一种改善热分布集中的超大功率光电器件制造技术

一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞，该等单胞相互串联或并联，且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，且每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，该区域相对较短边与相对较长边的比值＞0.5，但≤1。本实用新型专利技术通过采用多胞设计，并将其中若干单胞并联形成单胞组，且使各单胞组内的单胞排布在长宽比约为1的矩形内，进而使节温较高的单胞可向周围单胞传导热，使相邻单胞节温保持一致，避免节温较高的单胞成为热斑和热崩，从而有效提升大功率光电器件的工作性能，并延长其使用寿命。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种改善热分布集中的超大功率光电器件
本技术涉及一种半导体光电器件，尤其涉及一种改善热分布集中的超大功率光电器件，属于半导体光电
。
技术介绍
光电器件是指光能和电能相互转换的一类器件。其种类众多，如:发光二极管(LED)、太阳能电池、光电探测器、激光器(LD)等等。LED以其固有的特点，如省电、寿命长、耐震动，响应速度快、冷光源等特点，广泛应用于各种照明等领域，但由于其亮度差、价格昂贵等条件的限制，无法作为通用光源推广应用。近几年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，LED制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展，其发光效率提高了近1000倍，色度方面已实现了可见光波段的所有颜色，其中最重要的是超高亮度白光LED的出现。据国际权威机构预测，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代，被称为第四代发光源。目前，LED已经大量进入大屏幕显示、装饰照明、建筑照明、交通指示、IXD背光等市场，可是更大的市场在于普通照明，而LED还未能打入这个庞大市场。同时在荧光显微镜和投影仪市场中，LED所占的市场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，所述芯片的外延层包括彼此隔离的复数个单胞，该复数个单胞相互串联或并联，其特征在于，该复数个单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，并且该至少一个单胞组还与该复数个单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，其中，每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5，但小于或等于1。

【技术特征摘要】
1.一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，所述芯片的外延层包括彼此隔离的复数个单胞，该复数个单胞相互串联或并联，其特征在于，该复数个单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，并且该至少一个单胞组还与该复数个单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，其中，每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，所述矩形区域的相对较短边与相对较长边的比值大于0.5，但小于或等于I。2.根据权利要求1所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，所述芯片包括依次串联的复数个单胞组，每一单胞组包括两个以上并联设置的单胞。3.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，该复数个单胞组沿设定的折返曲线形轨迹依次串联。4.根据权利要求1或2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，每一单胞组内的每一单胞的正、负极均与该单胞组的正、负极互联金属电连接。5.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，任一单胞组的正、负极互联金属还均与相邻单胞组的负、正极互联金属电连接。6.根据权利要求2所述的改善热分布集中的超大功率光电器件，其特征在于，位于最上游的单胞组的正极互联金属和最下游的单胞组的负极互联金属还分别与芯片的阳极压焊区和阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玮，蔡勇，张宝顺，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：实用新型
国别省市：