【技术实现步骤摘要】
一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池
本技术涉及一种晶体硅太阳电池，具体涉及一种具有新型细栅线结构的晶体娃太阳电池。
技术介绍
晶体硅太阳电池技术经过十几年的发展，已经形成一套成熟的规模化制备工艺技术，其中关键的一个环节是丝网印刷工序。在丝网印刷阶段，分别印刷背电极、背电场和正面电极，并经过高温烧结形成具有良好接触电阻和电阻率的金属电极。晶体硅太阳电池的正面电极包括两根或者三根主栅线，以及数十根宽度、高度均匀的细栅线(如图1所示)，细栅线收集晶体硅太阳电池产生的光生电流后汇聚到主栅线上。随着丝网印刷的网版和浆料的持续改进，细栅线的宽度已经由最初的140um左右降低到45um左右，高度由原来的25um左右降低到13um左右。细栅线宽度和高度的降低一方面减小了正面电极的遮光面积，提升了太阳电池的短路电流，另一方面降低了浆料的耗量。但由于丝网印刷的网版由细不锈钢线编织而成，在不锈钢线交叠的位置处，现阶段宽度和高度均匀的细栅线容易出现宽度和高度减小的“束腰”形状，甚至形成类似栅线断续的情况，增大了晶体硅太阳电池的串联电阻。尽管采用两层印刷技术印刷两次细栅线，将两层细栅线叠加起来增加栅线高度，可以修复细栅的“束腰”、“断续”，降低晶体硅太阳电池的串联电阻，但这无疑会在一定程度上增加浆料的耗量。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，能保持或少量增加浆料的耗量，新型细栅线结构有助于降低串联电阻。本技术解决技术问题所采用的技术方案是:一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层、N型层和P型基底，所述SiN...
【技术保护点】
一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层（1）、N型层（2）和P型基底（3），所述SiN层（1）上设有主栅线（4）和细栅线，其特征在于：将所述细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区（5）、细栅线中间区（6）和细栅线未端区（7）。
【技术特征摘要】
1.一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层(I )、N型层(2)和P型基底(3)，所述SiN层(I)上设有主栅线(4)和细栅线，其特征在于:将所述细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区(5)、细栅线中间区(6)和细栅线未端区(7)。2.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：许佳平，陈康平，金浩，蒋方丹，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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