蓝宝石基板的再生方法技术

技术编号:9767200 阅读:155 留言:0更新日期:2014-03-15 18:03
本发明专利技术为一种蓝宝石基板的再生方法,其先提供一半导体结构,将该半导体结构浸渍于一碱性水溶液,以去除该半导体结构的一蓝宝石基板上的一磊晶结构,并在经过清洗制程,将该半导体结构的残留浸渍液去除后,得到一再生的蓝宝石基板,藉由上述步骤进行再生的制程能够大量处理蓝宝石基板、处理时间短、可选择性清除镀层,且浸渍液不与蓝宝石基板反应,可保留蓝宝石基板使用前状态,降低成膜生产参数的变异性,提升产品良率的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系有关于一种利用全湿式制程将具有镀层的蓝宝石基板回复至蓝宝石基板新片质量的。
技术介绍
蓝宝石的组成为氧化KAl2O3)是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合,逼垡结构为六方晶格结构,蓝宝石的M穿透带很宽,从近紫外光(190nm)到中红外线都有很好的透光性,并且具备高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、熔点高及电绝缘等特点,常作为光电组件材料。随着1993年日亚化(Nichia)开发出以氮化镓(GaN)为材质的蓝光LED,配合MOCVD (有机金属气相磊晶法)的磊晶技术,可制造出高亮度的蓝光LED,蓝宝石(Sapphire)成为制成氮化镓磊晶发光层的主要基板材质。然,磊晶制程并无法达到良率百分的百的程度,且蓝宝石基板从长晶至切磨抛加工,也十分不易,尤其是面对日益需求的4”、6”大尺寸基板搭配表面图案化的制程,如果因磊晶失败而使得蓝宝石基板无法再利用,对于耗能的制程实为可惜。习知在回收蓝宝石基板再利用的最后一道制程会使用磨抛制程,将蓝宝石基板的表面做I物理性破坏,造成图案化的蓝宝石基板无法再次使用。习知在处理该些回收的蓝宝石基板及玻璃,系需要进行下列步骤:(a)先浸溃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝宝石基板的再生方法,其特征在于,其包含:提供一半导体结构,其包含一蓝宝石基板及一磊晶结构,该磊晶结构设于该蓝宝石基板一侧;浸渍该半导体结构于一碱性水溶液,以去除该磊晶结构的多个金属氮化物层;取出该半导体结构,并进行一清洗制程,以去除该半导体结构的残留浸渍液;及得到该蓝宝石基板。

【技术特征摘要】
2012.08.27 TW 1011310831.一种蓝宝石基板的再生方法,其特征在于,其包含: 提供一半导体结构,其包含一蓝宝石基板及一磊晶结构,该磊晶结构设于该蓝宝石基板一侧; 浸溃该半导体结构于一碱性水溶液,以去除该磊晶结构的多个金属氮化物层; 取出该半导体结构,并进行一清洗制程,以去除该半导体结构的残留浸溃液; 及 得到该蓝宝石基板。2.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法,其特征在于,其中于提供一半导体结构的步骤后,更包含下列步骤: 浸溃该半导体结构于一第一酸性水溶液,以去除该磊晶结构的至少一金属层。3.如权利要求2所述的蓝宝石基板的再生方法,其特征在于,其中该第一酸性水溶液系选自氢氟酸、硝酸、过氧化氢或其组合择一者。4.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法,其特征在于,其中该些金属氮化物层为一氮化铝层、一氮化铟层、一氮化镓层或其组合择一者。5.如权利要求1所述的蓝宝石基板的再生方法,其特征在于,其中该金属氮化物层更包含至少一微量金属、硅、硅氧化物或其组合择一者。6.如权利要求5所述的蓝宝石基板的再生方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟润文周志豪陈飞宏
申请(专利权)人:鑫晶钻科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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