固体电解电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种固体电解电容器。固体电解电容器具备：阳极体；电介质被膜，其形成为覆盖阳极体；第一固体电解质层，其形成为覆盖电介质被膜；第二固体电解质层，其形成为覆盖第一固体电解质层的厚度相对较薄的部分，且由导电性高分子构成；以及阴极层，其形成为覆盖第一固体电解质层以及第二固体电解质层。

【技术实现步骤摘要】
固体电解电容器及其制造方法
本专利技术涉及固体电解电容器及其制造方法。
技术介绍
以往，作为适用于小型化的电容器，公知有固体电解电容器，具有由导电性高分子构成的固体电解质层的固体电解电容器被广泛使用。例如在日本特开平11-121281号公报(以下记作“专利文献1”)中，记载有安装时的热稳定性较高且可靠性优良的固体电解电容器的制造方法。在专利文献1所记载的固体电解电容器的制造方法中，使包含阳极、电介质氧化覆膜与第一导电性高分子化合物层的电容器元件浸渍在导电性高分子化合物悬浊水溶液中，从而将第二导电性高分子化合物层形成在第一导电性高分子化合物层上。由于这样形成的第二导电性高分子化合物层的外表面具有多处凹凸，因此提高第二导电性高分子化合物层与形成在该第二导电性高分子化合物层上的石墨层之间的嵌合的情况记载于专利文献1中。在形成由导电性高分子构成的固体电解质层时，存在固体电解质层的厚度局部变薄的情况。在固体电解质层的厚度相对较薄的部分处，阳极体与形成在固体电解质层上的阴极层有可能形成电短路。当阳极体与阴极层形成电短路时，招致短路不合格率的上升或者漏电流(以下记作“LC”)的上升等这样的固体电解电容器的性能降低。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题点而做成的，其目的在于，提供性能优良的固体电解电容器，其他目的在于，提供所述固体电解电容器的制造方法。用于解决课题的手段本专利技术的固体电解电容器具备：阳极体；电介质被膜，其形成为覆盖阳极体；第一固体电解质层，其形成为覆盖电介质被膜；第二固体电解质层，其形成为覆盖第一固体电解质层的厚度相对较薄的部分，且由导电性高分子构成；以及阴极层，其形成为覆盖第一固体电解质层以及第二固体电解质层。本专利技术的固体电解电容器的第一制造方法具备：形成阳极体的工序；以覆盖阳极体的方式形成电介质被膜的工序；以覆盖电介质被膜的方式形成第一固体电解质层的工序；以覆盖第一固体电解质层的厚度相对较薄的部分的方式形成由导电性高分子构成的第二固体电解质层的工序；以及以覆盖第一固体电解质层以及第二固体电解质层的方式形成阴极层的工序。本专利技术的固体电解电容器的第二制造方法具备：形成阳极体的工序；以覆盖阳极体的方式形成电介质被膜的工序；以覆盖电介质被膜的方式形成第一固体电解质层的工序；去除在第一固体电解质层上产生的毛刺的工序；以覆盖第一固体电解质层中的、去除了毛刺的部分的方式形成由导电性高分子构成的第二固体电解质层的工序；以及以覆盖第一固体电解质层以及第二固体电解质层的方式形成阴极层的工序。本专利技术的上述及其他目的、特征、局面及优点基于与同附图关联进行理解的本专利技术相关的下述详细说明而明确可知。附图说明图1A是表示本专利技术的一实施方式的固体电解电容器的结构的一个例子的剖视图，图1B是图1A所示的IB区域的放大图。图2是表示本专利技术的一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的流程图。图3A～3C是按照工序顺序表示本专利技术的一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的剖视图。图4A～4B是按照工序顺序表示本专利技术的一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的剖视图。图5A是表示本专利技术的另一实施方式的固体电解电容器的结构的一个例子的剖视图，图5B是图5A所示的VB区域的放大图。图6是表示本专利技术的另一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的流程图。图7A～7C是按照工序顺序表示本专利技术的另一实施方式的固体电解电容器的制造方法的一个例子的剖视图。图8是表示本专利技术的又一实施方式的固体电解电容器的结构的一个例子的剖视图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的固体电解电容器及其制造方法进行说明。需要说明的是，在本专利技术的附图中，相同的参照附图标记表示相同部分或者相当部分。