检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法技术方案

本发明专利技术涉及检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法。一种检测设备包括多个转换元件、层间绝缘层和覆盖层。多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层。层间绝缘层被设置为覆盖多个开关元件并由有机材料构成，并且具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面。电极被设置在第一区域中的层间绝缘层的表面上。覆盖层被设置在第二区域中的层间绝缘层的表面上并由无机材料构成。

【技术实现步骤摘要】
检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法
本专利技术涉及被应用于医疗图像诊断设备、无损检查设备、使用放射线的分析设备等的检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法。
技术介绍
近年来，薄膜半导体生产技术已经被应用于制造包括像素的阵列（像素阵列）的放射线检查设备。在这些设备中，通过组合诸如薄膜晶体管（TFT）的开关元件和（将放射线或光转换为电荷的）诸如光电二极管的转换元件来提供每一个像素。在日本专利特开No.2007-035773中描述的现有技术的检查设备包括在设置于基板上的电极上提供的转换元件。这些电极由透明导电氧化物构成，并且在逐个像素的基础上被相互分开。此外，现有技术的检查设备还包括经由在层间绝缘层中提供的接触孔被连接到电极的开关元件。层间绝缘层被设置在基板与电极之间，并且由有机材料构成。以将其在层间绝缘层上的杂质半导体层和半导体层去除的方式，现有技术的检查设备的转换元件被在逐个像素的基础上被相互分开。但是，在日本专利特开No.2007-035773中描述的结构的生产中，在沉积要成为转换元件的杂质半导体层的杂质半导体膜和要成为转换元件的半导体层的半导体膜的情况中，以及将在层间绝缘层上的杂质半导体膜和半导体膜去除的情况中，存在层间绝缘层被暴露的处理。更具体地说，在基板上，其中没有设置像素的区域（像素阵列外部区域）存在于其中设置有多个像素的区域（像素阵列区域）的外部。为了在像素阵列区域中使层间绝缘层的厚度均匀，层间绝缘层不仅被设置在像素阵列区域内，而且被设置为延伸超出像素阵列区域并到达像素阵列外部区域。因此，在形成转换元件的情况中，在像素阵列外部区域中的层间绝缘层的暴露面积大于在像素阵列区域中的层间绝缘层的暴露面积。当由有机材料构成的层间绝缘层在使用化学气相沉积（CVD）法、蚀刻法等来形成转换元件的情况中被暴露时，会发生有机材料被混入转换元件的有机污染。在层间绝缘层的暴露区域之间的大的差异导致了有机污染的程度之间的大的差异。这样，位于像素阵列区域的边缘处的转换元件的有机污染的程度与位于像素阵列区域的中心处的转换元件的有机污染的程度会存在大的差异。出于这一原因，在有机污染的程度之间的差异导致了位于像素阵列区域的边缘处的转换元件的转换特征与位于像素阵列区域的中心处的转换元件的转换特征之间的大的差异。因此，位于像素阵列区域的边缘处的转换元件的转换特征与位于像素阵列区域的中心处的转换元件的转换特征的差异会导致在成像期间发生图像伪影。
技术实现思路
本专利技术致力于解决这些问题，并且提供一种检测设备，其中，减少了来自像素阵列外部区域中的层间绝缘层的有机材料到转换元件的杂质半导体层和半导体层中的混合，并且，因此，降低了图像伪影的发生。根据本专利技术的检测设备包括多个转换元件、层间绝缘层和覆盖层。多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层。层间绝缘层被设置为覆盖所述多个开关元件并由有机材料构成，并且具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面。电极被设置在第一区域中的层间绝缘层的表面上。覆盖层被设置在第二区域中的层间绝缘层的表面上并由无机材料构成。此外，根据本专利技术的用于制造检测设备的方法是用于制造包括多个转换元件的检测设备的方法。多个转换元件中的每一个都包括电连接到所述多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层。该方法包括如下：形成层间绝缘层以覆盖所述多个开关元件、以及在第一区域中的层间绝缘层的表面上形成电极和在第二区域中的层间绝缘层的表面上形成覆盖层的第一步骤，层间绝缘层由有机材料构成并具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面，该覆盖层由无机材料构成；以及在第一步骤之后在电极上形成半导体层的第二步骤。根据本专利技术，可以提供一种检测设备，其中，减少了来自像素阵列外部区域中的层间绝缘层的有机材料到转换元件的杂质半导体层和半导体层中的混合，并且，因此，降低图像伪影的发生。根据下面参照附图的对示例性实施例的描述，本专利技术的进一步的特征将会变得清晰。附图说明图1A、1B和1C是根据第一实施例的检测设备的示意平面图。图2A、2B和2C是根据第一实施例的检测设备的示意截面图。图3A、3C、3E、3G和3I是用于解释制造根据第一实施例的检测设备的方法的掩模图案的示意平面图，图3B、3D、3F、3H和3J是用于解释制造根据第一实施例的检测设备的方法的检测设备的示意截面图。图4A、4C、4E和4G是用于解释制造根据第一实施例的检测设备的方法的掩模图案的示意平面图，图4B、4D、4F和4H是用于解释制造根据第一实施例的检测设备的方法的检测设备的示意截面图。图5是根据本专利技术的第一实施例的检测设备的等效电路的示图。图6A至6D是根据第二实施例的检测设备的示意截面图。图7A至7C是根据第三实施例的检测设备的示意截面图。图8A和8C是用于解释制造根据第三实施例的检测设备的方法的掩模图案的示意平面图，图8B和8D是用于解释制造根据第三实施例的检测设备的方法的示意截面图。图9A和9C是用于解释制造根据第三实施例的检测设备的另一方法的例子的掩模图案的示意平面图，图9B和9D是用于解释制造根据第三实施例的检测设备的另一方法的例子的检测设备的示意截面图。图10A和10C是根据第四实施例的检测设备的示意截面图；图10B是掩模图案的示意平面图。图11A、11C、11E和11G是用于解释制造根据第四实施例的检测设备的方法的掩模图案的示意平面图，图11B、11D、11F和11H是用于解释制造根据第四实施例的检测设备的方法的示意截面图。图12是使用根据本专利技术的实施例中的任何一个实施例的检测设备的放射线检测系统的示意图。具体实施方式在下文中，将参照附图具体地描述本专利技术的实施例。请注意，在本说明书中，放射线的例子不仅包括作为由通过放射性衰变而发射的粒子（包括光子）构成的α射线、β射线和γ射线，而且包括具有几乎相同或更多的能量的射束，例如，X射线、粒子束和宇宙线。第一实施例首先，将使用图1A至1C和图2A至2C来描述根据本专利技术的第一实施例的检测设备的平面结构。图1A是在检测设备中包含的基板的示意平面图，图1B是放大图1A中的区域IB的示意平面图。图1C是图1B中图示的区域IC中的每个像素的平面图。请注意，在图1C中，为了简单起见，关于转换元件，只图示第一电极。如图1A所示，根据本专利技术的检测设备包括设置在基板100上的多个像素11。在基板100上存在像素阵列区域20，该像素阵列区域20是设置多个像素11的区域。而且，在基板100上还存在像素阵列外部区域21，该像素阵列外部区域21是位于像素阵列区域20之外的区域。在像素阵列外部区域21中没有设置多个像素。如图1C所示，在根据本专利技术的检测设备中包含的像素11中的每一个包括转换元件12和TFT13，转换元件12将放射线或光转换为电荷，TFT13是根据转换元件12所具有的电荷而输出电信号的开关元件。PIN光电二极管用作转换元件12。TFT13被设置在诸如玻璃基板的绝缘基板100上。每一个转换元件12以这样的方式设置，即转换元件12和由无机材料构成的层间绝缘层120被堆叠在TFT13中的一个对应TFT上，并且，层间绝缘层120被夹于转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测设备，包含：多个转换元件，所述多个转换元件中的每一个都包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极和设置在所述电极上的半导体层；层间绝缘层，该层间绝缘层被设置为覆盖所述多个开关元件并由有机材料构成，该层间绝缘层具有包括第一区域和位于第一区域之外的第二区域的表面，所述电极在第一区域中被设置于层间绝缘层的表面上；以及覆盖层，该覆盖层在第二区域中被设置于层间绝缘层的表面上并由无机材料构成。

