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包含铟锡氧化物薄膜的透明导电装置，该装置通过提供铟锡氧化物薄膜来改进，该铟锡氧化物薄膜包含渐次变化的单个铟锡氧化物层的层叠，其中层中的锡的原子百分比可以单独选择。薄膜的每个铟锡氧化物层包含１－９９原子百分比的锡。每层是通过物理气相沉积过程或...
该专利属于CP菲林公司所有，仅供学习研究参考，未经过CP菲林公司授权不得商用。

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