本发明专利技术提供的信息装置是对信息记录介质(3)进行信息的记录或再生的信息装置，包括：光源(14)；具有在与记录区域(4)之间产生等离子共振的共振部(22)的近场光产生元件(9)，其中，共振部(22)通过来自光源的射出光照射到近场光产生元件(9)产生等离子共振，共振增强膜使共振部(22)和记录区域(4)之间的等离子共振增强，共振部(22)产生近场光并将近场光从记录层侧照射到记录区域(4)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，尤其是涉及利用近场(near-field light)良好且高密度地记录信息的信息记录介质、对该信息记录介质进行信息记录或再生的信息装置以及该信息记录介质的制造方法。
技术介绍
作为光学地记录及/或再生信息的信息装置，将⑶(压缩盘)、DVD、BD(Blu-Ray盘)等光盘或光卡等用作为信息记录介质的光学存储系统已被实用化。此外，为了实现记录信息量的进一步大容量化，提出了利用可以实现光的衍射极限以下的微小光点的近场光进行高密度光记录的信息装置和用于该信息装置的信息记录介质。例如，提出了专利文献I所公开的信息记录介质，以下对利用该信息记录介质的以往的信息装置进行说明。图33是表示以往的信息装置的近场光产生元件和信息记录介质的立体图。在图33所示的以往的信息记录介质103中，充分小于记录光105的波长的尺寸(3至30nm左右)的多个记录区域104有规则地2维排列在基板101上。记录区域104采用GeTe-Sb2Te3这样的相变记录材料。另外，图中的X方向、Y方向的记录区域104的排列周期分别用Λχ、Ay来表示，记录区域104的高度用h表示，Y方向的记录区域104的尺寸(幅度)用w表示，记录区域104之间的间隔用s来表示。Λχ、Ay、w及s为在光的衍射极限以下比记录波长充分小的尺寸，Ay= w+So近场光产生元件109被平行于记录区域104的配置面(XY面)而配置，使得3角形状金属膜的较长的方向为Y方向，并且接近记录区域104而配置，使工作距离WD从该配置面起为数十nm左右。容易产生等离子共振的Y方向的直线偏振(偏振方向108)的记录光105照射近场光产生元件109。其结果，在近场光产生元件109的金属薄膜内表面等离子共振被激发，从近场光产生元件109的顶端部(3角形状的顶点附近)产生(近场光未图示)与入射光相比电场强度大幅增大的近场光(具有与偏振方向108平行的偏振方向的近场光)。通过让产生的近场光照射接近配置的记录区域104，记录区域104发生相变(从结晶到非结晶或从非结晶到结晶)，可以以一个记录区域为最小单位记录信息。然而，上述以往的信息装置，当信息记录介质103的记录区域104进一步高密度化时，存在不能良好地记录信息的问题。以往技术文献专利文献专利文献1:国际专利公开公报第2010/116707号。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种利用近场光对高密度地排列的记录区域能良好地记录信息的。本专利技术的一方面所涉及的信息记录介质，包括:基板；包含记录材料的记录区域呈岛状排列的记录层；形成在所述基板与所述记录层之间、用于增强等离子共振的第I共振增强膜，其中，所述第I共振增强膜包含介电率的实数部的符号为负的材料。本专利技术的其他方面所涉及的信息装置是对上述的信息记录介质进行信息的记录或再生的信息装置，包括:光源；具有在与所述记录区域之间产生等离子共振的共振部的近场光产生元件，其中，所述共振部通过来自所述光源的射出光照射到所述近场光产生元件，产生等离子共振，所述第I共振增强膜使所述共振部和所述记录区域之间的等离子共振增强，所述共振部产生近场光并将所述近场光从所述记录层侧照射到所述记录区域。本专利技术的另外的方面所涉及的信息记录介质的制造方法，用于制造具备基板的信息记录介质，包括:形成包含记录材料的记录区域呈岛状排列的记录层的步骤；在所述基板与所述记录层之间形成用于增强等离子共振的第I共振增强膜的步骤，其中，所述第I共振增强膜包含介电率的实数部的符号为负的材料。根据上述的结构，利用近场光，可以对高密度排列的记录区域良好地记录信息。本专利技术的目的、特征及优点通过以下的详细说明和附图将更为显著。【附图说明】图1是表示本专利技术第I实施例的信息装置及信息记录介质的结构的概要图。图2是用于说明本专利技术第I实施例的信息装置的近场光产生元件和对信息记录介质记录或再生信息时的状态的说明图。图3是表示在本专利技术第I实施例的信息装置的近场光产生元件和信息记录介质的记录区域之间产生近场光时的状态的沿图2的II1-1II线的剖视图。图4是表示以往的信息装置在近场光产生元件和信息记录介质的记录区域之间产生近场光时的状态的沿图33的IV-1V线的剖视图。图5是表示将图4所示的信息记录介质进一步高密度化时在信息记录介质的记录区域和近场光产生元件之间产生近场光时的状态的剖视图。图6是表示本专利技术第I实施例的变形例的信息装置的结构的示意图。图7是表示本专利技术第I实施例的其它变形例的信息装置的结构的示意图。图8是表示包含圆锥形状的记录区域的信息记录介质的一个例子的示意图。图9是表示包含在圆柱的顶端部分具有圆成半球状的形状的记录区域的信息记录介质的一个例子的示意图。图10是表示本专利技术第2实施例的信息记录介质的结构和对信息记录介质记录或再生信息时的状态的说明图。图11是表示本专利技术第2实施例的变形例的信息记录介质的结构的剖视图。图12是表示本专利技术第2实施例的其它变形例的信息记录介质的结构的剖视图。图13是表示本专利技术第2实施例的其它变形例的信息记录介质的结构的剖视图。图14是表示本专利技术第3实施例的信息记录介质的结构和对信息记录介质记录或再生信息时的状态的说明图。