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本实用新型公开了一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层、N型层和P型基底，所述SiN层上设有主栅线和细栅线，将所述细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区、细栅线中间区和细栅线未端区。本实用新型能保持或少量增加浆料的耗量，新...
该专利属于浙江晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司授权不得商用。

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