本发明专利技术是有关于一种薄膜晶体管，适于设置于基板上。所述薄膜晶体管包括栅极层、绝缘层、载流子传输层、保护层、第一源/漏极层以及第二源/漏极层。栅极层配置于基板上。绝缘层配置于栅极层上。载流子传输层配置于绝缘层上。载流子传输层包括主动层以及迁移率增进层。保护层配置于主动层上。第一源/漏极层配置于主动层上。第二源/漏极层配置于主动层上。迁移率增进层包括第一元素。主动层包括第二元素。第一元素的电负度小于第二元素的电负度，以提高主动层的载流子迁移率。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是有关于一种薄膜晶体管，适于设置于基板上。所述薄膜晶体管包括栅极层、绝缘层、载流子传输层、保护层、第一源/漏极层以及第二源/漏极层。栅极层配置于基板上。绝缘层配置于栅极层上。载流子传输层配置于绝缘层上。载流子传输层包括主动层以及迁移率增进层。保护层配置于主动层上。第一源/漏极层配置于主动层上。第二源/漏极层配置于主动层上。迁移率增进层包括第一元素。主动层包括第二元素。第一元素的电负度小于第二元素的电负度，以提高主动层的载流子迁移率。【专利说明】薄膜晶体管、数组基板及显示装置
本专利技术是有关于一种晶体管，特别是有关于一种应用于显示面板的薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管的构造依其各层结构的配置方式大致可区分为交错型(staggered)与共平面型(coplanar)。交错型的薄膜晶体管是在栅极层(或其绝缘层)与源/漏极层之间配置半导体层。共平面型的薄膜晶体管是在栅极层(或其绝缘层)与主动层之间配置源/漏极层。另外，根据源/漏极层的配置方式，薄膜晶体管的结构大致可区分为两侧源/漏极接触孔形式或者是岛状形式的源/漏极结构。在薄膜晶体管的制作过程中，其主动层易受许多蚀刻液的损伤，因此在元件制作上，多以蚀刻阻挡层(etch stop layer, ESL)结构做为半导体上层蚀刻时的防护。就岛状形式的蚀刻阻挡层防护而言，其本身蚀刻时也会造成主动层受到影响。因此，为了降低主动层受影响的程度，目前发展出利用主动层上方两侧的接触孔与源/漏极层相接触的蚀刻阻挡层防护方式。但是由于此结构的源/漏极层与主动层的接触面积缩小，其结果将使得元件特性降低。因此，若能提升主动层的载流子迁移率，将可有效元件特性。由此可见，上述现有的薄膜晶体管在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管，其主动层具有高载流子迁移率。本专利技术的另一个目的在于提供一种数组基板，配置于其上的薄膜晶体管的主动层具有高载流子迁移率。本专利技术的再一个目的在于提供一种显示装置，配置于其数组基板上的薄膜晶体管的主动层具有高载流子迁移率。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本专利技术一种薄膜晶体管，适于设置于基板上。所述薄膜晶体管包括栅极层、绝缘层、载流子传输层、保护层、第一源/漏极层以及第二源/漏极层。栅极层配置于基板上。绝缘层配置于栅极层上。载流子传输层配置于绝缘层上。载流子传输层包括主动层以及迁移率增进层。保护层配置于主动层上。第一源/漏极层配置于主动层上。第二源/漏极层配置于主动层上。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该迁移率增进层包括一第一元素。主动层包括第二元素。第一元素的电负度小于第二元素的电负度，以提高主动层的载流子迁移率。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该迁移率增进层配置于主动层上。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该第一源/漏极层及第二源/漏极层配置于保护层上。第一源/漏极层及第二源/漏极层各自经由位于保护层的接触孔与主动层连接。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该第一源/漏极层及第二源/漏极层配置于绝缘层上。第一源/漏极层及第二源/漏极层与主动层及绝缘层连接。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该主动层配置于迁移率增进层上。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该迁移率增进层包括第一元素，且第一元素的电负度小于或等于1.81。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该第一元素是选自钙。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该主动层的材料包括金属氧化物半导体。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该主动层包括第二元素，且第二元素为氧元素。较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该金属氧化物半导体包括氧化铟锌、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化铟镓锌或其组合。本专利技术的目的及解决其技术问题另采用以下技术方案来实现的。本专利技术一种数组基板，包括基板以及多个薄膜晶体管。各该薄膜晶体管，设置于所述基板上。各该薄膜晶体管包括:栅极层，配置于该基板上；绝缘层，配置于该栅极层上；载流子传输层，配置于该绝缘层上，并且包括主动层以及迁移率增进层；保护层，配置于该主动层上；第一源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；以及第二源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。较佳的，前述的数组基板，其中该迁移率增进层包括第一元素，该主动层包括第二元素，该第一元素的电负度小于该第二元素的电负度，以提高该主动层的载流子迁移率。较佳的，前述的数组基板，其中该迁移率增进层包括第一元素，该第一元素的电负度小于或等于1.81。本专利技术的目的及解决其技术问题再采用以下技术方案来实现的。本专利技术一种显示装置，包括数组基板、对向基板、显示层。数组基板具有基板以及多个薄膜晶体管。该些薄膜晶体管设置于数组基板上。各该薄膜晶体管包括:栅极层，配置于该数组基板上；绝缘层，配置于该栅极层上；载流子传输层，配置于该绝缘层上，并且包括主动层以及迁移率增进层；保护层，配置于该主动层上；第一源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；以及第二源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；对向基板相对数组基板设置。显示层设置于数组基板与对向基板之间。借由上述技术方案，本专利技术薄膜晶体管、数组基板及显示装置至少具有下列优点及有益效果:薄膜晶体管的主动层上方或下方配置迁移率增进层，且迁移率增进层内的低电负度元素可在主动层中形成元素空缺，从而提高元件的载流子迁移率。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1绘示本专利技术实施例的薄膜晶体管结构的剖面示意图。图2至图4绘示本专利技术其他实施例的薄膜晶体管结构的剖面示意图。图5绘示本专利技术实施例的数组基板的俯视示意图。图6绘示本专利技术实施例的显示装置的剖面示意图。【主要元件符号说明】100、200、300、400、520、610b:薄膜晶体管110、210、310、410、510、610a:基板120,220,320,420:栅极层130、230、330、430:绝缘层140、240、340、440:载流子传输层140a、240a、340a、440a:主动层140b、240b、340b、440b:迁移率增进层150,250,350,450:保护层160a、260a、360a、460a:第一源 / 漏极层160b、260b、360b、460b:第二源 / 漏极层500、610:数组基板620:对向基板630:显示层W1、W2、W3:接触孔【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种薄膜晶体管、数组基板及显示装置的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。图1绘示本专利技术实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，适于设置于基板上，其特征在于，其包括：栅极层，配置于该基板上；绝缘层，配置于该栅极层上；载流子传输层，配置于该绝缘层上，并且包括主动层以及迁移率增进层；保护层，配置于该主动层上；第一源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；以及第二源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶佳俊，蔡学宏，林柏辛，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。