图15是表示本专利技术第3实施例的变形例的信息记录介质的结构的剖视图。图16是表示本专利技术第3实施例的其它变形例的信息记录介质的结构的剖视图。图17是表示本专利技术第3实施例的其它变形例的信息记录介质的结构的剖视图。图18是表示本专利技术第3实施例的其它变形例的信息记录介质的结构的剖视图。图19是表示本专利技术第4实施例的信息记录介质的结构和对信息记录介质记录或再生信息的状态的说明图。图20是表示本专利技术第4实施例的变形例的信息记录介质的结构的剖视图。图21是表示本专利技术第4实施例的其它变形例的信息记录介质结构的剖视图。图22是表示本专利技术第5实施例的信息装置及信息记录介质的结构的示意图。图23是表示本专利技术第5实施例的信息装置的近场光产生元件和对信息记录介质记录或再生信息时的状态的说明图。图24是表示在本专利技术第5实施例的信息装置的近场光产生元件和信息记录介质的记录区域之间的近场光产生的状态沿图23的XXIV-XXIV线的剖视图。图25是表示本专利技术第6实施例的信息装置的近场光产生元件及双波长光源和对信息记录介质记录或再生信息的状态的说明图。图26是表示本专利技术第6实施例的变形例的信息装置的近场光产生元件和对信息记录介质记录或再生信息的状态的说明图。图27是表示本专利技术第7实施例的信息装置的近场光产生元件和对信息记录介质记录或再生信息的状态的说明图。图28是表示本专利技术第8实施例中的信息装置的近场光产生元件和对信息记录介质记录或再生信息的状态的说明图。图29是表示本专利技术第8实施例的变形例的信息装置的近场光产生元件和对信息记录介质记录或再生信息的状态的说明图。图30是表示本专利技术第9实施例的信息装置的近场光产生元件和对信息记录介质记录或再生信息的状态的说明图。图31是表示本专利技术第9实施例的变形例的信息装置的近场光产生元件及光源和对信息记录介质记录或再生信息的状态的说明图。图32是表示本专利技术第10实施例的信息装置及信息记录介质的结构的示意图。图33是表示以往的信息装置的近场光产生元件和信息记录介质的立体图。【具体实施方本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种信息记录介质，其特征在于包括：基板；包含记录材料的记录区域呈岛状排列的记录层；形成在所述基板与所述记录层之间，用于增强等离子共振的第1共振增强膜，其中，所述第1共振增强膜包含介电率的实数部的符号为负的材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.08.09 JP 2011-173919;2012.01.11 JP 2012-00341.一种信息记录介质，其特征在于包括: 基板； 包含记录材料的记录区域呈岛状排列的记录层； 形成在所述基板与所述记录层之间，用于增强等离子共振的第I共振增强膜，其中，所述第I共振增强膜包含介电率的实数部的符号为负的材料。2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于:所述第I共振增强膜的厚度为2nm以上25nm以下。3.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于还包括:相对于所述记录区域配置在与所述基板相反侧的共振控制膜，其中， 所述共振控制膜包含介电率的实数部的符号为负的材料。4.根据权利要求3所述的信息记录介质，其特征在于:所述共振控制膜的厚度比所述第I共振增强膜的厚度薄。5.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于还包括: 形成在所述基板和所述第I共 振增强膜之间，用于增强等离子共振的第2共振增强膜； 形成在所述第I共振增强膜和所述第2共振增强膜之间的中间膜，其中， 所述第2共振增强膜包含介电率的实数部的符号为负的材料， 所述中间膜包含介电率的实数部的符号为正的材料。6.根据权利要求5所述的信息记录介质，其特征在于:所述第I共振增强膜的厚度比所述第2共振增强膜的厚度薄。7.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于:所述记录区域的形状相对于所述记录区域的配置面呈竖长的椭圆体形状。8.一种信息装置，对权利要求1所述的信息记录介质进行信息的记录或再生，其特征在于包括: 光源； 具有在与所述记录区域之间产生等离子共振的共振部的近场光产生元件，其中， 所述共振部，通过让来自所述光源的射出光照射到所述近场光产生元件，产生等离子共振， 所述第I共振增强膜，使所述共振部和所述记录区域之间的等离子共振增强， 所述共振部，产生近场光并将所述近场光从所述记录层侧照射到所述记录区域。9.根据权利要求8所述的信息装置，其特征在于:所述近场光产生元件的主要成分的材料与所述第I共振增强膜的主要成分的材料相同。10.根据权利要求8所述的信息装置，其特征在于: 相对于所述记录区域的配置面，所述近场光在垂直方向的偏振光成分的振幅大于在水平方向的偏振光成分的振幅， 利用从所述共振部产生的近场光的至少一部分在所述记录区域记录信息。11.根据权利要求10所述的信息装置，其特征在于还包括: 检测来自所述近场光产生元件的反射光或透过所述近场光产生元件的透过光的光检测器；基于来自所述光检测器的检测信号，判断所述记录区域是处于记录状态还是处于未...
【专利技术属性】
技术研发人员：盐野照弘，山田升，松崎圭一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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