【技术实现步骤摘要】
一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管
:本专利技术涉及一般半导体晶体管器件和很特别的高速结型场效应晶体管。
技术介绍
:结型场效应晶体管使用在双极型集成电路中是已知的。运行速度快是这种晶体管的一个重要特点。单片双极型场效应晶体管的结构包括顶部和底部栅极,顶部栅极在晶体管的沟道区包含一个轻掺杂区,顶部和底部栅极通过半导体结构电气连接。重掺杂区将栅极电导从5-15千欧姆/平方范围降低到500-1500欧姆/平方。结型场效应晶体管具有独立的上部和下部栅极触头是众所周知的。现有技术显示使用在上部栅极表面上势垒金属来阻止接触铝渗透到下面的硅材料。势垒金属的使用造成与硅热不匹配,导致在热循环过程中滞后影响装置的降解。本专利技术是针对改善高速的双极型场效应晶体管。简单地说,一个高掺杂多晶硅栅极触头形成在薄的表面上,轻掺杂顶部栅区在源极和漏极区之间延伸。如果需要的话,离子注入硅栅极触头,电气隔离底部接触,从而使终端设备操作。例如,一个金属触头如铝可以被放置在多晶硅层表面来进一步减小阻力。多晶硅层抑制铝接触金属通过铝触头扩散到栅极和沟道区。在多晶硅栅极触头下面的轻掺杂的顶部栅层通过重掺杂扩散高掺杂的多晶硅层来增加其电导率。根据本专利技术,栅极电阻可以被减小到1-40欧姆/平方。多晶硅层允许高温处理和在表面形成热氧化层。
技术实现思路
:因此,本专利技术的目的是提供一种改进的硅双极型场效应晶体管。另一项专利技术目的是提供一种提高运行速度的双极型场效应晶体管。本专利技术的另一个目的是提供一种热循环下不会退化设备性能的双极型场效应晶体管。本专利技术的技术解决方案 ...
【技术保护点】
一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管,其特征是:一种高速结型场效应晶体管包括一个导电型的硅半导体衬底区,导电型相反的第一和第二区形成在导电型的硅半导体衬底区表面,延伸到导电型的硅半导体衬底区,使相互间隔,导电型相反的第一和第二区形成高速结型场效应晶体管的一个源极和漏极,在导电型的硅半导体衬底区,导电型相反的薄沟道互联导电型相反的第一和第二区,一个导电型的薄的表面栅层覆盖在导电型相反的沟道区,并且从导电型相反的第一区延伸到第二区,导电型的薄表面栅层的接触表面延伸在导电型相反的第一和第二区之间,并且电气隔离导电型的硅半导体衬底区,导电型的薄表面栅层的接触表面包括一个导电型的多晶硅层并延伸在整个表面栅层的表面,具有的导电性比导电型的薄表面栅层的导电性强,在导电型相反的沟道区和导电型的表面栅层下面的衬底区由高速结型场效应晶体管的电隔离门和导电型的多晶硅层上的铝金属触头组成。
【技术特征摘要】
1.一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管,其特征是:一种高速结型场效应晶体管包括一个导电型的硅半导体衬底区,导电型相反的第一和第二区形成在导电型的娃半导体衬底区表面,延伸到导电型的娃半导体衬底区,使相互间隔,导电型相反的第一和第二区形成高速结型场效应晶体管的一个源极和漏极,在导电型的硅半导体衬底区,导电型相反的薄沟道互联导电型相反的第一和第二区,一个导电型的薄的表面栅层覆盖在导电型相反的沟道区,并且从导电型相反的第一区延伸到第二区,导电型的薄表面栅层的接触表面延伸在导电型相反的第一和第二区之间,并且电气隔离导电型的硅半导体衬底区,导电型的薄表面栅层的接触表面包括一个导电型的多晶娃层并延伸在整个表面栅层的表面,具有的导电性比导电型的薄表面栅层的导电性强,在导电型相反的沟道区和导电型的表面栅层下面的衬底区由高速结型场效应晶体管的电隔离门和导电型的多晶硅层上的铝金属触头组成。2.根据权利要求1所述的一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管,其特征是:高速结型场效应晶体管中导电型的薄表面栅层包括从导电型的多晶硅层扩散到其中的杂质。3.根据权利要求1所述的一种用在双极型集成电路中的高速结型场效应晶体管,其特征是:一种高速结型场效应晶体管包括一个导电型的硅半导体衬底区,导电型相反的第一和第二区形成在导电型的硅半导体衬底区表面,使相互隔离,导电型相反的第一和第二区形成高...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:苏州贝克微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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