发光装置制造方法及图纸

技术编号:9839439 阅读:109 留言:0更新日期:2014-04-02 02:49
一种抑制像素的亮度的偏差的发光装置。发光装置至少包括晶体管、第一布线、第二布线、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、电容元件以及发光元件。通过第一开关第一布线和电容元件的第一电极彼此电连接。电容元件的第二电极连接到晶体管的第一端子。通过第二开关第二布线和晶体管的栅极彼此电连接。通过第三开关电容元件的第一电极和晶体管的栅极彼此电连接。通过第四开关晶体管的第一端子和发光元件的阳极彼此电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种抑制像素的亮度的偏差的发光装置。发光装置至少包括晶体管、第一布线、第二布线、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、电容元件以及发光元件。通过第一开关第一布线和电容元件的第一电极彼此电连接。电容元件的第二电极连接到晶体管的第一端子。通过第二开关第二布线和晶体管的栅极彼此电连接。通过第三开关电容元件的第一电极和晶体管的栅极彼此电连接。通过第四开关晶体管的第一端子和发光元件的阳极彼此电连接。【专利说明】发光装置
本专利技术涉及一种发光装置,其中晶体管设置在各像素中。
技术介绍
因为使用发光元件的显示装置具有高可见度,适合于厚度的减少并且对视角没有限制,所以作为代替阴极射线管(CRT)及液晶显示装置的显示装置,它们受到注目。使用发光元件的有源矩阵显示装置的被具体地提出的结构根据制造商而不同。通常像素至少包括发光元件、控制对像素的视频信号的输入的晶体管(开关晶体管)以及控制供应到该发光元件的电流量的晶体管(驱动晶体管)。在像素中的所有晶体管都具有相同的极性时,可以省略制造晶体管的几个工序,例如对半导体膜添加赋予一种导电性的杂质元素的工序。专利文献I公开一种发光元件型显示器,其中包括在像素中的晶体管都是η沟道晶体管。参考文献专利文献1:日本专利申请公开2003-195810号公报
技术实现思路
在发光装置中,因为将驱动晶体管的漏电流供应到发光元件,所以当驱动晶体管的阈值电压在像素之间产生偏差时,发光元件的亮度也产生偏差。由此,为了提高发光装置的图像质量,提出能够以预料阈值电压的偏差的方式补偿(compensate)驱动晶体管的电流值的像素结构是重要的。一般来说,与用作发光元件的阴极的导电膜的表面相比,用作发光元件的阳极的导电膜的表面在大气中不容易被氧化。并且,因为用作发光元件的阳极的导电膜通常通过溅射形成,所以当在包含发光材料的EL层上形成阳极时,因溅射而EL层趋于受到损伤。因此,其中依次层叠有阳极、EL层、阴极的发光元件可以通过简单的工序制造且容易获得高发光效率。但是,当组合上述发光元件和η沟道驱动晶体管时,驱动晶体管的源极与发光元件的阳极连接。在此情况下,当发光元件的阳极和阴极之间的电压随着发光材料的劣化而增加时,驱动晶体管的源极的电位上升,而驱动晶体管的栅极和源极之间的电压(栅极电压)变小。因此,驱动晶体管的漏电流,即供应到发光元件的电流降低,而使发光元件的亮度降低。鉴于上述技术背景,本专利技术的一个方式的课题之一是提供一种发光装置,其中抑制驱动晶体管的阈值电压的偏差所导致的像素的亮度的偏差。本专利技术的一个方式的另一课题是提供一种发光装置,其中抑制EL层的劣化所导致的发光元件的亮度降低。根据本专利技术的一个方式的发光装置至少包括晶体管、第一布线、第二布线、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、电容元件以及发光元件。第一开关具有决定是否实现第一布线与电容元件的一对电极的一个之间的导电状态的功能。电容元件的一对电极的另一个与晶体管的源极和漏极中的一个连接。第二开关具有决定是否实现第二布线与晶体管的栅极之间的导电状态的功能。第三开关具有决定是否实现电容元件的一对电极的一个与晶体管的栅极之间的导电状态的功能。第四开关具有决定是否实现晶体管的源极和漏极中的一个与发光元件的阳极之间的导电状态的功能。根据本专利技术的另一个方式的发光装置至少包括晶体管、第一布线、第二布线、第三布线、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、电容元件以及发光元件。第一开关具有决定是否实现第一布线与电容元件的一对电极的一个之间的导电状态的功能。电容元件的一对电极的另一个与晶体管的源极和漏极中的一个以及发光元件的阳极连接。第二开关具有决定是否实现第二布线与晶体管的栅极之间的导电状态的功能。