用离子束使一维或二维纳米结构无移动弯曲的方法技术

本发明专利技术的目的是提供用离子束使一维或二维纳米结构无移动弯曲的方法，其中通过使用离子束使所述一维或二维纳米结构弯曲成不同形状，使得在不需要移动例如使纳米结构旋转的情况下可改变弯曲方向。本发明专利技术的使用离子束的用于一维或二维纳米结构的无移动弯曲方法是其中通过照射离子束(10)使具有一维或二维形状的纳米结构(20)弯曲的弯曲方法，其涉及根据所述离子束(10)的能量控制所述纳米结构(20)的弯曲方向，或者根据所述纳米结构(20)的粗细或厚度控制所述纳米结构(20)的弯曲方向。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术描述了使用离子束的用于一维或二维纳米结构的无移动弯曲方法(movement-free bending method)。纳米技术总地指通过在纳米单位(I(T9m)的世界中控制原子或分子产生超细装置或新材料的技术。最近，纳米技术已广泛应用于例如装置和新材料制造的领域。因为对纳米机器人(nanorobot)等的需求和兴趣逐渐增加,所以积极进行了使基于纳米单元的物体变形的更广泛的研究。—般来说，通过向物体施加机械力导致物体的变形，然而，在纳米单元的世界中，由于难以实施将机械力施加于物体的操作或者在施加力期间固定并支撑物体的操作，所以进行了与一般物体变形方法角度不同的方法。其中，例如，一种方法是使用离子束的变形方法。韩国专利 N0.0215218 (1999 年 5 月 21 日发布的 “Manufacturing method of fieldemitter metal tip using ion beam transformation method”,下文中称为现有技术 I)公开了其中通过使离子束撞击金属发射体来使金属发射体的上部变形成尖端形状的技术。现有技术I中描述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用离子束(10)使一维或二维纳米结构(20)无移动弯曲的方法，其中根据所述离子束(10)的能量控制所述纳米结构(20)的弯曲方向。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.26 KR 10-2011-01426131.一种用离子束(10)使一维或二维纳米结构(20)无移动弯曲的方法，其中 根据所述离子束(10)的能量控制所述纳米结构(20)的弯曲方向。2.如权利要求1所述的方法，其中通过用具有使所述纳米结构(20)朝向离子束源方向(S)弯曲的能量的高能量离子束(11)和具有使所述纳米结构(20)向离子束前进方向(P)弯曲的能量的低能量离子束(12)反复并交替地照射来调节所述纳米结构(20)的所述弯曲方向和形状。3.一种用离子束(10)使一维或二维纳米结构(20)无移动弯曲的方法，其中 根据所述纳米结构(20)的厚度控制所述纳米结构(20)的弯曲方向。4.如权利要求3所述的方法，其中在用所述离子束(10)照射时，所述纳米结构(20)形成以下形状，所述形状包括具有朝向离子束源方向(S)弯曲的厚度的窄宽度部分(N)和具有向离子束前进方向弯曲的厚度的宽宽度部分(W)，使得所述离子束(10)照射在包括所述窄宽度部分(N)和所述宽宽度部分(W)的所述纳米结构(20)上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金达铉，李确周，安商丁，
申请(专利权)人：韩国标准科学研究院，
类型：
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