【技术特征摘要】
2012.10.02 JP 2012-2203851.一种检测设备，其特征在于包含：像素阵列区域和像素阵列外部区域，在像素阵列区域中多个像素被布置于基板上，并且像素阵列外部区域在基板上被布置于像素阵列区域之外，所述多个像素中的每一个都包括转换元件，所述转换元件包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极、设置在所述电极上的杂质半导体层和设置在所述杂质半导体层上的半导体层；层间绝缘层，该层间绝缘层被设置为覆盖所述多个开关元件并由有机材料构成，所述电极在像素阵列区域中被设置于层间绝缘层的表面上；以及覆盖层，所述覆盖层由无机材料构成，其中，所述覆盖层在像素阵列外部区域中被布置于层间绝缘层的表面上，以使得所述多个像素之中的位于所述像素阵列区域的边缘的像素的杂质半导体层的端部被置于所述覆盖层上。2.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述电极的末端被设置在所述覆盖层和所述杂质半导体层之间。3.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述电极的末端被设置在所述层间绝缘层和所述覆盖层之间。4.根据权利要求1所述的检测设备，还包括覆盖部件，所述覆盖部件被设置在所述电极之间以覆盖所述层间绝缘层并由无机材料构成。5.根据权利要求1所述的检测设备，其中，所述多个开关元件是设置在基板上的薄膜晶体管，其中，所述层间绝缘层具有用于电连接所述电极和所述薄膜晶体管的主电极的接触孔，并且其中，所述检测设备还包括保护部件，所述保护部件被配置为保护所述接触孔中的主电极。6.一种检测系统，其特征在于包括：根据权利要求1所述的检测设备；信号处理单元，该信号处理单元被配置为处理从所述检测设备供应的信号；记录单元，该记录单元被配置为记录从所述信号处理单元供应的信号；显示单元，该显示单元被配置为显示从所述信号处理单元供应的信号；以及发送处理单元，该发送处理单元被配置为发送从所述信号处理单元供应的信号。7.一种用于制造检测设备的方法，该检测设备包括像素阵列区域和像素阵列外部区域，在像素阵列区域中多个像素被布置于基板上，并且像素阵列外部区域在基板上被布置于像素阵列区域之外，所述多个像素中的每一个都包括转换元件，所述转换元件包括电连接到多个开关元件中的一个对应开关元件的电极、设置在所述电极上的杂质半导体层和设置在所述杂质半导体层上的半导体层，该方法包括：第一步骤，在被形成为覆盖所述多个开关元件并且由有机材料构成的层间绝缘层的表面上在所述像素阵列区域中形成多个电极，并且在像素阵列外部区域中在层间绝缘层的表面上形成覆盖层，所述覆盖层由无机材料构成；以及第二步骤，在所述电极上形成杂质半导体层，以使得所述多个像素之中的位于所述像素阵列区域的边缘的像素的杂质半导体层的端部被置于所述覆盖层上。8.根据权利要求7所述的制造检测设备的方法，其中，第一步骤还包括：沉积导...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤吉健太郎，渡边实，横山启吾，大藤将人，川锅润，和山弘，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：