骤(I)中所述衬底的材料为玻璃、光纤面板和光纤锥中的任意一种。步骤(3)中所述薄膜的厚度为0.4-0.6mm,大小为40mmX48mm。下面对本专利技术的一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法的工作原理进行详细介绍。将衬底用超声法洗净并烘干保存，其中衬底的材料为玻璃、光纤面板和光纤锥中的任意一种，将薄膜晶体管阵列的生长在衬底上，将非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方以真空蒸镀的方式生成厚度为0.4-0.6mm，大小为40mmX 48mm薄膜，将电子封闭层铺设到非晶硒半导体材料上，将X射线半导体安装在电子封闭层上，将绝缘层铺设在X射线半导体上，将电机层安装在绝缘层上。与现有技术相比，本专利技术一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法使得薄膜与衬底具有足够的结合力，图像的清晰度更高。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。【权利要求】1.一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法，其特征在于，具体步骤包括: (1)将衬底用超声法洗净并烘干保存； (2)将薄膜晶体管阵列的生长在衬底上； (3)将非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方以真空蒸镀的方式生成薄膜； (4)将电子封闭层铺设到非晶硒半导体材料上； (5)将X射线半导体安装在电子封闭层上； (6)将绝缘层铺设在X射线半导体上； (7)将电机层安装在绝缘层上。2.根据权利要求1所述的一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法，其特征在于:步骤(I)中所述衬底的材料为玻璃、光纤面板和光纤锥中的任意一种。3.根据权利要求1所述的一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法，其特征在于:步骤(3)中所述薄膜的厚度为0.4-0.6mm,大小为40mmX48mm。【文档编号】H01L27/146GK103715214SQ201310627699【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年12月2日 优先权日:2013年12月2日 【专利技术者】范波 申请人:江苏龙信电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高清晰度数字X射线平板探测器的制造方法，其特征在于，具体步骤包括：?（1）将衬底用超声法洗净并烘干保存；（2）将薄膜晶体管阵列的生长在衬底上；?（3）将非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方以真空蒸镀的方式生成薄膜；?（4）将电子封闭层铺设到非晶硒半导体材料上；?（5）将X射线半导体安装在电子封闭层上；?（6）将绝缘层铺设在X射线半导体上；?（7）将电机层安装在绝缘层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范波，
申请(专利权)人：江苏龙信电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：