第三开关具有决定是否实现电容元件的一对电极的一个与晶体管的栅极之间的导电状态的功能。第四开关具有决定是否实现晶体管的源极和漏极中的一个与第三布线之间的导电状态的功能。注意,上述开关是具有控制电流或电位的供应的功能的元件,例如,可以是电开关或机械开关。具体地说,上述开关也可以是晶体管、二极管、或组合晶体管而成的逻辑电路。在根据本专利技术的一个方式的发光装置中,由上述结构,可以对驱动晶体管的栅极和源极之间施加比驱动晶体管的阈值电压高且比阈值电压和驱动晶体管的源极和漏极之间的电压的总和的电压低的电位。当在施加有上述电压的状态下使驱动晶体管的源极处于浮动状态时,可以在驱动晶体管的栅极和源极之间取得阈值电压。并且,当在源极保持处于浮动状态下对栅极供应图像信号的电压时,对驱动晶体管的栅极和源极之间施加作为图像信号的电压和阈值电压的总和的电压。发光兀件被施加对应于驱动晶体管的栅极电压的电流,从而显示灰度。在根据本专利技术的一个方式的发光装置中,可以将图像信号的电压和晶体管的阈值电压的总和的电位施加到晶体管的栅电极。因此,通过进行阈值电压的补偿和阳极的电位的补偿,可以提高发光装置的图像质量。【专利附图】【附图说明】在附图中:图1A和图1B是像素的电路图;图2是示出像素的操作的时序图;图3A至图3C是示出像素的操作的图;图4是示出像素的操作的时序图;图5A至图5C是示出像素的操作的图;图6是像素的俯视图;图7是像素的截面图;图8是像素的俯视图;图9是像素的截面图;图10是像素的截面图;图1lA至图1lC是像素的截面图;图12是面板的透视图;图13A至图13E例示电子设备;图14A至图14E例示氧化物半导体的结构;图15A至图15C例示氧化物半导体的结构;图16A至图16C例示氧化物半导体的结构;图17示出计算结果;以及图18示出计算结果。【具体实施方式】下面,将参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。注意,本专利技术不局限于以下说明,而所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本专利技术的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此,本专利技术不应该被解释为仅局限在下面的实施方式的记载中。注意,在本说明书中发光装置在其范畴内包括发光元件形成在各像素中的面板以及包括控制器的IC等安装在面板上的模块。实施方式I图1A示出包括在根据本专利技术的一个方式的发光装置中的像素100的结构的例子。像素100包括晶体管11至晶体管15、电容元件16以及发光元件17。图1A示出晶体管11至晶体管15为η沟道晶体管的情况。晶体管12具有决定是否实现布线SL与电容元件16的一对电极的一个之间的导电状态的功能。电容元件16的一对电极的另一个与晶体管11的源极和漏极中的一个连接。晶体管13具有决定是否实现布线IL与晶体管11的栅极之间的导电状态的功能。晶体管14具有决定是否实现电容元件16的一对电极的一个与晶体管11的栅极之间的导电状态的功能。晶体管15具有决定是否实现晶体管11的源极和漏极中的一个与发光元件17的阳极之间导电状态的功能。在图1A中,晶体管11的源极和漏极中的另一个连接到布线VL。由与晶体管12的栅极连接的布线Gl的电位决定晶体管12的通态或断态。由与晶体管13的栅极连接的布线Gl的电位决定晶体管13的通态或断态。由与晶体管14的栅极连接的布线G2的电位决定晶体管14的通态或断态。由与晶体管15的栅极连接的布线G3的电位决定晶体管15的通态或本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种发光装置,包括:第一布线;第二布线;以及像素,包括:晶体管;第一开关;第二开关;第三开关;第四开关;电容元件;以及发光元件,其中,所述第一布线和所述电容元件的第一电极通过所述第一开关彼此电连接,所述电容元件的第二电极电连接到所述晶体管的第一端子,所述第二布线和所述晶体管的栅极通过所述第二开关彼此电连接,所述电容元件的所述第一电极和所述晶体管的所述栅极通过所述第三开关彼此电连接,并且,所述晶体管的所述第一端子和所述发光元件的阳极通过所述第四开关彼此电连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:井上圣子三宅博之
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:日本;JP

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