薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。所述薄膜晶体管的制备方法包括：通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间。本发明专利技术的薄膜晶体管、阵列基板的制备工艺流程简单。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管(TFT)及其制备方法、包括该薄膜晶体管的阵列基板及其制备方法，以及包括该阵列基板的显示装置。
技术介绍
目前，以液晶显示装置(IXD)和有机发光二极管显示装置(OLED)为代表的平板显示器向着大尺寸、高分辨的方向发展，薄膜晶体管(TFT)作为平板显示行业的关键控制部件，其性能显得更加重要。与非晶硅TFT相比，氧化物(Oxide) TFT的载流子迁移率高达10cm2/Vs，是前者的10倍左右；氧化物TFT可通过溅射(Sputter)工艺制备，导入时改变其靶材的材料即可,无需改变现有的生产线。对于底栅型的氧化物薄膜晶体管，一般采用以下制备方法。如图1所示为现有技术中的OLED阵列基板的底栅型薄膜晶体管的制备方法的一流程示意图，OLED阵列基板的每个像素单元包括两个薄膜晶体管，Switching (开关)TFT和Driving (驱动)TFT,其中Switching TFT的漏电极需要与Driving TFT的栅电极电连接，OLED阵列基板的底栅型薄膜晶体管的制备方法包括7次构图工艺，即使用7次掩膜板(mask):步骤Sll:在衬底基板101上形成Switching TFT的栅电极102以及Driving TFT的栅电极102’，并在栅 电极102和栅电极102’上沉积栅绝缘层(GI) 103 ；形成栅电极102和栅电极102’包括:形成栅电极层薄膜，通过一次构图工艺(IMask)形成包括栅电极102和栅电极102’的图形。步骤S12:在栅绝缘层103上形成有源层104，有源层的材质可以为铟镓锌氧化物(IGZO)；形成有源层104包括:形成有源层薄膜，通过一次构图工艺(2Mask)形成包括有源层的图形。步骤S13:在有源层104上形成刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer, ESL) 105。形成刻蚀阻挡层105包括:形成刻蚀阻挡层薄膜，通过一次构图工艺(3Mask)形成包括刻蚀阻挡层105的图形。步骤S14:在Driving TFT的栅电极上方的栅绝缘层103上形成用于连接DrivingTFT的栅电极102’及后续形成的Switching TFT的漏电极的开口 ；形成该开口包括:通过一次构图工艺(4Mask)形成包括该开口的栅绝缘层图形。步骤S15:在完成上述步骤的基板上形成源电极1061、漏电极1062 ；形成源电极1061和漏电极1062包括:形成源漏层薄膜，通过一次构图工艺(5Mask)形成包括源电极1061和漏电极1062的图形。步骤S16:沉积保护层(PVX) 107，并在Switch TFT的漏电极1062以及DrivingTFT的栅电极上方的保护层107上形成用于连接Driving TFT的栅电极102’和Switch TFT的漏电极1062的开口 ；形成该开口包括:通过一次构图工艺(6Mask)形成包括该开口的保护层的图形。步骤S17:在保护层107上形成导电图形108，导电图形的材质可以为铟锡氧化物(ITO)0形成导电图形108包括:形成透明导电薄膜，通过一次构图工艺(7Mask)形成包括导电图形108的图形。如图2所示为现有技术中的OLED阵列基板的底栅型薄膜晶体管的制备方法的另一流程示意图，所述方法包括6次构图工艺，即使用6次掩膜板(mask):步骤S21:在衬底基板201形成Switching TFT的栅电极202以及DrivingTFT的栅电极202’，并在栅电极202和栅电极202’上沉积栅绝缘层(GI) 203 ；形成栅电极202和栅电极202’包括:形成栅电极层薄膜，通过一次构图工艺(IMask)形成包括栅电极202和栅电极202’的图形。步骤S22:在栅绝缘层203上形成有源层204 ；形成有源层204包括:形成有源层薄膜，通过一次构图工艺(2Mask)形成包括有源层的图形。步骤S23:在有源层204上形成刻蚀阻挡层205。形成刻蚀阻挡层205包括:形成刻蚀阻挡层薄膜，通过一次构图工艺(3Mask)形成包括刻蚀阻挡层205的图形。步骤S24:形成源电极2061和漏电极2062 ；形成源电极2061和漏电极2062包括:形成源漏层薄膜，通过一次构图工艺(4Mask)形成包括源电极2061和漏电极2062的图形。步骤S25:形成保护层207，并对保护层207上进行过孔刻蚀，利用干刻工艺采用的气氛环境对不同金属的不同刻蚀比，在保证Switching TFT的漏电极(Drain) 2062的金属未被刻蚀掉的前提下，将Driving TFT的栅电极202’上的栅绝缘层203刻蚀干净并形成用于连接Driving TFT的栅电极202’及Switching TFT的漏电极2062的开口 ；步骤S26:在保护层207上形成导电图形208。形成导电图形208包括:形成透明导电薄膜，通过一次构图工艺(6Mask)形成包括导电图形208的图形。上述两个制备方法需要采用6次或7次构图工艺才能完成TFT的制备，工艺流程复杂。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，以解决现有的TFT制备工艺流程复杂的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括:通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间。