纯铜被覆铜箔及其制造方法，及TAB带及其制造方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种即使对镀锡层进行熔融处理也实质上不产生空隙并且蚀刻性良好的铜箔。为了达到该目的，采用至少在底层铜箔的光泽面上形成有纯铜电镀层的纯铜被覆铜箔。所述纯铜电镀层的厚度为０．３μｍ或其以上是优选的。采用Ｃｌ↑［－］离子浓度０．５ｍｇ／ｌ或０．５ｍｇ／ｌ以下的硫酸－硫酸铜水溶液作为电解液，以底层铜箔侧成为阴极的方式进行电解，在底层铜箔的至少光泽面上形成纯铜电镀层的纯铜被覆铜箔制造方法。上述硫酸－硫酸铜水溶液中的Ｃｕ↑［２＋］离子浓度为４０ｇ／ｌ～１２０ｇ／ｌ、游离的ＳＯ↓［４］↑［２－］离子浓度为１００ｇ／ｌ～２００ｇ／ｌ是优选的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纯铜被覆铜箔及其制造方法，以及TAB带及其制造方法，详细地说，涉及TAB带制造用纯铜被覆铜箔及其制造方法，以及TAB带及其制造方法。
技术介绍
TAB(卷带自动接合)方式是谋求IC或LSI等半导体元件的安装自动化及高速化的技术。TAB方式，具体的是使用把长尺寸状等聚酰亚胺等可挠性绝缘膜上粘接的铜箔进行蚀刻，在该膜上形成含内导线及外导线的铜导线的TAB带，通过把基板的垫片和上述外导线的垫片、上述内导线垫片和半导体元件的垫片一起连接，把基板和半导体元件进行连接。还有，在本专利技术中，所谓TAB方式，意指除在可挠性绝缘膜上形成元件孔的一般的TAB方式外，还包括除在可挠性绝缘膜上不形成元件孔外与一般的TAB方式同样的COF方式(膜上芯片)。因此，本专利技术中的TAB带，还包括COF方式中使用的COF带。在上述TAB带中，上述内导线垫片和半导体元件垫片的连接，以及上述外导线垫片和基板垫片的连接，通过焊锡孔等焊接材料来进行。因此，内导线或外导线的垫片，与焊锡材料的润湿性优者是优选的，通常在内导线及外导线的垫片表面实施与焊锡润湿性良好的电镀锡。还有，电镀锡还具有抑制形成内导线及外导线的铜的表面氧化的效果。然而，当铜导线上形成的镀锡被膜未作特别处理时，随时间推移，从被膜表面产生由针状结晶构成的锡晶须，成为线路短路的原因。因此，通常对镀锡被膜进行热处理(熔融处理)，形成不产生锡晶须的镀锡被膜。但是，当进行这种熔融处理时，容易在铜层和镀锡层的界面，可能是通过克肯达尔效应形成的空隙。然而，该空隙产生的原因不详，但判明是在各种低粗糙度箔中的一种中容易产生。因此，这种低粗糙度箔，作为原来的线路宽度大的TAB带用铜箔，具有充分的可靠性，使用是没有问题的，近几年来，伴随着精细节距的要求，作为线路宽度变小的TAB带用铜箔，由于对熔融处理的线路的可靠性不充分，故使用困难。针对这种情况，专利文献1(特开2002-16111号公报)公开了在铜箔的至少光泽而上具有由镍、钴及钼构成的合金层的TAB带用铜箔。如果采用该铜箔，可以得到具有可靠性高的Sn金属须及克肯达尔空隙抑制效果的TAB带。然而，在专利文献1所记载的方法中，由于在铜表面上形成由镍、钴及钼构成的合金层，所以，存在的问题是由这些不同种金属构成的合金层使线路形成时的铜箔的蚀刻性恶化。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的，是提供一种即使对镀锡层进行熔化处理，实质上不产生空隙并且蚀刻性良好的铜箔。本专利技术的另一目的，是提供一种即使对镀锡层进行熔化处理，也实质上不产生空隙的TAB带。鉴于上述情况，本专利技术人进行悉心探讨的结果发现，当在铜箔的至少光泽面上形成纯铜电镀层时，所得到的纯铜被覆铜箔，即使对该纯铜电镀层上形成的镀锡层进行熔融处理也实质上不产生空隙，而完成本专利技术。另外，本专利技术人发现，从底层铜箔形成的底层铜线路表面上形成纯铜电镀层的TAB带，即使对该纯铜电镀层上形成的镀锡层进行熔融处理也实质上不产生空隙，完成本专利技术。即，本专利技术提供的纯铜被覆铜箔，其中，至少在底层铜箔的光泽面上形成有纯铜电镀层。本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔中，上述纯铜电镀层的厚度在0.3μm或0.3μm以上。在制造本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔时，采用Cl-离子浓度为0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸铜水溶液作为电解液，以底层铜箔侧成为阴极的方式进行电解，在底层铜箔的至少光泽面上形成纯铜电镀层。另外，在本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔制造方法中，上述硫酸-硫酸铜水溶液的Cu2+离子浓度优选为40g/l～120g/l、游离的SO42-离子浓度优选为100g/l～200g/l。在本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔制造方法中，采用Cl-离子浓度为2.0mg/l或2.0mg/l以下、蛋白质浓度为0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸铜水溶液作为电解液，以底层铜箔侧成为阴极的方式进行电解，在底层铜箔的至少光泽面上形成纯铜电镀层。在本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔制造方法中，上述硫酸-硫酸铜水溶液的Cu2+离子浓度优选为40g/l～120g/l、游离的SO42-离子浓度优选为100g/l～200g/l。另外，本专利技术提供一种TAB带，其在由底层铜箔形成的底层铜线路的表面上形成有纯铜电镀层。在上述TAB带中，所述纯铜电镀层厚度优选为0.3μm或0.3μm以上。在上述TAB带的制造方法中，优选采用Cl-离子浓度为0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸铜水溶液作为电解液，以由底层铜箔形成的底层线路侧成为阴极的方式进行电解，在该底层铜线路的表面上形成纯铜电镀层。在上述TAB带的制造方法中，上述硫酸-硫酸铜水溶液的Cu2+离子浓度优选为40g/l～120g/l、游离的SO42-离子浓度优选为100g/l～200g/l。在上述TAB带的制造方法中，优选的是，采用Cl-离子浓度为2.0mg/l或2.0mg/l、蛋白质浓度为0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸铜水溶液作为电解液，以由底层铜箔侧形成的底层铜线路侧成为阴极的方式进行电解，在该底层铜箔的线路表面上形成纯铜电镀层。在上述TAB带的制造方法中，上述硫酸-硫酸铜水溶液的Cu2+离子浓度优选为40g/l～120g/l、游离的SO42-离子浓度优选为100g/l～200g/l。另外，在上述TAB带的制造方法中，优选的是，采用含有Cu2+离子浓度为1g/l～5g/l、Cl-离子浓度0.5mg/l或0.5mg/l以下、罗谢尔盐或EDTA·4Na的至少1种的络合剂浓度为10g/l～100g/l、作为还原剂的甲醛，并且，pH10～13.5的硫酸铜非电解电镀液，进行非电解电镀，在由底层铜箔形成的底层铜线路的表面上形成纯铜电镀层。本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔，通过把形成有电镀锡层的表面作为纯铜电镀层，在形成电镀锡层后即使进行熔融处理也实质上不产生空隙，适于作为TAB带制造用铜箔。另外，采用本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔的制造方法，可适当地制造本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔。本专利技术涉及的TAB带，通过把形成有电镀锡层的表面作为纯铜电镀层，在形成电镀锡层后，即使进行熔融处理也实质上不产生空隙。采用本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔的制造方法，可适当制造本专利技术涉及的TAB带。附图说明图1是实施例1中制作的形成镀锡被膜的纯铜被覆铜箔的断面照片。图2是实施例2中制作的形成镀锡被膜的纯铜被覆铜箔的断面照片。图3是实施例3中制作的形成镀锡被膜的纯铜被覆铜箔的断面照片。图4是实施例4中制作的形成镀锡被膜的纯铜被覆铜箔的断面照片。图5是比较例中制作的形成镀锡被膜的纯铜被覆铜箔的断面照片。具体实施例方式本专利技术涉及的纯铜被覆铜箔是在底层铜箔的至少光泽而上形成纯铜电镀层的纯铜被覆铜箔。在本说明书中所谓底层铜箔，意指表面未形成有纯铜电镀层的未处理铜箔。这里的所谓未处理铜箔，意指未进行厚度不匀处理、烧镀等粗糙化处理的铜箔。作为本专利技术中使用的未处理铜箔，可以举出未处理电解铜箔。未处理电解铜箔，与未处理轧制铜箔相比，在电镀锡后的熔融处理中，具有容易产生空隙的缺点，另一方面具有廉价而蚀刻性优良的优点，因此，在改善容易产生空隙的缺点的本专利技术中当用作底层铜箔时，可以活用未处理电解铜箔的上述优点，故是优选的。特别是在形成具有10μm左右节距的极精细线路时，由于未处理轧制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纯铜被覆铜箔，其特征在于，至少在底层铜箔的光泽面上形成有纯铜电镀层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杉冈晶子，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]