射频识别标签芯片的存储器读取电路制造技术

本发明专利技术提供一种射频识别标签芯片的存储器读取电路，属于集成电路(IC)设计技术领域。读取电路包括：高压隔离MOS晶体管，并且还包括：用于控制所述高压隔离MOS晶体管的导通状态的栅极控制电路模块、和电容自举电路模块，电容自举电路模块用于抬升所述栅极控制电路模块的输出电压，以使高压隔离MOS晶体管在读操作时导通、并且使所述高压隔离MOS晶体管传输至所述存储器的电压大于或等于偏置在该读取电路上的所述读电压。该存储器读取电路在诸如RFID标签芯片的正常电源电压的低电压条件下实现读操作，读操作准确、灵敏，并且电路结构简单、读操作功耗小。

【技术实现步骤摘要】
射频识别标签芯片的存储器读取电路
本专利技术属于集成电路(IC)设计
，涉及射频识别(RFID)标签芯片，尤其涉及一种可以实现低压条件下读取RFID标签芯片的存储器的读取电路。
技术介绍
存储器通常具有编程/擦除电压高、读取电压小的特点，例如，EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电可擦可编程只读存储器)在编程/擦除时一般需要15V高压，在读取时需要正常的VDD(IC本身提供的正常电源电压)即可，同样地，对于FLASH(闪存)、OTP(OneTimeProgrammable，一次可编程存储器)也存在类似问题。因此，在RFID标签芯片的存储模块中应用到这种类型的存储器时，需要用能够耐高压的MOSFET将编程/擦除电路和读取电路隔离。但是，能够耐高压的MOSFET由于阈值电压都比较高(例如，通常高于O.8V)，很有可能高于RFID标签芯片的VDD，这就使得在读取电路中低压读取这种类型的存储器比较困难。并且，随着无线传感网(WSN)的快速发展以及超高频(UHF)RFID标签芯片的应用需求的扩大，实现低压读取的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频识别标签芯片的存储器读取电路，其上偏置读电压以对该存储器进行读操作，该读取电路包括：高压隔离MOS晶体管，其用于隔离存储器的编程/擦除电路在编程/擦除操作时的相对高压信号对该读取电路产生影响；其特征在于，还包括：栅极控制电路模块，其用于控制所述高压隔离MOS晶体管的导通状态；和电容自举电路模块，其用于抬升所述栅极控制电路模块的输出电压，以使高压隔离MOS晶体管在读操作时导通、并且使所述高压隔离MOS晶体管传输至所述存储器的电压大于或等于偏置在该读取电路上的所述读电压。

【技术特征摘要】
1.一种射频识别标签芯片的存储器读取电路，其上偏置读电压以对该存储器进行读操作，该读取电路包括：高压隔离MOS晶体管，其用于隔离存储器的编程/擦除电路在编程/擦除操作时的相对高压信号对该读取电路产生影响；其特征在于，还包括：栅极控制电路模块，其用于控制所述高压隔离MOS晶体管的导通状态；和电容自举电路模块，其用于抬升所述栅极控制电路模块的输出电压，以使高压隔离MOS晶体管在读操作时导通、并且使所述高压隔离MOS晶体管传输至所述存储器的电压大于或等于偏置在该读取电路上的所述读电压。2.如权利要求1所述的存储器读取电路，其特征在于，所述电容自举电路模块中使用MOS电容。3.如权利要求1所述的存储器读取电路，其特征在于，所述高压隔离MOS晶体管为高压NMOS晶体管，所述栅极控制电路模块包括第一PMOS晶体管，所述电容自举电路模块主要包括用于形成MOS电容的第一NMOS晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管的源/漏极上耦接射频识别标签芯片的正常电源电压，第一PMOS晶体管的漏/源极耦接至所述高压NMOS晶体管的栅极；所述第一NMOS晶体管的栅极耦接至所述第一PMOS晶体管的漏/源极，所述第一NMOS晶体管的源极和漏极耦接至所述第一PMOS晶体管的栅极。4.如权利要求3所述的存储器读取电路，其特征在于，在未读取所述存储器时，所述第一PMOS晶体管导通，以将所述高压NMOS晶体管的栅极的电位提升至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔维新，赵海波，王彬，于跃，
申请(专利权)人：扬州稻源微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32