此外，长度、宽度、厚度、深度等尺寸关系出于附图的明确化与简单化的考虑而进行适当变更，并非表示实际的尺寸关系。《第一实施方式》[固体电解电容器的结构]图1A是表示本专利技术的第一实施方式的固体电解电容器的结构的剖视图，图1B是图1A所示的IB区域的放大图。本实施方式的固体电解电容器具备：阳极体11，其具有相互对置的第一端部11a以及第二端部11b；阳极引线12，其植入竖立在阳极体11的第一端部11a处；电介质被膜13，其形成为覆盖阳极体11；以及第一固体电解质层14，其形成为覆盖电介质被膜13。在第一固体电解质层14中，存在该第一固体电解质层14的厚度在阳极体11的外周部分相对较薄的部分(以下，存在记作“薄壁部分”的情况)14a，由导电性高分子构成的第二固体电解质层54形成为覆盖薄壁部分14a。将碳层15以及银涂层16依次层叠而成的阴极层形成为覆盖第一固体电解质层14以及第二固体电解质层54。利用阳极体11、电介质被膜13、第一固体电解质层14、第二固体电解质层54、碳层15与银涂层16来构成电容器元件10。在阳极引线12上连接有阳极端子17。在银涂层16上借助由导电性的粘接剂构成的粘接层18而连接有阴极端子19。以使阳极端子17的一部分以及阴极端子19的一部分露出的方式，利用外装树脂20来密封电容器元件10。阳极端子17以及阴极端子19各自中的从外装树脂20露出的部分以沿着外装树脂20的表面的方式弯折。阳极体11的材料没有特别限制，具有导电性即可。作为阳极体11的材料，例如可以适当地使用钽、铌、钛以及铝等阀作用金属。此外，阳极体11优选为多孔质的烧结体。阳极引线12的材料是金属即可，并不进行特别限定，但可以适当使用阀作用金属。电介质被膜13的材料并不进行特别限定，具有电介性即可。作为电介质被膜13的材料，例如优选通过对由阀作用金属构成的阳极体11进行化学合成处理而形成的金属氧化物。例如，在对作为阳极体11的材料的钽(Ta)进行化学合成处理的情况下，电介质被膜13由Ta2O5构成，在对作为阳极体11的材料的铝(A1)进行化学合成处理的情况下，电介质被膜13由Al2O3构成。优选的是，第一固体电解质层14由含有脂肪族类化合物、芳香族类化合物、杂环化合物以及含杂原子化合物中的至少一者的导电性高分子构成。优选的是，第一固体电解质层14例如由聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯胺及其衍生物以及聚呋喃及其衍生物中的至少一者构成。其中，优选第一固体电解质层14含有聚吡咯及其衍生物的至少一者。第一固体电解质层14可以由化学聚合法形成，但优选由电解聚合法形成。无论在利用哪种方法来形成第一固体电解质层14的情况下，都可能形成薄壁部分14a。以往，当薄壁部分形成于固体电解质层时，在该薄壁部分处碳层以及银涂层侵入到阳极体附近。因此，在薄壁部分可能发生阳极体与碳层或者银涂层电短路，招致短路不合格率的上升或者LC的上升等这样的固体电解电容器的性能降低。然而，在本实施方式中，由导电性高分子构成的第二固体电解质层54形成为覆盖薄壁部分14a。由此，在薄壁部分14a处，也能够防止碳层15以及银涂层16侵入到阳极体11附近。不仅如此，由于能够确保薄壁部分14a处的第一固体电解质层14的厚度与第二固体电解质层54的厚度的合计量(以下存在记作“薄壁部分14a处的由导电性高分子构成的层的厚度”的情况)，因此，在薄壁部分14a处也能够发挥导电性高分子材料所具有的自我修复功能。详细来说，即便在微小的缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体电解电容器，其中，具备：阳极体；电介质被膜，其形成为覆盖所述阳极体；第一固体电解质层，其形成为覆盖所述电介质被膜；第二固体电解质层，其形成为覆盖所述第一固体电解质层的厚度相对薄的部分，且由导电性高分子构成；以及阴极层，其形成为覆盖所述第一固体电解质层以及所述第二固体电解质层。

【技术特征摘要】
2012.08.31 JP 2012-1912351.一种固体电解电容器的制造方法，其中，具备：形成阳极体的工序；以覆盖所述阳极体的方式形成电介质被膜的工序；以覆盖所述电介质被膜的方式形成第一固体电解质层的工序；去除在所述第一固体电解质层上产生的毛刺的工序；以覆盖所述第一固体电解质层中的、去除了所述毛刺的部分的方式形成由导电性高分子构成的第二固体电解质层的工序；以及以覆盖所述第一固体电解质...

【专利技术属性】
技术研发人员：小菅启子，上田政弘，森冈谅，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP