半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有：第1半导体芯片(1)；其侧面的扩展部(2)以及其上的连接端子(4)；在半导体芯片(1)及扩展部(2)上包括与连接端子(4)接合的布线(51)和其上的绝缘层(54)的再布线部(50)；在扩展部(2)上位于再布线部(50)的表面的绝缘层(54)的开口部(541)与布线(51)接合的电极(16)。电极(16)主要由弹性模量高于布线(51)的材料构成，具有在开口部(541)与布线(51)接合的接合区域(r1)以及靠近扩展部(2)的端部的外方区域(r2)。布线(51)连续延伸到外方区域(r2)的跟前为止。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本公开涉及半导体装置，特别涉及伴随引线键合安装的半导体装置。
技术介绍
在数字电视、录像机等的系统中，伴随高功能化，处置的数据飞跃性地增加。其结果，在搭载于系统的半导体存储器中，要求容量的增加以及高的数据传输速率。作为搭载这样的半导体存储器的半导体装置，有将安装存储器控制器的半导体逻辑电路芯片和存储器集成在1个芯片中的系统级芯片(SoC)、以及将安装有存储器控制器的半导体逻辑电路芯片和存储器芯片进行层叠来收纳在1个封装中的系统级封装(SiP)。当前，使用了制造成本比较低的SiP的系统有增加的倾向。在这样的半导体装置中，在电连接所搭载的半导体逻辑电路芯片和存储器芯片间的方法中，能举出使用叠层芯片(CoC)技术的方法。根据该方法，使半导体逻辑电路芯片的电路形成面、与存储器芯片的电路形成面面相面对，介由由焊料、金或铜等构成的金属突起来将各自的电极彼此直接连接。该方法在使数据传输速率较高的目的下被广泛利用。专利文献1记载的半导体装置是将前述的半导体逻辑电路芯片的功能引出到封装的外部端子的构成的示例。这时在逻辑电路芯片的外周的不与存储器芯片对置的区域形成电极，使用引线键合法等，介由金、铝或铜等金属细线与周围的基板上的电极连接的构成。现有技术文献专利文献专利文献1：JP特开2010-141080号公报专利技术的概要专利技术要解决的课题在专利文献1的半导体装置中，在存储器芯片上层叠比存储器芯片小型的半导体逻辑电路芯片。但是，在半导体逻辑电路芯片与存储器芯片的大小关系因产品不同而存在各种变种。在存储器容量较大的情况下，存储器芯片一方比逻辑电路芯片更大。这种情况下，需要准备大于存储器芯片的尺寸的逻辑电路芯片，作为结果，由于能减少每1个晶片的芯片数，因此会变为高成本。另外，还考虑使存储器芯片和逻辑电路芯片上下颠倒来在存储器芯片形成引线键合用的电极。但是，这种情况下，变得需要在存储器芯片的布线内形成引线键合用的特别的电路，因此作为半导体装置的通用性变低。关于这一点，考虑使用图1(a)所示那样的从成为层叠构造的下侧的逻辑电路芯片1的外周侧壁起通过扩展部2进行扩展的扩展型芯片3的半导体装置100。在半导体装置100中，在与存储器芯片(未图示)对置的面，从逻辑电路芯片101跨到树脂制的扩展部102来形成包含从逻辑电路芯片101的连接端子104引出功能的布线151的再布线层(RDL、Re-DistribustionLayer)150。在扩展部102上的区域，在再布线层150的表面形成与布线151连接的引线键合用的电极106。如此，通过扩展下侧芯片的尺寸，即使是尺寸大的存储器芯片，也能以低成本来形成通用性高的封装件。另一方面，在上述的构造中，由于电极106以及布线151的下部全部由绝缘层152、扩展部102等弹性体构成，因此，存在因引线键合时的热、荷重或超声波振动而使弹性模量显著降低，有极端变形的可能性。在出现这样的变形的情况下，由于荷重或振动未充分地传递给电极106，因此，比起与逻辑电路芯片101上的连接端子104进行键合的情况，更需要使键合时的荷重和振幅变大来确保对于电极106的接合性。但是，在高负荷的引线键合条件下，在电极106的正下方以及其周边的构造中易于出现变形和剥离。除了绝缘层152、扩展部102等弹性体的变形以外，布线151的材料(例如铜、铝等)相对于荷重和振动也同样具有易于变形的性质。因此，关于布线151，也要考虑较大地变形、在这些材料间产生大量翘曲的情况。进一步而言，形成于布线151的绝缘层152，在布线工艺上通过旋涂法等涂敷形成。其结果，认为绝缘层152与其它界面相比紧贴力较低，在高温环境下紧贴力更加降低。特别是在布线151和绝缘层152的界面附近，存在发生剥离裂纹等物理损伤这样的课题。另外，在上述那样的电极106中，如图1(b)所示，开口部107的宽度d1，需要相对于引线键合用所需的区域108的宽度d2具有针对接合偏离的余量来进行設定。进而，需要相对于开口部107的宽度d1确保考虑了布线时的偏离的余量，来设定布线151以及电极106的宽度d3。其结果，需要将开口部107的宽度d1和电极106的宽度d3形成得大于引线(未图示)与布线151的接合区域108的宽度d2。由此，还存在相邻的电极106彼此的间距变宽，用于配置所要求的数量的端子的扩展部102的尺寸会变大这样其它课题。
技术实现思路
相对于以上，本公开的半导体装置具有：第1半导体芯片；扩展部，其从第1半导体芯片的侧面起形成于外方；连接端子，其形成于第1半导体芯片上；再布线部，其配置为从第1半导体芯片上跨到扩展部上，且由与连接端子连接的布线以及覆盖布线的绝缘层构成；和电极，其位于扩展部的正上方且在再布线部的表面与从设于绝缘层的开口部露出的布线接合，电极形成为以弹性模量高于再布线部的布线的材料为主，电极具有：在绝缘层的开口部与布线接合的接合区域、和比接合区域更靠近扩展部的端部的外方区域，再布线部的布线形成为避免连续延伸到电极的外方区域的正下方。专利技术的效果根据本公开的技术，在形成于由树脂等弹性体构成的扩展部上的再布线层上的电极进行引线键合的情况下，也能将电极正下方以及其周围的物理损伤抑制到最小限度，能提供可靠性高的半导体装置。另外，能提供在确保连接可靠性的同时、将电极配置所需的空间抑制到最小限度的半导体装置。附图说明图1(a)以及(b)示意地表示
技术介绍
的半导体装置，图1(a)是截面图，图1(b)是从图1(a)中的A一侧看到的俯视图。图2(a)～(c)示意地表示本公开的1个实施方式的例示的半导体装置，图2(a)是表示整体的俯瞰图，图2(b)是表示图2(a)中的B-B′线下的截面图，图2(c)是从图2(b)中的A一侧看到的俯视图。图3(a)以及(b)表示图1(a)～(c)的半导体装置的变形例，图3(a)是截面图、图3(b)是从图3(a)中的A一侧看到的俯视图。图4(a)以及(b)表示图1(a)～(c)的半导体装置的其它的变形例，图4(a)是截面图，图4(b)是从图4(a)中的A一侧看到的俯视图。具体实施方式下面，使用附图来说明本公开的1个实施方式的半导体装置。在全部附图中，对公共的构成要素赋予相同的符号。(第1实施方式)图2(a)～(c)是示意地表示本实施方式的例示的半导体装置200的构成的图。特别地，图2(a)是表示整体的俯瞰图，图2(b)是图2(a)中的B-B′线下的截面图，图2(c)是从图2(b)中的A的一侧看到的俯视图。图2(a)所示的半导体装置200具有：成为层叠构造的下侧的第1半导体芯片1、和从半导体芯片1的外周侧壁(侧面)起向外方延伸而形成的扩展部2。在半导体芯片1的上表面的周缘部设置连接端子4，包含从该连接端子4引出功能的布线51的再布线层50从半导体芯片1跨到扩展部2而形成。在扩展部2上的区域，在再布线层50的表面设置开口部541，在该开口部541形成与布线51连接的引线键合用的电极16。更详细地，采用以下的构成。以硅为材料的半导体芯片1在与层叠于半导体芯片上的层叠第2半导体芯片(未图示)相面对的面上具有在硅上构成电特性功能的电路。而且，具有多个第1连接端子4、和用于CoC连接到第2半导体芯片的第2连接端子5。连接端子4以及连接端子5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具有：第1半导体芯片；扩展部，其从所述第1半导体芯片的侧面起形成于外方；连接端子，其形成于所述第1半导体芯片上；再布线部，其配置为从所述第1半导体芯片上跨到所述扩展部上，且由与所述连接端子连接的布线以及覆盖所述布线的绝缘层构成；和电极，其位于所述扩展部的正上方，且在所述再布线部的表面，与从设于所述绝缘层的开口部露出的所述布线接合，所述电极形成为以弹性模量高于所述再布线部的所述布线的材料为主，所述电极具有：在所述绝缘层的所述开口部与所述布线接合的接合区域、和比所述接合区域更靠近所述扩展部的端部的外方区域，所述再布线部的所述布线形成为避免连续延伸到所述电极的所述外方区域的正下方。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.14 JP 2012-0570211.一种半导体装置，具有：第1半导体芯片；扩展部，其从所述第1半导体芯片的侧面起形成于外方；连接端子，其形成于所述第1半导体芯片上；再布线部，其配置为从所述第1半导体芯片上跨到所述扩展部上，且由与所述连接端子连接的布线以及覆盖所述布线的绝缘层构成；和电极，其位于所述扩展部的正上方，且在所述再布线部的表面，与从设于所述绝缘层的开口部露出的所述布线接合，所述电极形成为以弹性模量高于所述再布线部的所述布线的材料为主，所述电极具有：在所述绝缘层的所述开口部与所述布线接合的接合区域、和比所述接合区域更靠近所述扩展部的端部的外方区域，所述再布线部的所述布线形成为避免连续延伸到所述电极的所述外方区域的正下方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩濑铁平，油井隆，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：