优选地，所述通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形包括:形成金属氧化物导体薄膜；形成覆盖所述金属氧化物导体薄膜的光刻胶层，采用半曝光技术对所述光刻胶层曝光、显影，形成对应源电极区和漏电极区的光刻胶保留区，对应有源层区的光刻胶半保留区，以及光刻胶去除区；刻蚀所述金属氧化物导体薄膜，所述光刻胶去除区的金属氧化物导体薄膜被去除；对金属氧化物导体薄膜进行离子注入，有源层区对应的金属氧化物导体薄膜成为半导体，形成有源层；源电极和漏电极上方有光刻胶保护，仍为导体；剥离光刻胶，露出源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的有源层。优选地，所述通过一次构工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形包括:形成金属氧化物半导体薄膜；形成覆盖所述金属氧化物半导体薄膜的光刻胶层，采用半曝光技术对所述光刻胶层曝光、显影，形成对应源电极区和漏电极区的光刻胶半保留区，对应有源层区的光刻胶保留区，以及光刻胶去除区；刻蚀所述金属氧化物半导体薄膜，所述光刻胶去除区的金属氧化物半导体薄膜被去除；对金属氧化物导体薄膜进行离子注入，源电极区和漏电极区对应的金属氧化物半导体薄膜成为导体，形成源电极和漏电极；有源层上方有光刻胶保护，仍为半导体；剥离光刻胶，露出源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的有源层。优选地，所述形成金属氧化物导体薄膜之前或者所述形成金属氧化物半导体薄膜之前还包括:通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成栅电极的图形；在所述栅电极上形成栅绝缘层；其中，所述形成金属氧化物导体薄膜或者所述形成金属氧化物半导体薄膜具体为:在所述栅绝缘层上形成金属氧化物导体薄膜或者金属氧化物半导体薄膜。本专利技术还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，所述方法包括:通过一次构图工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括: 通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形包括: 形成金属氧化物导体薄膜； 形成覆盖所述金属氧化物导体薄膜的光刻胶层，采用半曝光技术对所述光刻胶层曝光、显影，形成对应源电极区和漏电极区的光刻胶保留区，对应有源层区的光刻胶半保留区，以及光刻胶去除区； 刻蚀所述金属氧化物导体薄膜，所述光刻胶去除区的金属氧化物导体薄膜被去除； 对金属氧化物导体薄膜进行离子注入，有源层区对应的金属氧化物导体薄膜成为半导体，形成有源层；源电极和漏电极上方有光刻胶保护，仍为导体； 剥离光刻胶，露出源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的有源层。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述通过一次构工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形包括: 形成金属氧化物半导体薄膜； 形成覆盖所述金属氧化物半导体薄膜的光刻胶层，采用半曝光技术对所述光刻胶层曝光、显影，形成对应源电极区和漏电极区的光刻胶半保留区，对应有源层区的光刻胶保留区，以及光刻胶去除区； 刻蚀所述金属氧化物半导体薄膜，所述光刻胶去除区的金属氧化物半导体薄膜被去除； 对金属氧化物导体薄膜进行离子注入，源电极区和漏电极区对应的金属氧化物半导体薄膜成为导体，形成源电极和漏电极；有源层上方有光刻胶保护，仍为半导体； 剥离光刻胶，露出源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的有源层。4.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于: 所述形成金属氧化物导体薄膜之前或者所述形成金属氧化物半导体薄膜之前还包括: 通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成栅电极的图形； 在所述栅电极上形成栅绝缘层； 其中，所述形成金属氧化物导体薄膜或者所述形成金属氧化物半导体薄膜具体为:在所述栅绝缘层上形成金属氧化物导体薄膜或者金属氧化物半导体薄膜。5.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括:通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极、像素电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极、像素电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极、像素电极和有源层的图形包括: 形成金属氧化物导体薄膜； 形成覆盖所述金属氧化物导体薄膜的光刻胶层，采用半曝光技术对所述光刻胶层曝光、显影，形成对应源电极区、漏电极区和像素电极区的光刻胶保留区，对应有源层区的光刻胶半保留区，以及光刻胶去除区； 刻蚀所述金属氧化物导体薄膜，所述光刻胶去除区的金属氧化物导体薄膜被去除； 对金属氧化物导体薄膜进行离子注入，有源层区对应的金属氧化物导体薄膜成为半导体，形成有源层；源电极、漏电极和像素电极上方有光刻胶保护，仍为导体； 对所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜春生，刘威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11