铟锡氧化物的透明导电层状镀层制造技术

包含铟锡氧化物薄膜的透明导电装置，该装置通过提供铟锡氧化物薄膜来改进，该铟锡氧化物薄膜包含渐次变化的单个铟锡氧化物层的层叠，其中层中的锡的原子百分比可以单独选择。薄膜的每个铟锡氧化物层包含１－９９原子百分比的锡。每层是通过物理气相沉积过程或者通过溅射镀膜来制作的。优选的是包含多个铟锡氧化物层的薄膜被施加到透明柔性衬底上诸如聚合物板。在该装置中可以包括任选的底层、硬镀膜层和上镀膜层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及由铟锡氧化物制得的透明导电镀层领域，该铟锡氧化物制得的透明导电镀层应用于透明衬底，特别是应用于柔性透明聚合物薄膜衬底。本专利技术还涉及制作镀层衬底的方法和在需要透明导电氧化物薄膜(TCO)的电子装置中使用镀层衬底，该透明导电氧化物薄膜具有极好的电导率、机械耐久性和高的透明度。这样的电子装置包含了液晶显示器(LCD)、触板(TP)和笔输入装置、电致发光灯(EL)、个人数字助理(PDA)、有机发光装置(OLED)等。
技术介绍
其上具有TCO镀层的衬底例如柔性透明聚合薄膜，广泛地应用于上述装置，因为这些镀层具有高的透光性、高电导率和高机械稳定性。铟锡氧化物(铟锡氧化物通常指的是ITO)通常被用作TCO镀层。用在这个
和本专利技术中的铟锡氧化物镀层是非化学计量的n型半导体，它呈现出高可见光透过率、低电阻和高红外反射率。因为这种原因，ITO薄膜通常在上述装置中用作TCO镀层。在含氧气氛下(例如氩氧气氛)用InSn合金进行的常规反应溅射被用于将ITO薄膜或者镀层施加在衬底上。导电的ITO薄膜是铟和锡的部分氧化的混合物，因此这种薄膜的光电性质在沉积过程中是受到等离子体中含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含透明衬底的多层电子装置，所述的透明衬底被镀有至少一个铟锡氧化物的透明导电薄膜，其中它的改进包括：所述的至少一个铟锡氧化物薄膜的铟与锡原子的比例在所述薄膜的整个厚度内是不均匀的，使得所述铟和锡原子被分配在所述薄膜的整个厚度内， 从而形成了多个铟锡氧化物层，每个所述层具有有限的厚度，其中铟和锡的比例在整个所述有限厚度内是基本均匀的；前提条件是在至少一个所述层中的铟与锡的比例与另一所述层中的铟与锡的比例是不同的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：H梅马里安，H帕特尔，
申请(专利权)人：CP菲林公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]