【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及半导体制造领域技术，尤其涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition, PECVD)是半导体制造领域的重要工序之一。其借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离以产生等离子体，通过等离子体与基片表面的反应，从而在基片上沉积出所期望的薄膜。以采取射频方式产生等离子体的等离子体处理装置为例，其包括处理腔体、抽真空系统、反应气体供应系统、电极，以及连接于电极的射频电源。其工作原理是利用低温等离子体作为能量源，待处理基片置于低压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使基片升温到预定温度，然后通入适量的反应气体，气体经过一系列化学反应和等离子体反应，在基片表面形成固态薄膜。等离子体处理装置分为单片处理方式和批量处理方式。其中，单片处理方式的等离子体处理装置包括若干独立设置的单一处理腔，其在产品处理的均一性、热效应以及单批加工速度方面具有优势，但是其低产能及昂贵的生产成本显然是难以克服的致命缺陷；批量处理方式的等离子体处理装置...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，包括若干处理单元，其特征在于，所述处理单元包括：第一处理腔，具有第一墙及由所述第一墙包围形成的第一处理空间；第二处理腔，具有第二墙及由所述第二墙包围形成的第二处理空间；设置于所述第一处理腔与所述第二处理腔之间的连接件，所述连接件将所述第一、第二处理腔可拆卸地连接；气体供应系统，包括连通于所述第一处理空间的第一气体分配单元及连通于所述第二处理空间的第二气体分配单元；以及排气系统，包括连通于所述第一处理空间的第一排气通道及连通于所述第二处理空间的第二排气通道，所述第一排气通道与所述第二排气通道相连通。
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，包括若干处理单元，其特征在于，所述处理单元包括: 第一处理腔，具有第一墙及由所述第一墙包围形成的第一处理空间； 第二处理腔，具有第二墙及由所述第二墙包围形成的第二处理空间； 设置于所述第一处理腔与所述第二处理腔之间的连接件，所述连接件将所述第一、第二处理腔可拆卸地连接； 气体供应系统，包括连通于所述第一处理空间的第一气体分配单元及连通于所述第二处理空间的第二气体分配单元；以及 排气系统，包括连通于所述第一处理空间的第一排气通道及连通于所述第二处理空间的第二排气通道，所述第一排气通道与所述第二排气通道相连通。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述处理单元还包括连通于所述第一处理空间与所述第二处理空间之间的环境匹配通道。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述环境匹配通道包括连通于所述第一处理空间的第一匹配通道及连通于所述第二处理空间的第二匹配通道，所述第一、第二匹配通道共同连通于氮气回填管道，所述氮气回填管道上具有开关阀。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一匹配通道包括形成于所述第一墙内且连通于第一处 理空间的第一墙内通道，及连接于所述第一墙内通道与所述氮气回填管道之间的第一墙外通道；所述第二匹配通道包括形成于所述第二墙内且连通于第二处理空间的第二墙内通道，及连接于所述第二墙内通道与所述氮气回填管道之间的第二墙外通道。5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一处理腔、第二处理腔分别具有第一侧墙及第二侧墙，所述连接件包括一个或多个安装...
【专利技术属性】
技术研发人员：凌复华，刘忆军，吴凤丽，姜崴，葛研，郑旭东，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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